맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014022022
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이오센서 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법은, 제1기판 밑면에 절연체 게이트를 형성하는 1단계; 반응조를 형성하기 위해 제1기판을 식각하는 2단계; 상기 절연체 게이트의 밑면에 유기반도체 층을 증착하는 3단계; 상기 유기 반도체 층 밑면에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 4단계; 및 기준전극을 제작하여 상기 반응조에 설치하는 5단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 제조방법에 따르면, 일반적인 전계효과 트랜지스터에 비하여 상대적으로 가격이 저렴한 유기반도체를 사용함으로써 생산비용을 줄일 수 있고, 유기반도체를 증착하는 방법을 사용하기 때문에 생산공정이 간단해지는 효과가 있으며, 본 발명의 바이오센서는 유연한 특성을 갖는 유기 반도체를 사용함으로써 이동형 또는 부착형 센서 등에 적용이 가능하고, 여러 개의 바이오센서를 집적한 바이오칩을 제작하기 쉬운 효과가 있다. 바이오센서, 유기 전계효과 트랜지스터, 전계효과 트랜지스터, 미세 유동 채널, 미세 기준 전극
Int. CL B28Y 15/00 (2011.01) G01N 27/00 (2011.01) G01N 33/48 (2011.01) G01N 27/26 (2011.01)
CPC G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01) G01N 27/4145(2013.01)
출원번호/일자 1020080057916 (2008.06.19)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0987105-0000 (2010.10.05)
공개번호/일자 10-2009-0131918 (2009.12.30) 문서열기
공고번호/일자 (20101011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.19)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이내응 대한민국 경기도 과천시
2 김덕진 대한민국 부산광역시 사하구
3 엔구엔 튜이 녹 튜이 베트남 경기도 수원시 장안구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0439960-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0023735-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0281952-82
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0568728-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0568707-64
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0430610-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
제1기판 밑면에 절연체 게이트를 형성하는 1단계; 반응조를 형성하기 위해 제1기판을 식각하는 2단계; 상기 절연체 게이트의 밑면에 유기 반도체 층을 증착하는 3단계; 상기 유기 반도체 층 밑면에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 4단계; 및 제2기판에 기준전극을 제작하여 상기 제1기판과 제2기판을 접합하여 상기 반응조에 설치하는 5단계를 포함하며, 상기 기준전극을 제작하는 단계가, 상기 제2기판에 은을 증착하는 단계 및 상기 은의 표면을 염소화하여 은/염화은 미세기준 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판을 접합하는 단계 전에 제2기판에 미세유동채널벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 미세유동채널벽이 감광성 고분자 또는 실리콘 중합체를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
6 6
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1기판 및 제2기판이 플라스틱 또는 글라스 기판인 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
7 7
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연체 게이트가 SiO2, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, Ta2O5, Al2O3-ZrO2, Al2O3-Ta2O5, SnO2, ZrO2, PbTiO2, WO3, AlN로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 무기물을 재료로 하는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
8 8
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연체 게이트가 유기막과 무기막의 적층구조로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
9 9
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 절연체 게이트가 유기물과 무기물의 나노복합체로 구성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
10 10
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 3단계에서 증착되는 유기 반도체가 n형 올리고머 또는 p형 올리고머인 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 p형 올리고머가, 펜타센(pentacene), 다이메틸 펜타센(Me2-pentacene), 비스-벤조디티오펜(bis-benzodithiophene), 비스-티오펜 다이머(bis-thiophene dimer), 섹시티펜(sexithiphene), 헥실 치환 티오펜 올리고머(hexyl-substituted thiophene oligomers), 믹스트 티오펜-페닐렌 올리고머(mixed thiophene-phenylene oligomers), 안트라디티오펜(anthradithiophene), 루벤(rubene), 및 카퍼 프탈로시아닌(copper phthalocyanine)으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 n형 올리고머가, 폴리(3-헥실티펜)(poly(3-hexylthiphene)), 폴리쿼터티오펜(polyquarterthiophenes), 폴리[9,9-디옥틸플루오렌-코-바이티오펜](poly[9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene]), 9,9-디알킬플루오렌-알트-트리아릴아민(9,9-dialkylfluorene-alt-triarylamine), 카바졸(carbazole), 폴리트릴아릴아민(polytriarylamines) 폴리머 또는 퀴노이메탄 테르티오펜(quinoimethane terthiophene), 퍼플루오로아렌-티오펜 올리고머(perfluoroarene-thiophene oligomers), 나프탈렌 카르보다이이미드(naphthalene carbodiimide) 단량체, 및 플러렌(fullerenes)으로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
13 13
제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 재질이 금, 니켈, 알루미늄, 은 또는 크롬 중에 하나인 것을 특징으로 하는 유기 전계효과 트랜지스터를 적용한 바이오센서 제조방법
14 14
삭제
15 15
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.