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전기적, 기계적 특성이 우수한 메조페이스 탄소질 소구체를 고수율로 제조하는 기술

  • 기술번호 : KST2014067209
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메조페이스 탄소질 소구체의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 소구체의 제조수율을 극대화하도록 퀴놀린 불용분(QI)의 함량이 조절된 원료피치를 사용하여 열처리 반응하고, 반응이 완료되면 냉각과정 없이 고온의 반응물을 퀴놀린으로 직접 추출하여 균일한 입도분포와 표면부착물이 적은 메조페이스 탄소질 소구체를 고 수율로 제조하는 방법에 관한 것이다. 메조페이스 탄소질 소구체(MCMB), 퀴놀린 불용분(QI), 입도분포, 표면부착물
Int. CL C01B 31/02 (2006.01)
CPC C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01) C01B 32/05(2013.01)
출원번호/일자 1020020073185 (2002.11.22)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0490673-0000 (2005.05.11)
공개번호/일자 10-2004-0045151 (2004.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20050519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.11.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정민 대한민국 대전광역시유성구
2 서정권 대한민국 대전광역시유성구
3 박중환 대한민국 대전광역시서구
4 조용식 대한민국 대전광역시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 마디 대전광역시 대덕구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2002-0386765-12
2 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0084339-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0059296-41
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0508185-85
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0594650-18
7 의견서
Written Opinion		 2004.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2004-0594651-53
8 등록결정서
Decision to grant		 2005.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0180899-06
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
불활성 분위기 및 400 ∼ 480 ℃ 조건에서 원료피치(퀴놀린 불용분의 함량 7 ∼ 12 중량%)를 열처리 반응하고, 반응이 완료되면 400 ∼ 480 ℃로 가온된 상태의 반응물을 퀴놀린으로 추출하여 입자를 회수하는 것을 특징으로 하는 메조페이스 탄소질 소구체의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 회수된 입자는 입경 10 ∼ 30 ㎛의 입자가 90 중량% 이상인 것을 특징으로 하는 메조페이스 탄소질 소구체의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 추출 후 얻어진 잔사는 원료피치로 재순환하는 것을 특징으로 하는 메조페이스 탄소질 소구체의 제조방법
4 3
제 1 항에 있어서, 상기 추출 후 얻어진 잔사는 원료피치로 재순환하는 것을 특징으로 하는 메조페이스 탄소질 소구체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.