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결정성 배양제를 포함하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015003809
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기 박막트랜지스터(OTFT)의 제조방법에 관한 것이다 보다 구체적으로 본 발명은 유기 반도체 화합물, 용매 및 결정성 배양제를 포함하는 유기 활성층을 제조하는 것이다. 본 발명에 따라 제조된 유기박막 트랜지스터는 결정성 배양제에 의해 유기 활성층(박막)의 모폴로지와 결정성이 최적화되어, 높은 전하이동도를 갖는 유기박막트랜지스터를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 51/40 (2006.01.01) H01L 51/30 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020120055584 (2012.05.24)
출원인 경상대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1367106-0000 (2014.02.19)
공개번호/일자 10-2013-0133107 (2013.12.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권순기 대한민국 경남 진주시
2 강일 대한민국 경상남도 사천시
3 김윤희 대한민국 경남 진주시 석갑로 **, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 경상남도 진주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0417923-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5097137-14
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0544919-35
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0892336-09
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0892364-77
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0103637-23
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0313255-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189075-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189369-94
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.13 수리 (Accepted) 4-1-2017-5148295-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208281-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5055369-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140738-61
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5029557-91
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103872-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기 박막트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,(a) 기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 게이트 전극 상부에 절연층을 형성하는 단계; (c) 상기 절연층 상부에 유기 반도체 화합물, 및 1-클로로나프탈렌, 디아이오도옥탄(diiodooctane), 니트로벤젠 및 1,8-옥탄디티올로부터 선택되는 결정성 배양제를 포함하는 유기 활성층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 활성층 상부에 소오스 전극 및 드레인 전극을 이격 형성하는 단계;를 포함하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
2 2
유기 박막트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서,(a) 기판 상부에 소오스 전극 및 드레인 전극을 이격 형성하는 단계;(b) 상기 소오스 전극 및 드레인 전극 상부에 유기 반도체 화합물, 및 1-클로로나프탈렌, 디아이오도옥탄(diiodooctane), 니트로벤젠 및 1,8-옥탄디티올로부터 선택되는 결정성 배양제를 포함하는 유기 활성층을 형성하는 단계;(c) 상기 유기 활성층 상부에 절연층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 절연층 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 유기 활성층은 유기 반도체 화합물 및 용매를 포함하는 유기 반도체 용액 100중량부에 대하여, 상기 결정성 배양제는 0
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 유기 반도체 화합물은 안트라센, 테트라센, 펜타센, 멜로시아닌, 구리프탈로시아닌, 페리렌, 루브렌, 코로넨, 안트라디티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오텐, 올리고티오펜, 폴리셀레노펜, 폴리이소티아나프텐, 폴리아릴렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리아줄렌, 폴리피렌, 폴리카바졸, 폴리퓨란, 폴리인돌, 폴리피리다진, 폴리아센, 폴리티에닐티아졸, 폴리페닐렌비닐린, 폴리페닐렌, 폴리플루오렌, 폴리디옥틀리플루오렌, 폴리알킬티오펜 또는 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 유기 박막트랜지스터의 제조방법
7 7
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 유기 반도체 용액은 스핀코팅, 다이캐스팅 또는 프린팅 방법으로 도포되는 유기 박막트랜지스터의 제조방법
8 8
제 1항 또는 제 2항의 유기 박막트랜지스터의 제조방법에 의해 제조된 유기 박막트랜지스터
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013176326 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2013176326 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 경상대학교 중견연구자지원사업(핵심연구) 용액 공정에 기반한 고효율의 유기 적층 태양전지의 개발
2 지식경제부 경상대학교 차세대 정보 디스플레이 기술개발사업 EPD용 TFT의 용액공정제작에 필요한 유기반도체 재료 개발 (3단계- 4차년도)
3 지식경제부 경상대학교 산업기술인력양성 OLED재료 기술개발 인력양성사업 (4차년도)