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반도체 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015135964
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신뢰성이 향상된 반도체 소자 및 그 제조방법을 위하여, 하부 구조체, 하부 구조체 상에 형성된 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층, 장벽층 상에 형성된 도전층을 포함하는, 반도체 소자 및 그 제조방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/288 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01) H01L 21/76843(2013.01)
출원번호/일자 1020120002726 (2012.01.10)
출원인 서울대학교산학협력단, 국민대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1326711-0000 (2013.11.01)
공개번호/일자 10-2013-0081749 (2013.07.18) 문서열기
공고번호/일자 (20131108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.10)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주영창 대한민국 서울 강남구
2 연한울 대한민국 서울특별시 영등포구
3 이영주 대한민국 서울 강동구
4 이재갑 대한민국 서울 강남구
5 이치영 대한민국 서울 강북구
6 한정석 대한민국 경북 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0022714-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0095086-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0255182-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0533277-27
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0533276-82
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0606539-85
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0716955-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
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번호 청구항
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하부 구조체를 준비하는 단계;상기 하부 구조체 상에 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층(barrier)을 형성하는 단계; 및상기 MPTMS를 포함하는 장벽층 상에 도전층을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 도전층을 형성하는 단계는, MOCVD 방식으로 구리를 증착하는 단계를 포함하고,상기 MOCVD 방식으로 구리를 증착하는 단계는,상기 하부 구조체 상에 구리 전구체를 주입하는 단계;상기 구리 전구체 중 반응하지 않고 잔류하는 부분을 퍼지하는 단계;상기 하부 구조체 상에 요오드를 주입하는 단계; 및상기 요오드 중 반응하지 않고 잔류하는 부분을 퍼지하는 단계;를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 구리 전구체는 (hfac)Cu(DMB)를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층을 형성하는 단계는, 상기 하부 구조체를 MPTMS 용액에 침지하는 단계, 상기 하부 구조체 상에 MPTMS 용액을 스핀 코팅하는 단계 또는 상기 하부 구조체 상에 MPTMS를 기상증착하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 MPTMS(mercaptopropyltrimethoxysilane)를 포함하는 장벽층을 형성하는 단계는, 상기 하부 구조체 상에 자기조립(self assemble)되는 단분자막의 상기 MPTMS(mercaptopropyl trimethoxysilane)를 포함하는 장벽층을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 하부 구조체를 준비하는 단계는 상기 하부 구조체를 피라나(Piranha) 용액으로 전처리하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 하부 구조체를 준비하는 단계는 상기 하부 구조체의 표면을 UV 처리 또는 산소 플라즈마 처리를 수행하여 상기 하부 구조체의 표면을 친수화하는 단계를 포함하는, 반도체 소자의 제조방법
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1 지식경제부 한국반도체연구조합 산업원천기술개발사업 초미세 고신뢰성 배선 기술 연구