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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계;상기 코팅된 포토레지스트에 빛을 조사하여 패턴을 제작하는 단계;상기 제작된 패턴을 갖는 기판을 열처리하여 탄소만 남은 3차원 구조체를 형성하는 단계;상기 3차원 마이크로 구조체 및 3차원 마이크로 구조체가 형성되어 있지 아니한 기판 부분에 산화막을 형성시키는 단계;상기 산화막 상에 산화 그래핀 나노 시트를 형성시키는 단계; 및상기 산화 그래핀 나노 시트를 환원시켜 그래핀 채널을 형성하는 단계를 포함하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막의 제작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트는 감광성 고분자이며, 80 내지 100 μm의 두께로 코팅된 것을 특징으로 하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막의 제작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 열처리 단계는,H2 및 Ar을 포함한 성형 가스(forming gas)가 주입되면서 700 내지 900℃ 온도에서 열처리되는 것을 특징으로 하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막의 제작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄소만 남은 3차원 구조체는 기둥 형상의 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막의 제작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화막을 형성시키는 단계는, 원자층 증착법을 이용해 형성되는 것을 특징으로 하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막의 제작 방법
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제 1 항에 있어서,상기 산화 그래핀 나노 시트를 형성시키는 단계는,산화 그래핀 나노 시트가 포함된 용액에 4시간 동안 침지하여 형성시키는 것을 특징으로 하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막의 제작 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제작된 3차원 마이크로 구조체상의 그래핀 막을 준비하는 단계;상기 3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막 상에 0차원 나노 구조체 또는 1차원 나노 구조체를 형성하는 단계를 포함하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막을 포함한 센서의 제작 방법
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제 7 항에 있어서,0차원 나노 구조체는 나노 입자, 양자점, 플러렌을 포함하는 것을 특징으로 하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막을 포함한 센서의 제작 방법
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제 7 항에 있어서,1차원 나노 구조체는 나노와이어 또는 나노 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는,3차원 마이크로 구조체상에 그래핀 막을 포함한 센서의 제작 방법
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제작된 3차원 그래핀 구조체; 및상기 3차원 그래핀 구조체의 산화 그래핀 나노 시트 상에 0차원 나노 구조체 또는 1차원 나노 구조체를 포함하는,3차원 그래핀 구조체를 포함한 센서
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