맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

상보성 멤리스터 어레이의 누설전류를 줄이기 위한 2단계 쓰기 회로

  • 기술번호 : KST2014067098
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 입력 데이터를 수신하는 단계, 상기 수신된 입력 데이터에 대하여 1차 쓰기 동작을 수행하는 단계, 1차 쓰기 동작 수행 후, 상기 수신된 입력 데이터에 대하여 2차 쓰기 동작을 수행하는 단계, 기준 전압이 센스 노드의 전압보다 작은 경우, 상기 2차 쓰기 동작을 종료하는 단계를 포함하되, 상기 2차 쓰기 동작에서 인가되는 전압은 상기 1차 쓰기 동작에서 인가되는 전압보다 더 큰 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터의 제어 방법에 관한 것이다.
Int. CL G11C 7/10 (2006.01) G11C 7/22 (2006.01) G11C 5/14 (2006.01)
CPC G11C 7/109(2013.01) G11C 7/109(2013.01) G11C 7/109(2013.01) G11C 7/109(2013.01)
출원번호/일자 1020120028470 (2012.03.20)
출원인 국민대학교산학협력단, 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1282884-0000 (2013.07.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130717) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.20)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 민경식 대한민국 서울 강남구
2 정철문 대한민국 서울 금천구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
2 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0226475-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.26 수리 (Accepted) 9-1-2012-0096737-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0185250-23
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0271769-11
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0271762-92
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0380340-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-5067673-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상보성 멤리스터를 위한 구동 회로에 있어서,외부 쓰기 제어 신호에 근거하여, 제 1 쓰기 기간에 대한 제 1 쓰기 펄스를 생성하는 제 1 쓰기 펄스 생성부;상기 제 1 쓰기 펄스에 근거하여, 제 2 쓰기 기간에 대한 제 2 쓰기 펄스를 생성하는 제 2 쓰기 펄스 생성부; 상기 제 1 쓰기 기간 및 상기 제 2 쓰기 기간 동안 상보성 멤리스터의 셀에 전압을 인가하는 구동 전압 인가부; 및상기 셀의 저항 변화에 근거하여 제 2 쓰기를 종료시키는 비교기를 포함하되,상기 구동 전압 인가부는 상기 제 1 쓰기 기간 보다 상기 제 2 쓰기 기간에 더 큰 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터 구동 회로
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 쓰기 펄스 생성부는,상기 제 1 쓰기 펄스의 변화에 근거하여 제 2 쓰기 펄스를 생성하는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터 구동 회로
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 구동 전압 인가부는,상기 제 2 쓰기 기간에, 상기 제 1 쓰기 기간에 인가하는 전압의 2배의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터 구동 회로
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 구동 전압 인가부는,상기 상보성 멤리스터의 선택된 셀에 소정의 전압을 인가하고,상기 상보성 멤리스터의 반-선택된 셀에 상기 소정의 전압보다 낮은 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터 구동 회로
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 비교기는,센스 노드 전압이 기준 전압보다 큰 경우, 상기 제 2 쓰기를 종료시키는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터 구동 회로
6 6
제 1 항에 있어서, 상보성 멤리스터 어레이의 컬럼 선택 신호를 수신하는 컬럼 선택 수신부; 및상보성 멤리스터 어레이의 로우 선택 신호를 수신하는 로우 선택 수신부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터 구동 회로
7 7
상보성 멤리스터의 데이터 쓰기 제어 방법에 있어서,상보성 멤리스터의 셀 중 소정의 셀을 선택하는 단계;상기 선택된 셀에 상기 선택된 셀의 상태를 변화시키는 제 1 전압을 인가하는 1차 전압 인가 단계; 및상기 1차 전압 인가 단계의 종료 후, 상기 선택된 셀에 상기 선택된 셀의 상태를 변화시키는 제 2 전압을 인가하는 2차 전압 인가 단계를 포함하되,상기 제 2 전압이 상기 제 1 전압보다 고전압인 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터의 제어 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 1차 전압 인가 단계는,상기 선택된 셀의 저항 상태가 변화될 때까지 상기 제 1 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터의 제어 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 2차 전압 인가 단계는,상기 선택된 셀의 저항 상태가 변화될 때까지 상기 제 2 전압을 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터의 제어 방법
10 10
상보성 멤리스터의 제어 방법에 있어서,입력 데이터를 수신하는 단계;상기 수신된 입력 데이터에 대하여 소정의 셀에 1차 쓰기 동작을 수행하는 단계;1차 쓰기 동작 수행 후, 상기 수신된 입력 데이터에 대하여 상기 소정의 셀에 2차 쓰기 동작을 수행하는 단계; 및상기 소정의 셀의 저항 변화에 근거하여, 상기 2차 쓰기 동작을 종료하는 단계를 포함하되,상기 2차 쓰기 동작에서 인가되는 전압은 상기 1차 쓰기 동작에서 인가되는 전압보다 더 큰 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터의 제어 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 2 차 쓰기 동작은,상기 1차 쓰기 동작의 종료에 근거하여 시작되는 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터의 제어 방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 2차 쓰기 동작에서 인가되는 전압은,상기 1차 쓰기 동작에서 인가되는 전압의 2배인 것을 특징으로 하는 상보성 멤리스터의 제어 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 광운대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2005년 기술기반구축사업) 나노SoC 산업육성을 위한 산학협력 혁신 클러스터-테라스케일 SoC 설계를 위한 나노 IP DB 구축