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열전환(TR)을 이용한 미세다공성 고분자 분리막 소재제조를 위한 연구협력 파트너 발굴

  • 기술번호 : KST2014065907
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다공성 유기 고분자, 이의 제조방법 및 이를 이용한 기체 분리막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하기 화학식 1의 반복 단위를 갖는 다공성 유기 고분자와 이의 제조방법, 그리고 다공성 유기 고분자를 이용하여 제조된 기체 분리막에 관한 것이다. [화학식 1]본 발명의 다공성 유기 고분자는 기체투과도와 선택성간의 우수한 균형을 갖고, 내열성, 내화학성 및 기계적 성질이 우수하며, 나노단위의 미세다공성을 지니고 있어, 기체 분리막, 흡착제 등 이용분야가 매우 광범위하다. 기체 분리막, 흡착제, 폴리벤즈옥사졸, 폴리벤즈시아졸, 폴리이미드
Int. CL C08G 73/10 (2006.01.01) C08J 5/22 (2006.01.01) C08K 3/34 (2006.01.01)
CPC C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01)
출원번호/일자 1020050006790 (2005.01.25)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0782959-0000 (2007.11.30)
공개번호/일자 10-2006-0085845 (2006.07.28) 문서열기
공고번호/일자 (20071211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.25)
심사청구항수 49

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영무 대한민국 서울 서초구
2 박호범 대한민국 서울 성동구
3 이창현 대한민국 서울 성동구
4 정철호 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이봉진 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)(유미특허법인)
2 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0043501-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2006-0011509-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0188141-38
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0381368-76
6 의견서
Written Opinion
2006.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0381369-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0511533-11
8 의견서
Written Opinion
2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0789984-38
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0016178-17
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2007.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0190129-81
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.04.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0277423-62
12 의견서
Written Opinion
2007.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0277414-51
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2007.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0436233-71
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.31 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2007-0635656-91
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0635658-82
16 등록결정서
Decision to grant
2007.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0643206-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 반복 단위를 갖는 다공성 유기 고분자:[화학식 1](상기 화학식 1에서,Ar은 2가의 유기기로서, 치환되지 않거나 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 10의 할로알콕시기 중 하나 이상으로 치환된 탄소수 6 내지 24의 단일 방향족 탄소환; 2개 이상의 방향족 탄소환으로 이루어진 방향족 라디칼; 2가의 유기기로서, 치환되지 않거나 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 탄소수 1 내지 10의 알콕시기, 탄소수 1 내지 10의 할로알킬기 및 탄소수 1 내지 10의 할로알콕시기 중 하나 이상으로 치환되고, 방향족 탄소환의 탄소는 S, O 및 N 중 하나 이상의 이종원자로 치환된 5 내지 24개의 원자로 이루어진 단일 방향족 탄소환; 또는 2개 이상의 방향족 탄소환으로 이루어진 방향족 라디칼로, 상기 2개 이상의 방향족 탄소환은 서로 축합 및/또는 공유결합되어 있거나, O, S,(CH2)n', (CF2)n', CH(OH), C(O), C(O)NH, S(O)2, C(CH3)2, C(CF3)2 및 Si(CH3)2 중 하나 이상의 작용기에 의해 결합되어 있으며, 이때 3개 이상의 방향족환이 작용기들에 의하여 결합되어 있는 경우 상기 작용기들은 서로 상이할 수 있고, X는 중에서 선택되고,Y'는 O 또는 S이고,n'는 1 내지 4의 값을 갖고,n은 중합도로서 20 내지 200의 값을 갖는다
2 2
하기 화학식 2의 반복 단위를 갖는 다공성 유기 고분자:[화학식 2](상기 화학식 2에서,Ar은중에서 선택되고,Y', n은 상기 청구항 1에서 정의한 바와 같다
3 3
제1항 또는 제2항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물이 도입된 다공성 유기 고분자
4 4
제3항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
5 5
제1항 또는 제2항에서, 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물이 도입된 다공성 유기 고분자
6 6
제5항에서, 상기 무기물의 함량은, 상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
7 7
제1항 또는 제2항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물이 도입된 다공성 유기 고분자
8 8
제7항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
9 9
제1항 또는 제2항에서, 상기 유기 고분자의 분자량은,10,000 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
10 10
제1항에서, 상기 Ar은,중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
11 11
제1항 또는 제2항에 따른 유기 고분자로부터 제조되는 기체 분리막
12 12
제11항에서, 상기 분리막은 필름(film) 또는 파이버(fiber)인 것을 특징으로 하는 기체 분리막
13 13
제1항 또는 제2항에 따른 유기 고분자로부터 제조되는 흡착제
14 14
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 4로 표시되는 디아민을 반응시켜 폴리아믹산을 제조한 후 건조, 열경화시켜 하기 화학식 5로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; 및(2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 다공성 유기 고분자 제조방법
15 15
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 6으로 표시되는 디아민을 반응시켜 폴리아믹산을 제조한 후 건조, 열경화시켜 하기 화학식 7로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; 및(2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 하기 화학식 2로 표시되는 다공성 유기 고분자 제조방법
