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제1 수정 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 수정 기판의 일면에 나노 스케일의 미세 패턴을 형성하는 단계;
상기 제1 수정 기판보다 큰 두께를 가지는 제2 수정 기판을 준비하는 단계;
상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판을 세정 및 표면 처리하여 상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판의 표면을 친수화하는 단계;
상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판을 밀착하여 가접합하는 단계; 및
상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판을 어닐링하여 완전 접합하는 단계
를 포함하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 수정 기판은 0
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제2항에 있어서,
상기 제1 수정 기판은 반도체 공정 장비에 장착되어 상기 미세 패턴을 형성하며, 상기 미세 패턴은 2단 이상의 다단 구조를 가지는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제2 수정 기판은 5mm 내지 20mm의 두께를 가지는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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5
제4항에 있어서,
상기 제2 수정 기판을 준비한 다음, 상기 제2 수정 기판 중 상기 제1 수정 기판과의 접합 영역에 양각 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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6
제4항에 있어서,
상기 제2 수정 기판을 준비한 다음, 상기 제2 수정 기판 중 상기 제1 수정 기판과의 접합 영역에 음각 패턴부를 형성하는 단계를 더 포함하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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7
제1항에 있어서,
상기 제1 수정 기판 및 상기 제2 수정 기판은 H2O2, H2SO4 또는 NH4OH를 포함하는 세정액으로 세정되어 그 표면에 Si-OH기를 형성하는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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8
제7항에 있어서,
상기 제1 수정 기판 및 상기 제2 수정 기판의 표면 처리는 산소 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리, 및 자외선 오존 처리 중 어느 하나로 실시되는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 제1 수정 기판 및 상기 제2 수정 기판은 상기 표면 처리 후 탈이온수로 린스 처리되는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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10
제1항에 있어서,
상기 어닐링은 100℃ 내지 1100℃ 조건에서 1시간 내지 3일 동안 실시되는 나노 임프린트용 템플릿의 제조 방법
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11
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되며, 상기 제1 수정 기판과 상기 제2 수정 기판은 계면에서 직접 접합되는 나노 임프린트용 템플릿
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