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유기 절연체와 금속산화물 반도체 사이의 금속산화물 층간-박막을이용한박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015000821
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기절연체와 금속산화물 반도체 사이에 형성된 금속산화물 층간박막을 이용한 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 전기적 특성 향상 방법에 관한 것으로 구체적으로 유기 절연체층과 금속산화물 반도체층 사이에 금속산화물 층간박막을 형성시켜 유기절연체를 화학적으로 손상시키지 않으면서 금속산화물 반도체에 화학적으로 유사한 계면을 제공함으로써, 용액공정을 이용하여 금속산화물 반도체층을 매끄러운 표면을 갖는 고른 막의 형태로 형성시킬 수 있다. 즉, 금속산화물 층간박막은 유기 절연체층의 절연특성을 저하하지 않으면서 유기 절연체층과 금속산화물 반도체층 계면특성을 향상시킴으로써 최종적으로 용액공정용 금속산화물 박막 트랜지스터의 전기적 특성 즉, 소자 특성을 향상시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020130036314 (2013.04.03)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1446703-0000 (2014.09.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.03)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장광석 대한민국 충북 청주시 상당구
2 가재원 대한민국 서울 관악구
3 이미혜 대한민국 대전 유성구
4 김윤호 대한민국 대전광역시 유성구
5 김진수 대한민국 대전 유성구
6 위두영 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2013-0290263-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011740-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0124670-67
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0375474-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0375475-33
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0585408-56
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 게이트 전극, 유기 절연체층, 금속산화물 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 유기 절연체층과 금속산화물 반도체층 사이에 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 세륨(Ce), 사마륨(Sm) 및 가돌리늄(Gd)으로부터 선택되는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물을 포함하는 금속산화물 층간박막이 형성된 것을 특징으로 하는 용액공정용 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속산화물 층간박막은 유기 절연체층에 대하여 1:0
4 4
제1항에 있어서, 상기 유기 절연체는 폴리이미드(PI), 폴리비닐알코올(PVA), 폴리비닐 페놀(PVP), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA) 및 폴리스타이렌(PS)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 유기화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 용액공정용 박막 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 유기 절연체층은 하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드계 고분자 화합물로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 용액공정용 박막 트랜지스터:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,n은 10 - 3000의 정수이다
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속산화물 반도체층은 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 구리 산화물, 카드뮴 산화물, 마그네슘 산화물 및 망간 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 용액공정용 박막 트랜지스터
7 7
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계 (단계 1);상기 게이트 전극 상에 유기 절연체층을 용액공정으로 형성하는 단계(단계 2);상기 유기 절연체 상에 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 세륨(Ce), 사마륨(Sm) 및 가돌리늄(Gd)으로부터 선택되는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물을 포함하는 금속산화물 층간박막을 용액공정으로 형성하는 단계(단계 3);상기 금속산화물 층간박막 상에 금속산화물 반도체층을 용액공정으로 형성하는 단계(단계 4); 및상기 금속산화물 반도체층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 5);를 포함하는 용액공정용 박막 트랜지스터의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 금속산화물 층간박막은 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 세륨(Ce), 사마륨(Sm) 및 가돌리늄(Gd)으로부터 선택되는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 금속염의 수화물을 포함하는 전구체 용액으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 용액공정용 박막 트랜지스터의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 금속산화물 반도체층은 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 롤코팅, 스크린프린팅, 전사법 및 딥핑법으로부터 선택되는 어느 하나의 용액 공정법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 용액공정용 박막 트랜지스터의 제조방법
10 10
유기 절연체층과 금속산화물 반도체층 사이에 형성된 이트륨(Y), 스칸듐(Sc), 세륨(Ce), 사마륨(Sm) 및 가돌리늄(Gd)으로부터 선택되는 희토류 원소로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물을 포함하는 금속산화물 층간박막을 이용하여 용액공정용 박막 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시키는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 LCD backplane용 고성능 절연 소재 기술 개발
2 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 인쇄공정기반 화학소재 원천기술 개발