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조절된 갯수의 술폰산기가 치환된 폴리페닐술폰 구조를 포함하는 이온전도성 고분자 및 이의 용도

  • 기술번호 : KST2015000952
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 친수성 블록 및 소수성 블록을 포함하는 블록공중합체를 포함하는 이온전도성 고분자에 있어서, 상기 친수성 블록은 술폰산기를 포함하는 폴리페닐술폰(sulfonated poly(phenyl sulfone))구조를 포함하고, 상기 소수성 블록은 증가된 수의 에테르 결합으로 연결된 벤젠고리를 포함하는 것이 특징인 이온전도성 고분자; 상기 소수성 블록과 양 말단에 캡핑 단위를 포함 또는 불포함하는 친수성 블록이 연결된 반복단위를 포함하는 블록 공중합체; 상기 블록 공중합체의 제조방법; 상기 이온전도성 고분자 또는 블록 공중합체를 포함하는 이온전도체; 상기 이온전도성 고분자 또는 블록 공중합체를 포함하는 수지 조성물로부터 성형된 전해질막 또는 분리막을 구비한 전지에 관한 것이다.본 발명의 이온전도성 고분자는 에테르 결합으로 연결된 벤젠고리를 포함하는 소수성 블록을 포함함으로써 유연성을 부여하되 술폰산기를 포함하는 폴리페닐술폰 구조를 포함하는 친수성 블록을 포함함으로써 강도 및 치수안정성을 유지할 수 있는 블록 공중합체로써, 상기 이온전도성 고분자는 용해도 및 이를 포함하는 막 제조시 유연성이 향상되는 한편 일반적으로 에테르 결합의 비율을 증가로 인해 유발될 수 있는 물흡수율 또는 치수안정성의 악화 및 화학적 내구성 감소와 같은 역효과는 나타나지 않는 우수한 물리적 특성을 가지면서 막 성형이 용이한 고분자 막을 제공할 수 있다. 또한 우수한 이온교환능을 나타내므로, 이를 이용하여 향상된 전도도와 우수한 물리적 특성을 나타내면서 우수한 화학적 안정성을 갖는 고분자 연료전지용 전해질 막을 제공할 수 있다.
Int. CL C08G 65/00 (2006.01) C08G 75/20 (2016.01) C08G 81/00 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC C08G 75/20(2013.01) C08G 75/20(2013.01) C08G 75/20(2013.01) C08G 75/20(2013.01) C08G 75/20(2013.01) C08G 75/20(2013.01) C08G 75/20(2013.01) C08G 75/20(2013.01)
출원번호/일자 1020130053417 (2013.05.10)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1605049-0000 (2016.03.15)
공개번호/일자 10-2014-0133748 (2014.11.20) 문서열기
공고번호/일자 (20160322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.04.28)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태호 대한민국 대전광역시 유성구
2 홍영택 대한민국 대전 유성구
3 이장용 대한민국 대전 동구
4 유덕만 대한민국 경기 안산시 단원구
5 정명수 대한민국 대전 대덕구
6 김석제 대한민국 대전 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0416316-54
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0404328-11
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2014-0081394-24
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0599106-80
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.11.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1063372-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-1063371-78
8 등록결정서
Decision to grant
2016.03.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0159247-45
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
친수성 블록 및 소수성 블록을 포함하는 블록공중합체를 포함하는 이온전도성 고분자에 있어서,상기 친수성 블록은 술폰산기를 포함하는 폴리페닐술폰(sulfonated poly(phenyl sulfone))구조를 포함하고,상기 소수성 블록은 하기 화학식 1로 표시되는 것이 특징인 이온전도성 고분자:[화학식 1]상기 화학식 1에서,A'은 전자끌게기로서 -(SO2)-, -(C=O)-, -CF2-, -C(CF3)2- 또는 -(P=O)-,p는 1 또는 2,q는 1 내지 34684의 정수이다
2 2
제1항에 있어서,상기 친수성 블록은 하기 화학식 2 내지 4로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 이온전도성 고분자:[화학식 2][화학식 3][화학식 4]상기 화학식 2 내지 4에서,a 및 b는 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수,M은 양이온으로서, H+, Li+, Na+, 또는 K+,A는 전자끌게기로서 -(SO2)-, -(C=O)-, -CF2-, -C(CF3)2- 또는 -(P=O)-,l은 0 내지 2의 정수,m은 1 내지 24727의 정수이다
3 3
