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박막 트랜지스터용 산화 아연계 무기 반도체 잉크 조성물

  • 기술번호 : KST2014067271
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막에 관한 것으로 상세하게는 산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0.1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 산화아연 전구체 용액 및 산화아연 나노입자가 혼합되어 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01) H01L 21/02628(2013.01)
출원번호/일자 1020110035119 (2011.04.15)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1165717-0000 (2012.07.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120718) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.15)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성윤 대한민국 대전광역시 유성구
2 이창진 대한민국 대전광역시 유성구
3 강영구 대한민국 대전광역시 유성구
4 임종선 대한민국 대전광역시 유성구
5 강영훈 대한민국 부산광역시 연제구
6 정준영 대한민국 충청북도 옥천군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0279109-15
2 등록결정서
Decision to grant		 2012.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0389316-32
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화아연 나노입자의 크기는 5 내지 20 nm인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물
3 3
제1항에 있어서, 상기 산화아연 나노입자는 분산용매에 대하여 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 분산용매는 수산화암모늄, 이소프로필알코올, 클로로벤젠, N-메틸 피롤리돈, 에탄올 아민, 에탄올 및 메탄올로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물
5 5
제1항에 있어서, 상기 산화아연 전구체 용액은 수산화 아연 (zinc hydroxide), 초산 아연(zinc acetate), 아연 포름산염(zinc formate), 옥산산 아연(zinc oxalate), 질산 아연(zinc nitrate), 프로피온산아연 (zinc propionate), 아연 아세틸아세토네이트(zinc acetylacetonate), 아연 아크릴레이트(zinc acrylate), 메타크릴산 아연(zinc methacrylate), 황산 아연(zinc sulfite), 염화 아연(zinc chloride), 이들의 수화물(hydrate) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 화합물을 출발물질로 하는 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물
6 6
제1항에 있어서, 상기 무기 반도체 잉크 조성물은 산화아연 나노입자가 분산된 분산용매와 산화아연 전구체 용액을 1:1의 부피비로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물
7 7
제1항의 무기반도체 잉크 조성물을 기판 상부로 인쇄 또는 코팅하여 막을 제조하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 제조된 막을 열처리하는 단계(단계 2)를 포함하는 산화아연 나노입자가 분산된 산화아연 반도체 박막의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 단계 1의 인쇄 또는 코팅은 잉크젯 프린팅, 롤 프린팅, 그라비아 프린팅, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 롤(roll) 코팅, 스핀 코팅, 바(bar) 코팅, 스프레이 코팅 및 딥(dip) 코팅으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 방법인 것을 특징으로 하는 산화아연 나노입자가 분산된 산화아연 반도체 박막의 제조방법
9 9
기판(게이트전극) 및 제7항의 제조방법으로 제조되는 산화아연 반도체 박막이 순차적으로 적층되고, 상기 산화아연 반도체 박막 상부에 소스(source)와 드레인(drain) 전극이 적층되되, 상기 소스와 드레인 전극은 일정간격으로 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 무기 박막 트랜지스터
10 10
제9항에 있어서, 상기 무기 박막 트랜지스터는 소스(source)와 드레인(drain) 전극 상부로 적층된 보호막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무기 박막 트랜지스터
11 11
기판(게이트 전극) 상부로 산화아연 나노 입자가 분산된 무기 반도체 잉크 조성물을 코팅하고 열처리하여 산화아연 반도체 박막을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 산화아연 반도체 박막 상부에 소스(source)와 드레인(drain) 전극을 증착시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 증착된 소스(source)와 드레인(drain) 전극 상부로 보호막을 코팅하는 단계(단계 3)를 포함하는 무기 박막 트랜지스터의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 단계 3의 보호막은 폴리메틸메타크릴레이트(Poly methylmethacrylate, PMMA), 폴리이미드(Poluimide) 또는 폴리벤족사졸(Polybenzoxazole)인 고분자로 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 박막 트랜지스터의 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 단계 3의 보호막은 아크릴 계통의 광경화 조성물 또는 카도계 광경화 조성물을 코팅하고 광경화시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 무기 박막 트랜지스터의 제조방법
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1 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 고 전하 이동도의 유기/산화물 반도체 소재 기술 개발