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기능성 패턴의 직접 모사 기술
- 기술번호 : KST2015002534
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 나노금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 관한 것으로서, 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 있어서, 마스터패턴(12a)이 형성된 마스터기판(12)상에 점착방지막(9)을 증착하는 단계; 상면에 점착막(10)이 증착되며 상기 마스터기판(12)의 마스터패턴(12a)을 직접모사하기 위한 기판(13)을 준비하는 단계; 상기 마스터기판(12)의 점착방지막(9)상에 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 도포시키는 단계; 상기 레진(11)이 도포된 상기 마스터기판(12)을 핫플레이트(hot plate)를 사용하여 가열시켜 상기 레진(11)의 솔벤트를 증발시키는 단계; 상기 기판(13)과 마스터기판(12)를 자외선 경화장치(50)내에 장착시키되, 상기 기판(13)의 점착막(10)은 상기 마스터기판(12)상면에 접촉되도록 위치시키고 자외선을 조사하여 상기 마스터기판(12)의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 상기 기판(13)에 직접모사되어 점착되도록 하는 단계; 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 직접모사되어 점착된 기판(13)을 상기 마스터기판(12)과 분리하는 단계; 및 상기 기판(13)상의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진패턴(15)을 식각과정을 통해 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.마스터기판, 경화개시제, 나노금속입자, 레진 |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2011.01) |
| CPC | H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) H01L 21/0274(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020070047238 (2007.05.15) |
| 출원인 | 한국기계연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-0885040-0000 (2009.02.16) |
| 공개번호/일자 | 10-2008-0101048 (2008.11.21) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20090220) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2007.05.15) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국기계연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 최준혁 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 정성운 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 최대근 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 정준호 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 5 | 이응숙 | 대한민국 | 대전 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 공인복 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로**길*-**, 대송빌딩 *층(특허법인 대한(서초분사무소)) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국기계연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2007.05.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0358490-33 |
| 2 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2007.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0378200-89 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.03.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0158066-33 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0369142-52 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.05.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0369141-17 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2008.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0453342-27 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2008.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0751259-01 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2008.10.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0751264-29 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2008.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0606324-50 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069919-31 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069914-14 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 있어서,마스터패턴(12a)이 형성된 마스터기판(12)상에 점착방지막(9)을 증착하는 단계;상면에 점착막(10)이 증착되며 상기 마스터기판(12)의 마스터패턴(12a)을 직접모사하기 위한 기판(13)을 준비하는 단계;상기 마스터기판(12)의 점착방지막(9)상에 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 도포시키는 단계;상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)이 도포된 상기 마스터기판(12)을 핫플레이트(hot plate)를 사용하여 가열시켜 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)의 솔벤트를 증발시키는 단계;상기 기판(13)과 마스터기판(12)를 자외선 경화장치(50)내에 장착시키되, 상기 기판(13)의 점착막(10)은 상기 마스터기판(12)상면에 접촉되도록 위치시키고 자외선을 조사하여 상기 마스터기판(12)의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 상기 기판(13)에 직접모사되어 점착되도록 하는 단계;상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 직접모사되어 점착된 기판(13)을 상기 마스터기판(12)과 분리하는 단계; 및상기 기판(13)상의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진패턴(15)을 식각과정을 통해 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 2 |
2 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 있어서,마스터패턴(12a)이 형성된 마스터기판(12)상에 점착방지막(9)을 증착하는 단계;상면에 점착막(10)이 증착되며 상기 마스터기판(12)의 마스터패턴(12a)을 직접모사하기 위한 기판(13)을 준비하는 단계;상기 마스터기판(12)의 점착방지막(9)상에 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 도포시키는 단계;상기 마스터기판(12)상의 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 블레이드(24)를 이용하여 바코팅하여 상기 마스터 기판(12)의 전면에 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(17)을 균일하게 도포하는 단계;바코팅된 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(17)을 포함한 마스터기판(12)을 핫플레이트(hot plate)를 사용하여 가열시켜 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(17)의 솔벤트를 증발시키는 단계;상기 기판(13)과 마스터기판(12)를 자외선 경화장치(50)내에 장착시키되, 상기 기판(13)의 점착막(10)은 상기 마스터기판(12)상면에 접촉되도록 위치시키고 자외선을 조사하여 상기 마스터기판(12)의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(18)이 상기 기판(13)에 직접모사되어 점착되도록 하는 단계;나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(19)이 직접모사되어 점착된 기판(13)을 상기 마스터기판(12)과 분리하는 단계; 및상기 기판(13)상의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진패턴(16)을 식각과정을 통해 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 3 |
3 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 있어서,마스터기판(12)의 점착방지막(9)상에 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 도포시키는 단계;상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)이 도포된 상기 마스터기판(12)을 핫플레이트(hot plate)를 사용하여 가열시켜 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)의 솔벤트를 증발시키는 단계;점착막(10)이 증착된 기판(13)과 마스터기판(12)를 자외선 경화장치(50)내에 장착시키되, 상기 기판(13)의 점착막(10)은 상기 마스터기판(12)상면에 접촉되도록 가압하여 위치시키고 자외선을 조사하여 상기 마스터기판(12)의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 상기 기판(13)에 직접모사되어 점착되도록 하는 단계;상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 직접모사되어 점착된 기판(13)을 상기 마스터기판(12)과 분리하는 단계; 및상기 기판(13)상의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진패턴(15)을 식각과정을 통해 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 4 |
