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반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물이 증착된 기판을 안착시키고, 상기 반응기 내에 BCl3을 포함하는 기체를 공급하여 플라즈마를 형성함으로써, 상기 산화 아연 반도체를 상기 플라즈마로 건식식각하는 것을 특징으로 하는 산화아연 반도체의 건식식각방법
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제 1 항에 있어서, 상기 BCl3을 포함하는 기체가 Cl2을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 산화 아연 반도체의 건식식각방법
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제 1 항에 있어서, 상기 BCl3을 포함하는 기체가 아르곤을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법
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제 1 항에 있어서, 상기 건식식각은 상기 반응기의 압력이 1 mTorr - 1 Torr 인 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 산화 아연 반도체의 건식식각방법
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마가 유도결합 방식, 용량성 결합 방식, 또는 전자공명 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 건식식각방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반응기 둘레에 ICP 코일 안테나를 설치하고, 상기 ICP 코일 안테나에는 10 - 20 MHz의 주파수를 갖는 ICP 전력을 1 - 3000 W로 인가하고, 상기 서셉터에는 10 - 20 MHz의 주파수를 갖는 RF 전력을 1 - 500 W로 인가함으로써, 상기 플라즈마를 유도결합 방식과 용량성 결합 방식이 혼합된 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 반도체의 건식식각방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반응기 둘레에 ICP 코일 안테나를 설치하고, 상기 ICP 코일 안테나에는 10 - 20 MHz의 주파수를 갖는 ICP 전력을 1 - 3000 W로 인가하고, 상기 서셉터에는 10 - 20 MHz의 주파수를 갖는 RF 전력을 1 - 500 W로 인가함으로써, 상기 플라즈마를 유도결합 방식과 용량성 결합 방식이 혼합된 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 산화아연 반도체의 건식식각방법
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