요약 | 본 발명은 신규 고내열 폴리이미드계 고분자 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로 구체적으로 상기 고분자 화합물은 우수한 절연특성 및 내열성을 가질 뿐만 아니라, 저온용액공정이 가능하여 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물은 박막 트랜지스터의 유기절연막을 제조하는 데 유용하게 쓰일 수 있으며, 특히 높은 공정 온도를 요구하는 산화물 박막 트랜지스터의 유기절연막으로 유용하게 사용될 수 있다. |
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Int. CL | C08G 73/10 (2006.01) C08L 79/08 (2006.01) H01B 3/30 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) |
CPC | C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) C08G 73/10(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130032348 (2013.03.26) |
출원인 | 한국화학연구원 |
등록번호/일자 | 10-1446712-0000 (2014.09.25) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20141007) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.03.26) |
심사청구항수 | 9 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 장광석 | 대한민국 | 충북 청주시 상당구 |
2 | 가재원 | 대한민국 | 서울 관악구 |
3 | 이미혜 | 대한민국 | 대전 유성구 |
4 | 김윤호 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 김진수 | 대한민국 | 대전 유성구 |
6 | 위두영 | 대한민국 | 광주 광산구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이원희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국화학연구원 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.03.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0261938-41 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.11.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0103660-46 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.06.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0385633-87 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0611449-26 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.06.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0611450-73 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.09.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0629189-62 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 폴리이미드계 고분자 화합물을 포함하는 유기절연체 형성용 조성물:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,Ar은 이고,n은 10 - 3000의 정수이다 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 폴리이이미드계 고분자 화합물은 하기 화학식 2로 표시되는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물:[화학식 2]상기 화학식 2 에 있어서,n은 10 - 3000의 정수이다 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 폴리이미드계 고분자 화합물은 부티로락톤, N-디메틸포르마이드(N-Dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone), 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide) 및 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide) 중 선택되는 용매, 또는 이들의 혼합용매에 대해 용해특성이 있는 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물 |
4 |
4 제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 3의 단량체 화합물과, 하기 화학식 4의 단량체 화합물을 중합용매 존재 하에 가열하여 중축합반응시키는 단계;를 포함하여 제조하는 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물:[화학식 3][화학식 4] |
5 |
5 제4항에 있어서, 상기 화학식 3의 단량체 화합물과 화학식 4의 단량체 화합물의 조성은 몰비로 0 |
6 |
6 제4항에 있어서,상기 중합용매는 메타크레졸, N-디메틸포르마이드(N-Dimethylformamide), N-메틸피롤리돈(N-Methyl-2-pyrrolidone), 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide) 및 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide)로부터 선택되는 어느 하나의 용매이고, 가열온도는 0 - 160 ℃으로 제조하는 것을 특징으로 하는 유기절연체 형성용 조성물 |
7 |
7 삭제 |
8 |
8 기판, 게이트 전극, 유기절연막, 유기 반도체 또는 금속산화물 반도체, 소스 전극 및 드레인 전극을 순차적으로 포함하고, 상기 유기절연막은 제1항의 유기절연체 형성용 조성물로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
9 |
9 제8항에 있어서,상기 유기절연막은 두께가 100 - 500 nm 범위인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
10 |
10 제8항에 있어서,상기 유기반도체는 펜타센, 금속 프탈로시아닌, 금속 포르피린, 폴리티오펜, 페닐렌비닐렌, C60, 페닐렌테트라카르복실산2무수물(phenylenetetracarboxylic dianydride), 나프탈렌테트라카르복실산2무수물(naphthalenetetracarboxylic dianydride), 플루오르화 프탈로시아닌 (fluorophthalocyanine) 또는 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고,상기 금속산화물 반도체는 아연 산화물, 주석 산화물, 인듐 산화물, 갈륨 산화물, 구리 산화물, 카드뮴 산화물, 마그네슘 산화물 및 망간 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 산업기술연구회 | 한국화학연구원 | 협동연구사업 | LCD backplane용 고성능 절연 소재 기술 개발 |
2 | 산업기술연구회 | 한국화학연구원 | 기관고유사업 | 인쇄공정기반 화학소재 원천기술 개발 |
공개전문 정보가 없습니다 |
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특허 등록번호 | 10-1446712-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130326 출원 번호 : 1020130032348 공고 연월일 : 20141007 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140916 청구범위의 항수 : 9 유별 : C08G 73/10 발명의 명칭 : 고내열 폴리이미드 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 조성물 및 이를 이용한 박막트랜지스터 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한국화학연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 198,000 원 | 2014년 09월 26일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 166,600 원 | 2017년 08월 28일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 119,000 원 | 2018년 06월 27일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 119,000 원 | 2019년 07월 11일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.03.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0261938-41 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.11.07 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2013.12.17 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0103660-46 |
4 | 의견제출통지서 | 2014.06.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0385633-87 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.06.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0611449-26 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.06.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0611450-73 |
7 | 등록결정서 | 2014.09.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0629189-62 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149265-52 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.09.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5149242-13 |
기술번호 | KST2015000830 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한국화학연구원 |
기술명 | 고내열 폴리이미드 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 조성물및이를이용한박막트랜지스터 |
기술개요 |
본 발명은 신규 고내열 폴리이미드계 고분자 화합물, 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터에 관한 것으로 구체적으로 상기 고분자 화합물은 우수한 절연특성 및 내열성을 가질 뿐만 아니라, 저온용액공정이 가능하여 이를 포함하는 유기절연체 형성용 조성물은 박막 트랜지스터의 유기절연막을 제조하는 데 유용하게 쓰일 수 있으며, 특히 높은 공정 온도를 요구하는 산화물 박막 트랜지스터의 유기절연막으로 유용하게 사용될 수 있다. |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 디스플레이 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415100945 |
---|---|
세부과제번호 | B551179-09-06-00 |
연구과제명 | LCD백플레인용신소재및용액공정기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200907~201407 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415127035 |
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세부과제번호 | KK-1202-C0 |
연구과제명 | 인쇄공정기반 화학소재 원천기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 201201~201412 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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