4 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 있어서,마스터기판(12)의 점착방지막(9)상에 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 도포시키는 단계;상기 마스터기판(12)상의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 블레이드(24)를 이용하여 바코팅하여 상기 마스터 기판(12)의 전면에 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(17)을 균일하게 도포하는 단계;바코팅된 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(17)을 포함한 마스터기판(12)을 핫플레이트(hot plate)를 사용하여 가열시켜 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(17)의 솔벤트를 증발시키는 단계;점착막(10)이 증착된 기판(13)과 마스터기판(12)를 자외선 경화장치(50)내에 장착시키되, 상기 기판(13)의 점착막(10)은 상기 마스터기판(12)상면에 접촉되도록 위치시키고 자외선을 조사하여 상기 마스터기판(12)의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(18)이 상기 기판(13)에 직접모사되어 점착되도록 하는 단계;나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(19)이 직접모사되어 점착된 기판(13)을 상기 마스터기판(12)과 분리하는 단계; 및상기 기판(13)상의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진패턴(16)을 식각과정을 통해 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 5 |
5 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)은 나노금속입자 콜로이드에 자외선 및 열경화 단량체와 경화개시제를 첨가하여 분산시키는 방법을 제작된 것을 특징으로 하며,상기 자외선 및 열경화단량체는 화학식 X-R-Y로 이루어지며, 여기서, R은 탄화수소 사슬로 탄소 수에 상관없는 사슬이고, X 및 Y는 자외선 경화가 가능한 아크릴레이트, 바이닐기, 알릴기 및 에폭시기로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나이며, 금속입자 콜로이드는 금,은,구리 및 탄소나노튜브로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서,상기 경화개시제로는 열경화성(아조컴파운드 또는 페록사이드계열) 또는 자외선 경화제(IRGACURE184 또는 DMPA)를 사용하는 것을 특징으로 하며, 첨가량은 상기 열경화성 경화제나 자외선 경화제 중 하나를 상기 단량체(monomer) 대비 3 내지 5 중량부로 첨가되는 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 7 |
7 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스터기판(12)의 점착방지막(9)은 기상 또는 액상방법으로 증착된 FOTS(Flurooctyl -Trichloro-Silance)자기 조립막인 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 8 |
8 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(13)에 형성된 점착막(10)은 산소플라즈마 또는 피라나처리(H2SO4와 H2O2를 4:1로 혼합)한 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 9 |
9 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판(13)에 형성된 점착막(10)은 접합 증강제를 이용한 점착막처리에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 10 |
10 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 핫플레이트(hot plate)를 사용하여 솔벤트를 증발시키는 단계는 30초 이내로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 11 |
11 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 도포시키는 단계에서 디스펜싱 량은 마스터 패턴크기 및 패턴밀도에 따라 달리하되, 지름이 1마이크로미터 이하의 드롭량을 유지하면서 드롭간격을 조절하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 |
| 12 |
12 제 1 항 내지 제 4 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 자외선 조사단계에서 금속입자로 인한 자외선 산란현상을 보상하기 위해 자외선 조사시간을 금속입자 미포함의 경우에 비해 1 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 과학기술부 | KIMM | 나노메카트로닉스기술개발사업단 | 화학 및 전자장을 이용한 평활가공기술 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0885040-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20070515 출원 번호 : 1020070047238 공고 연월일 : 20090220 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20081128 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 나노금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진과 나노임프린트 방법에 의한 기능성 패턴의 직접 모사 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170217 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 303,000 원 | 2009년 02월 16일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2012년 02월 17일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2013년 01월 03일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2013년 12월 06일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2014년 12월 30일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 556,000 원 | 2015년 12월 08일 | 납입 |
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- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2007.05.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0358490-33 |
| 2 | 서지사항보정서 | 2007.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0378200-89 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2008.03.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0158066-33 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.05.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0369142-52 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.05.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0369141-17 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2008.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0453342-27 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2008.10.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0751259-01 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2008.10.29 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2008-0751264-29 |
| 9 | 등록결정서 | 2008.11.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2008-0606324-50 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069919-31 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.04.08 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5069914-14 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
| 기술번호 | KST2015002534 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국기계연구원 |
| 기술명 | 기능성 패턴의 직접 모사 기술 |
| 기술개요 |
본 발명은 나노금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 관한 것으로서, 금속입자기반 자외선 경화성 콜로이드 레진을 이용한 기능성 패턴의 직접 모사 방법에 있어서, 마스터패턴(12a)이 형성된 마스터기판(12)상에 점착방지막(9)을 증착하는 단계; 상면에 점착막(10)이 증착되며 상기 마스터기판(12)의 마스터패턴(12a)을 직접모사하기 위한 기판(13)을 준비하는 단계; 상기 마스터기판(12)의 점착방지막(9)상에 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(11)을 도포시키는 단계; 상기 레진(11)이 도포된 상기 마스터기판(12)을 핫플레이트(hot plate)를 사용하여 가열시켜 상기 레진(11)의 솔벤트를 증발시키는 단계; 상기 기판(13)과 마스터기판(12)를 자외선 경화장치(50)내에 장착시키되, 상기 기판(13)의 점착막(10)은 상기 마스터기판(12)상면에 접촉되도록 위치시키고 자외선을 조사하여 상기 마스터기판(12)의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 상기 기판(13)에 직접모사되어 점착되도록 하는 단계; 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진(15)이 직접모사되어 점착된 기판(13)을 상기 마스터기판(12)과 분리하는 단계; 및 상기 기판(13)상의 나노금속입자기반 자외선(UV) 경화성 레진패턴(15)을 식각과정을 통해 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.마스터기판, 경화개시제, 나노금속입자, 레진 |
| 개발상태 | 기타 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | - 나노마이크로 전자소자생산 기술 - 나노마이크로 전자소자 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 | 개발기간 (-)년 / 소요비용 (-)억원 |
| 과제고유번호 | 1345098344 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 14-2008-01-001-00 |
| 연구과제명 | 나노임프린트공정기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200804~201203 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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