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높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015000680
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터 소자 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부에 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 단계; 탄소나노튜브 네트워크 상부에 전극층을 형성하는 단계; 및 소오스와 드레인 사이의 채널 영역을 제외한 나머지 부분의 탄소나노튜브를 제거하는 단계; 및 전극층이 형성된 탄소나노튜브 네트워크에 포토리소그래피와 에칭 작업을 통해 국소적으로 나노튜브의 밀도를 줄이는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자의 제조방법을 제공한다.본 발명의 높은 점멸비를 가지는 탄소나노튜브 트랜지스터의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 트랜지스터는 기존의 탄소나노튜브 트랜지스터의 최대 단점인 점멸비를 보완하여 소자로서의 가치를 갖게 만드는 것이다. 본 발명의 탄소나노튜브 트랜지스터는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가지며 이에 따라 디스플레이 및 반도체 산업에 그대로 적용 가능한 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01)
출원번호/일자 1020110099951 (2011.09.30)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1284775-0000 (2013.07.04)
공개번호/일자 10-2013-0035571 (2013.04.09) 문서열기
공고번호/일자 (20130717) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.09.30)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원진 대한민국 서울특별시 은평구
2 이정오 대한민국 대전시 서구
3 양철수 대한민국 경북 경산시
4 박동원 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
5 장현주 대한민국 대전시 유성구
6 공기정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0767577-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066952-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0040864-35
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0182510-38
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0461327-47
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부에 절연층이 형성되고, 절연성 재질을 포함하는 기판;상기 절연층의 상부에 탄소나노튜브를 포함하여 형성된 탄소나노튜브 네트워크 층;상기 탄소나노튜브 네트워크 층 상부에 일정 간격을 두고 증착된 소오스 전극 및 드레인 전극; 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 네트워크 채널; 및상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 탄소나노튜브 네트워크 층에 형성된 적어도 하나 이상의 홀;을 포함하되,상기 탄소나노튜브 네트워크 채널은 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 영역을 제외한 나머지 부분의 상기 탄소나노튜브를 제거하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 홀은 포토리소그래피와 에칭을 통해 형성되고,상기 홀은 상기 탄소나노튜브에 의한 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 직접적인 연결을 제한하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 영역을 제외한 나머지 부분의 상기 탄소나노튜브의 제거는 포토리소그라피를 통한 산소플라즈마 에칭, 산소자외선 에칭 또는 용액 에칭 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 채널은, 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 패턴을 형성하고 탄소나노튜브를 분산하여 리프트 오프하는 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 존재하는 탄소나노튜브는 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 자기조립하는 분자 접착제를 도포하여 고정화한 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기판은 산화 실리콘, 질화 실리콘, 사파이어 및 폴리머를 포함하는 군으로부터 선택되는 절연성 재질의 기판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 층은 촉매를 스핀코팅한 후 열처리를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
8 8
제 7 항에 있어서,상기 촉매는 금속이온을 포함하는 단백질로, 2 내지 10nm의 직경을 가지는 나노파티클인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
9 9
제 7 항에 있어서,상기 열처리는 800℃ 내지 1000℃의 온도에서 10 내지 20분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 층은 미리 형성된 탄소나노튜브를 액체에 분산시켜 스핀코팅을 통해 상온에서 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자
11 11
탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자를 제조하는 방법에 있어서,상부에 절연층이 형성되고 절연성 재질을 포함하는 기판에 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브 네트워크 층을 형성하는 탄소나노튜브 네트워크 층 형성단계;상기 탄소나노튜브 네트워크 층 형성단계에서 형성된 상기 탄소나노튜브 네트워크 층의 상부에 소오스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 전극 층착단계;상기 전극 층착단계에서 증착된 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 영역을 제외한 나머지 부분의 상기 탄소나노튜브를 제거하여 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 네트워크 채널을 형성하는 채널 형성단계; 및상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 탄소나노튜브 네트워크 층에 적어도 하나 이상의 홀을 형성하는 홀 형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 탄소나노튜브 네트워크 층 형성단계는,촉매를 상기 기판에 형성하는 공정;상기 기판에 형성된 상기 촉매를 산화시키는 공정;산화된 촉매를 수소가스로 환원시키면서 메탄가스를 이용하여 탄소나노튜브를 성장시키는 공정; 및성장된 상기 탄소나노튜브를 상온으로 식혀 상기 탄소나노튜브 네트워크를 형성하는 공정;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 제조방법
13 13
탄소나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자를 제조하는 방법에 있어서,상부에 절연층이 형성되고 절연성 재질을 포함하는 기판에 소오스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 전극 증착단계;증착된 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 리소그라피 및 자기조립 패턴을 형성하는 패턴 형성단계;상기 자기조립 패턴이 형성된 상기 기판에 탄소나노튜브를 분산하여 리프트오프 방식으로 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 탄소나노튜브 네트워크 채널을 형성하는 채널 형성단계; 및상기 소오스 전극 및 드레인 전극 사이의 상기 탄소나노튜브 네트워크 채널에 적어도 하나 이상의 홀을 형성하는 홀 형성단계;를 포함하는 탄소 나노튜브 네트워크 트랜지스터 소자 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 정보전자 산업용 전구체 개발