| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층이 적층되어 형성되는 반도체 적층구조;상기 p형 반도체층 및 n형 반도체층에 각각 접속되는 p형 전극 및 n형 전극;상기 p형 전극 및 n형 전극 상에 제공되고, 유기물질로 이루어진 연성의 유기절연체층을 포함하는 층간 절연층; 및상기 p형 전극 및 n형 전극에 각각 전기적으로 연결되도록 제공되는 p형 및 n형 본딩 메탈을 포함하고,상기 층간 절연층은 무기절연체층을 더 포함하여 상기 유기절연체층 및 무기절연체층의 적층구조로 형성되며,상기 무기절연체층의 두께는 상기 유기절연체층의 두께보다 얇은 발광다이오드
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 p형 전극은 반사면을 형성하는 반사전극인 발광다이오드
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 유기물질은 폴리이미드(Polyimide), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리아미드(Polyamide), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethyleneterephthalate), PVP(Poly-4-vinylphenol), PES(Polyethersulfone) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 발광다이오드
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 무기절연체층은 이산화규소(SiO2), 이산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 발광다이오드
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
청구항 1 내지 청구항 3, 및 청구항 5 중 어느 한 항의 발광다이오드가 서브마운트에 플립칩 본딩으로 접합되는 발광다이오드 패키지
|
| 8 |
8
기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 적층하여 반도체 적층구조를 형성하는 단계;상기 n형 반도체층의 일부가 노출되도록 상기 활성층 및 p형 반도체층을 부분적으로 식각하는 단계;상기 p형 반도체층 및 노출된 n형 반도체층 상에 각각 p형 전극 및 n형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극 및 n형 전극 상에 제공되고, 유기물질로 이루어진 연성의 유기절연체층을 포함하는 층간 절연층을 형성하는 단계;상기 p형 전극 및 n형 전극의 일부가 각각 노출되도록 상기 층간 절연층에 비아홀을 형성하는 단계; 및상기 p형 전극 및 n형 전극의 노출면에 각각 전기적으로 연결되도록 p형 및 n형 본딩 메탈을 형성하는 단계를 포함하고,상기 층간 절연층은 무기절연체층을 더 포함하여 상기 유기절연체층 및 무기절연체층의 적층구조로 형성하며,상기 무기절연체층의 두께는 상기 유기절연체층의 두께보다 얇게 형성하는 발광다이오드 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 p형 전극은 반사면을 형성하는 반사전극인 발광다이오드 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 8에 있어서,상기 비아홀을 형성하는 단계는,상기 유기물질이 감광성 물질인 경우에 상기 유기절연체층을 포토리소그래피(Photolithography) 방법으로 패터닝하여 비아홀을 형성하는 발광다이오드 제조방법
|
| 11 |
11
청구항 8에 있어서,상기 비아홀을 형성하는 단계는,상기 유기물질이 비감광성 물질인 경우에 상기 층간 절연층을 식각마스크를 이용해 식각하여 비아홀을 형성하는 발광다이오드 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
청구항 8 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 발광다이오드를 서브마운트에 플립칩 본딩방식으로 접합하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
|
