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(a) 2~7장의 기판을 스페이서(spacer)가 혼합된 UV 접착제로 합착시켜 갭(gap)을 형성하는 단계; (b) 프리폴리머(pre-polymer) 및 액정(liquid crystal)이 혼합된 액정혼합액을 상기 갭에 주입하는 단계; 및 (c) UV 로 경화 및 냉각판으로 냉각하는 경화 및 냉각하는 단계를 포함하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법으로, 상기 UV의 경화시 UV의 세기는 80~780 uW/cm2인 것을 특징으로 하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 산화 인듐-주석(Indium-Tin Oxide)이 증착된 유리, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌술폰, 폴리이미드, 폴리싸이클릭 올레핀, 폴리아릴레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 또는 폴리에텔에테르케톤인 것을 특징으로 하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 스페이서의 소재는 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)인 것을 특징으로 하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 프리폴리머는 acrylate 계, thiolene 계 또는 expoxy 계인 것을 특징으로 하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 액정은 E7인 것을 특징으로 하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 프리폴리머 및 액정의 질량비율은 50:50~20:80인 것을 특징으로 하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 냉각판을 사용하여 UV 조사하는 동안의 온도를 5~25 ℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 고분자 분산 액정 소자의 제조방법
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