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박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법

  • 기술번호 : KST2015001320
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법은 박막 형성을 위하여 희생층을 형성하는 1단계; 상기 희생층 상부에 금속 산화물 나노 입자와 금속 전구체가 분산되어 있는 제1 용액과, 균일한 크기를 갖는 구형의 고분자 유기입자 또는 무기입자로 이루어지는 템플릿 입자를 포함하는 제2 용액을 첨가하여, 상기 템플릿 입자 사이의 공극에 상기 제1 용액이 충전된 형태의 구조체를 형성하는 2단계; 및 상기 템플릿 입자를 제거하여 역오팔(inverse opal) 구조를 갖는 박막을 제조하는 3단계를 포함한다.
Int. CL G02B 5/00 (2006.01) B01J 19/06 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01) B82B 3/0095(2013.01)
출원번호/일자 1020120155780 (2012.12.28)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1401394-0000 (2014.05.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김선민 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-1087883-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0012839-44
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0145913-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0393222-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0393270-03
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0345786-26
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
박막 형성을 위하여 희생층을 형성하는 1단계;상기 희생층 상부에 금속 산화물 나노 입자, 가수분해 반응을 통해 상기 금속 산화물을 생성하는 금속 전구체, 및 아세틸아세토네이트(acetyl acetonate)가 분산되어 있는 제1 용액과, 균일한 크기를 갖는 구형의 고분자 유기입자 또는 무기입자로 이루어지는 템플릿 입자를 포함하는 제2 용액을 첨가하여, 상기 템플릿 입자 사이의 공극에 상기 제1 용액이 충전된 형태의 구조체를 형성하는 2단계; 및상기 템플릿 입자를 제거하여 역오팔(inverse opal) 구조를 갖는 박막을 제조하는 3단계; 및상기 희생층을 제거하는 4단계를 포함하는 박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 템플릿 입자는 폴리스티렌(polystylene), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA, polymethylmethacrylate) 또는 실리카인 박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 2단계의 상기 제1 용액은 산화아연 나노입자, 이산화티타늄 나노입자, 이산화주석 나노 입자, 실리카 나노 입자 및 알루미나 나노입자로 구성되는 군에서 선택되는 나노 입자 및 이의 전구체 물질을 포함하는 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 3단계는 증발법(evaporation method)을 이용하여 박막을 형성하고, 상기 템플릿 입자를 가열 소성하거나 선택적으로 식각하여 제거함으로써 역오팔 구조를 생성시키는 박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법
7 7
청구항 1, 청구항 3, 청구항 4 및 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,상기 단계들을 반복 수행하여 박막의 두께를 높이는 박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법
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청구항 1, 청구항 3, 청구항 4 및 청구항 6 중 어느 한 항에 따른 박막형 금속 산화물 역오팔 구조 제조방법에 따라 제조되는 것으로, 금속 산화물 역오팔 구조를 갖는 박막
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 전자부품연구원 산학연공동기술개발사업 LED 광원과 산화물 나노그물을 융합한 고효율 유해물질 제거 시스템 기술 개발