16 16
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 4로 표시되는 디아민을 용액상에서 80 내지 200 ℃에서 4 내지 24 시간 동안 반응시켜 열적 용액 이미드화 방법으로 하기 화학식 5로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; 및(2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리는 단계를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 다공성 유기 고분자 제조방법
17 17
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 6으로 표시되는 디아민을 용액상에서 80 내지 200 ℃에서 4 내지 24 시간 동안 반응시켜 열적 용액 이미드화 방법으로 하기 화학식 7로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; 및(2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 하기 화학식 2로 표시되는 다공성 유기 고분자 제조방법
18 18
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 4로 표시되는 디아민을 30 내지 100 ℃에서 4 내지 24 시간 동안 반응시켜 화학적 이미드화 방법으로 하기 화학식 5로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; 및(2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리하는 단계를 포함하는 하기 화학식 1로 표시되는 다공성 유기 고분자 제조방법
19 19
(1) 하기 화학식 3으로 표시되는 테트라카르복실산 무수물과, 하기 화학식 6으로 표시되는 디아민을 30 내지 100 ℃에서 4 내지 24 시간 동안 반응시켜 화학적 이미드화 방법으로 하기 화학식 7로 표시되는 폴리이미드를 제조하는 단계; 및(2) 상기 폴리이미드를 비활성 분위기하에 승온속도 1 내지 10℃/min으로 300 내지 550℃에서 1 내지 2시간의 등온시간 동안 열처리는 단계를 포함하는 하기 화학식 2로 표시되는 다공성 유기 고분자 제조방법
20 20
제14항 또는 제15항에서, 상기 제조된 폴리아믹산에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
21 21
제20항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
22 22
제14항 또는 제15항에서, 상기 제조된 폴리아믹산에 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
23 23
제22항에서, 상기 무기물의 함량은, 상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
24 24
제14항 또는 제15항에서, 상기 제조된 폴리아믹산에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
25 25
제24항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
26 26
제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 제조된 폴리이미드에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
27 27
제26항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
28 28
제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 제조된 폴리이미드에 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
29 29
제28항에서, 상기 무기물의 함량은, 상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
30 30
제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 제조된 폴리이미드에 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
31 31
제30항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
32 32
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 유기 고분자의 분자량은 10,000 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
33 33
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 Ar은, 중에서 선택되는 것을 특징으로 하고,상기 Ar1은,중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
34 34
하기 화학식 8로 표시되는 벤즈옥사졸, 하기 화학식 9로 표시되는 벤즈시아졸, 하기 화학식 10으로 표시되는 피롤론, 하기 화학식 11로 표시되는 벤즈이미다졸, 하기 화학식 12로 표시되는 벤즈옥사졸, 하기 화학식 13으로 표시되는 벤즈시아졸, 하기 화학식 14로 표시되는 피롤론, 및 하기 화학식 15로 표시되는 벤즈이미다졸로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 단량체가 공중합된 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
35 35
제34항에서, 중에서 선택된 하나 이상의 단량체가 더욱 공중합된 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
36 36
제34항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물이 도입된 다공성 유기 고분자
37 37
제36항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
38 38
제34항에서, 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물이 도입된 다공성 유기 고분자
39 39
제38항에서, 상기 무기물의 함량은, 상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 5 내지 60 중량부인 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
40 40
제34항에서, 발연 실리카, 지르코늄산화물, 테트라에톡시실란, 및 몬트모릴로나이트 점토(montmorillonite clay)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기산화물과 포스포텅스텐산(PWA), 인몰리브덴익산(Phosphomolybdenic acid), 실리코텅스텐산(SiWA), 몰리브도인산(Molybdophophoric acid), 실리코몰리브덴산(Silicomolybdic acid), 포스포틴산(Phosphotin acid), 및 지르코늄 인산염 (ZrP)으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 무기물이 도입된 다공성 유기 고분자
41 41
제40항에서, 상기 무기산화물의 함량은,상기 유기 고분자 100 중량부에 대하여 0
42 42
제34항에서, 상기 유기 고분자의 분자량은,10,000 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
43 43
제34항에서, 상기 Ar은, 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
44 44
제34항 내지 제43항 중 어느 한 항에 따른 유기 고분자로부터 제조되는 기체 분리막
45 45
제44항에서, 상기 분리막은 필름(film) 또는 파이버(fiber)인 것을 특징으로 하는 기체 분리막
46 46
제34항 내지 제43항 중 어느 한 항에 따른 유기 고분자로부터 제조되는 흡착제
47 47
제1항 또는 제2항에서,상기 유기 고분자는 1 내지 50 nm 직경의 미세기공을 갖는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
48 48
제14항 내지 제19항 중 어느 한 항에서, 상기 유기 고분자는 1 내지 50 nm 직경의 미세기공을 갖는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자 제조방법
49 49
제34항 내지 제43항 중 어느 한 항에서,상기 유기 고분자는 1 내지 50 nm 직경의 미세기공을 갖는 것을 특징으로 하는 다공성 유기 고분자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.