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제 1 챔버로 공급되는 탄소 소스기체와 반응기체를 혼합하고 혼합된 상기 탄소 소스기체와 상기 반응기체를 저온-고압 플라즈마를 이용하여 탄소화합물 및 반응이온으로 활성화시키는 활성화 단계;플라즈마를 이용하여 제 2 챔버로 유입된 상기 활성화된 탄소화합물 및 반응이온을 반응시켜 상기 탄소화합물 및 반응이온의 밀도를 조절하는 단계; 및상기 밀도 조절된 탄소화합물 및 반응이온을 제 3 챔버의 나노튜브에 통과시켜 탄소나노튜브를 제조하고, 제조된 상기 탄소나노튜브의 형태를 조절하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 활성화 단계에서 상기 제 1 챔버로 공급되는 상기 반응기체는 수소기체 및 아르곤 중 하나이며, 상기 탄소 소스기체는 C2H2, CH4, C2H4, C2H6 및 CO 가스 중 하나인 탄소나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브의 형태를 조절하는 단계에서는 상기 나노튜브의 길이 및 형상에 따라 상기 탄소나노튜브의 길이 및 형상을 조절하는 탄소나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 활성화 단계에서는저온-고압 플라즈마 화학 기상 합성법을 이용하며, 100 내지 600도 범위에서 온도를 조절하고 10 내지 760 토르 범위에서 압력을 조절하는 탄소나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 활성화 단계 및 상기 밀도조절 단계에서는 직류 또는 고주파로 플라즈마를 형성시키는 탄소나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 활성화 단계 및 상기 밀도조절 단계에서는 10 내지 1000W의 플라즈마 파워를 이용하는 탄소나노튜브 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 밀도조절 단계 및 상기 탄소나노튜브 형태조절 단계에서는 상기 제 2 챔버 및 상기 제 3 챔버의 압력을 1 내지 100토르 범위로 조절하는 탄소나노튜브 제조방법
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기체가 유입되는 기체 유입구를 포함하며, 플라즈마를 이용하여 활성화된 라디컬 및 이온을 탄소화합물 및 반응이온으로 활성화시키는 제 1 챔버;상기 제 1 챔버와 연통하며, 상기 제 1 챔버로부터 상기 활성화된 탄소화합물 및 반응이온을 플라즈마 반응시켜 상기 탄소화합물 및 반응이온의 밀도를 조절하는 제 2 챔버; 및내부에 형성된 복수의 나노튜브에 상기 제 2 챔버와 연통하여 상기 플라즈마 반응된 상기 탄소화합물 및 반응이온을 통과시켜 탄소나노튜브를 성장시키고 외부로 배출하는 제 3 챔버를 포함하는 탄소나노튜브 제조장치
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제 8항에 있어서,상기 제 1 챔버는 상기 제 1 챔버 내벽의 적어도 일부를 둘러싸도록 마련된 제 1 전극 및 상기 제 1 전극과 함께 상기 기체 유입구로부터 유입된 상기 기체의 유동로를 형성하도록 상기 제 1 전극과 이격 거리를 두고 마련된 제 2 전극을 포함하는 탄소나노튜브 제조장치
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제 8항에 있어서, 상기 제 2 챔버에 제공된 상기 활성화된 탄소화합물 및 상기 반응이온을 플라즈마 반응시키기 위해, 상기 제 2 챔버의 상부 및 하부에 형성된 한 쌍의 제 3 전극과 상기 한 쌍의 제 3 전극 사이에 직렬로 연결된 플라즈마 반응기를 더 포함하는 탄소나노튜브 제조장치
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제 10항에 있어서,상기 제 3 전극은 1 내지 10mm의 홀을 갖는 매쉬 형태인 탄소나노튜브 제조장치
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제 8항에 있어서,상기 제 3 챔버의 외곽에는 열선 형태의 온도조절용 히터가 상기 제 3 챔버를 둘러싸고 있는 탄소나노튜브 제조장치
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제 8항에 있어서, 상기 제 3 챔버에는 상기 나노튜브를 통과하여 형성된 상기 탄소나노튜브를 채집하는 채집기 및 상기 채집기와 연통하며 상기 탄소나노튜브를 배출하는 배출구가 형성되어 있는 탄소나노튜브 제조장치
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