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고내열 폴리이미드 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 조성물및이를이용한박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015000830
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규 고내열 폴리이미드계 고분자 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로 구체적으로 상기 고분자 화합물은 우수한 절연특성 및 내열성을 가질 뿐만 아니라, 저온용액공정이 가능하여 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물은 박막 트랜지스터의 유기절연막을 제조하는 데 유용하게 쓰일 수 있으며, 특히 높은 공정 온도를 요구하는 산화물 박막 트랜지스터의 유기절연막으로 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C08G 73/10 (2006.01) C08L 79/08 (2006.01) H01B 3/30 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130032348 (2013.03.26)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1446712-0000 (2014.09.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141007) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장광석 대한민국 충북 청주시 상당구
2 가재원 대한민국 서울 관악구
3 이미혜 대한민국 대전 유성구
4 김윤호 대한민국 대전광역시 유성구
5 김진수 대한민국 대전 유성구
6 위두영 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0261938-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0103660-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0385633-87
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0611449-26
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0611450-73
7 등록결정서
Decision to grant
2014.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0629189-62
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드계 고분자 화합물을 포함하는 유기절연체 형성용 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,Ar은 이고,n은 10 - 3000의 정수이다
2 2
제1항에 있어서,상기 폴리이이미드계 고분자 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물:[화학식 2]상기 화학식 2 에 있어서,n은 10 - 3000의 정수이다
3 3
제1항에 있어서, 상기 폴리이미드계 고분자 화합물은 부티로락톤, N-디메틸포르마이드(N-Dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone), 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide) 및 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide) 중 선택되는 용매, 또는 이들의 혼합용매에 대해 용해특성이 있는 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물
4 4
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3의 단량체 화합물과, 하기 화학식 4의 단량체 화합물을 중합용매 존재 하에 가열하여 중축합반응시키는 단계;를 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물:[화학식 3][화학식 4]
5 5
제4항에 있어서, 상기 화학식 3의 단량체 화합물과 화학식 4의 단량체 화합물의 조성은 몰비로 0
6 6
제4항에 있어서,상기 중합용매는 메타크레졸, N-디메틸포르마이드(N-Dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone), 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide) 및 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide)로부터 선택되는 어느 하나의 용매이고, 가열온도는 0 - 160 ℃으로 제조하는 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물
7 7
삭제
8 8
기판, 게이트 전극, 유기절연막, 유기 반도체 또는 금속산화물 반도체, 소스 전극 및 드레인 전극을 순차적으로 포함하고, 상기 유기절연막은 제1항의 유기절연체 형성용 조성물로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
9 9
제8항에 있어서,상기 유기절연막은 두께가 100 - 500 nm 범위인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
10 10
제8항에 있어서,상기 유기반도체는 펜타센, 금속 프탈로시아닌, 금속 포르피린, 폴리티오펜, 페닐렌비닐렌, C60, 페닐렌테트라카르복실산2무수물(phenylenetetracarboxylic dianydride), 나프탈렌테트라카르복실산2무수물(naphthalenetetracarboxylic dianydride), 플루오르화 프탈로시아닌 (fluorophthalocyanine) 또는 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고,상기 금속산화물 반도체는 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 구리 산화물, 카드뮴 산화물, 마그네슘 산화물 및 망간 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 협동연구사업 LCD backplane용 고성능 절연 소재 기술 개발
2 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 인쇄공정기반 화학소재 원천기술 개발