제1항에 있어서,상기 친수성 블록 또는 소수성 블록은 각각 독립적으로 양 말단에 반응성 작용기로 히드록시기 또는 할로겐을 포함하고 페닐기가 직접 또는 간접적으로 연결된 분자인, 캡핑 단위 E 및 E'을 추가로 포함하는 것이 특징인 이온전도성 고분자
4 4
제3항에 있어서,상기 캡핑 단위 E 및 E'은 각각 독립적으로 , , , , , , 및 로 구성된 군으로부터 선택되는 것이며, 상기 X는 단일결합, -CF2- 또는 -C(CF3)2-인 이온전도성 고분자
5 5
하기 화학식 5 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 반복단위를 포함하는 친수성 블록 및 소수성 블록을 포함하는 블록 공중합체:[화학식 5][화학식 6][화학식 7]상기 화학식 5 내지 7에서,a, b, A, A', M, l, m, p 및 q는 각각 제1항 또는 제2항에 정의된 바와 같으며, E 및 E'은 각각 독립적으로 단일결합 또는 캡핑 단위로서 제4항에 정의된 바와 같고,z는 1 내지 12487의 정수이며,E 또는 E'이 캡핑 단위인 경우 말단의 히드록시기 또는 플루오르기를 통해 소수성 단위 중합체에 연결된 것인 블록 공중합체
6 6
제5항에 있어서,상기 캡핑 단위 E 및 E'은 각각 독립적으로 1,4-디히드록시벤젠, 4,4'-바이페놀, 퍼플루오로벤젠, 데카플루오로바이페닐, 디플루오로비스퍼플루오로페닐메탄, 6,6'-(퍼플루오로프로판-2,2-디일)비스(1,2,3,4,5-펜타플루오로벤젠) 및 이들의 조합으로부터 선택되는 화합물로부터 유래되는 것인 블록 공중합체
7 7
제5항에 있어서,상기 친수성 블록은 하기 화학식 8로 표시되는 술폰산기를 포함하는 단량체와 화학식 9 또는 10으로 표시되는 설파이드기를 포함하는 단량체로부터 제조되는 것인 블록 공중합체:[화학식 8][화학식 9][화학식 10]상기 a, b 및 A는 각각 제2항에 정의된 바와 같으며, X는 히드록시기 또는 할로겐이며, l은 1 또는 2이다
8 8
제5항에 있어서,상기 소수성 블록은 화학식 11 및 12로 표시되는 단량체들로부터 제조되는 것인 블록 공중합체:[화학식 11][화학식 12]상기 A' 및 p는 제1항에 정의된 바와 같으며, X는 할로겐이다
9 9
제5항에 있어서,a 및 b는 1,M은 H+, Na+ 또는 K+,A는 -(SO2)-,l은 0 내지 2의 정수,p는 1 또는 2,E는 이고 상기 X는 단일결합이며, E'은 단일결합인 블록 공중합체
10 10
제5항에 있어서,상기 블록 공중합체는 10,000 내지 1,000,000의 수평균 분자량(number-average molecular weight; Mn) 또는 10,000 내지 10,000,000의 중량평균 분자량(weight-average molecular weight; Mw)을 갖는 것인 블록 공중합체
11 11
제5항에 기재된 블록 공중합체의 제조방법으로서,설파이드기를 포함하는 하기 화학식 13 내지 15 중 어느 하나의 화학식으로 표시되는 친수성 단위 중합체의 전구체를 준비하는 단계;하기 화학식 1로 표시되는 소수성 단위 중합체를 준비하는 단계;상기 친수성 단위 중합체의 전구체와 소수성 단위 중합체를 혼합하여 축합반응에 의해 블록 공중합체를 형성하는 단계; 및상기 친수성 단위 중합체의 전구체의 설파이드기를 술폰기로 산화시키는 단계를 포함하는 블록 공중합체의 제조방법:[화학식 1][화학식 13][화학식 14][화학식 15]상기 화학식 1 및 화학식 13 내지 15에서,a, b, A, A', M, l, m, p 및 q는 각각 제5항에 정의된 바와 같다
12 12
제11항에 있어서,축합반응 이전에 상기 친수성 단위 중합체의 전구체에 캡핑 단위 E를 결합시키는 단계 또는 소수성 단위 중합체에 캡핑 단위 E'을 결합시키는 단계를 추가로 포함하는 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 캡핑 단위 E 및 E'은 각각 독립적으로 1,4-디히드록시벤젠, 4,4'-바이페놀, 퍼플루오로벤젠, 데카플루오로바이페닐, 디플루오로비스퍼플루오로페닐메탄, 및 6,6'-(퍼플루오로프로판-2,2-디일)비스(1,2,3,4,5-펜타플루오로벤젠)으로 구성된 군으로부터 선택되는 캡핑제와 반응시켜 수행되는 것인 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 캡핑제와의 반응은 1종의 캡핑제와 단회 수행되거나, 2종 이상의 캡핑제와 2회 이상의 반응을 통해 수행되는 것인 제조방법
15 15
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 이온전도성 고분자 또는 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 블록 공중합체를 포함하는 이온전도체
16 16
제15항에 있어서,이온전도성 고분자 또는 블록 공중합체를 포함하는 수지 조성물로 형성된 성형체인 것이 특징인 이온전도체
17 17
제16항에 있어서,상기 성형체는 전해질막, 분리막 또는 수처리막인 것인 이온전도체
18 18
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 이온전도성 고분자 또는 제5항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 블록 공중합체를 포함하는 수지 조성물로부터 성형된 전해질막 또는 분리막을 구비한 전지
19 19
제18항에 있어서,양성자 교환막 연료전지, 직접 메탄올 연료전지 또는 산화환원 흐름 전지인 것인 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 고효율 고내구성 연료전지 핵심 화학 소재 및 기반기술 개발
2 지식경제부 한국화학연구원 지식경제기술혁신사업 (RCMS)연료전지용 탄화수소계 강화복합막 개발(3차)