맞춤기술찾기

이전대상기술

전자주게 치환기를 갖는 나프탈렌으로 말단 기능화된새로운 올리고머 반도체 화합물과 이를 이용한유기박막트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015186362
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자주게 치환기를 갖는 나프탈렌으로 말단 기능화된 다핵성 방향족계 유도체를 특징으로 하는 신규한 단분자 유기반도체 화합물 및 이를 이용한 유기박막트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 유기반도체 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 전자주게 치환기를 갖는 나프탈렌으로 말단 기능화된 다핵성 방향족계 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. [화학식 1] 본 발명에 따른 유기반도체 화합물은 전자주게그룹과 나프탈렌의 다핵성 방향족 화합물로 인하여 파이전자의 겹칩이 커지고 분자간 배열이 용이하게 되며, 이러한 화합물을 적용하여 제조되는 유기박막트랜지스터는 다양한 치환체 및 치환체 그룹의 도입에 의한 분자내 혹은 분자간 전하의 이동을 용이하게 할 수 있음은 물론이고, 우수한 결정성 및 강한 파이-스태킹으로 인해 정공 및 전자의 이동도가 유지되면서 우수한 점멸비 특성을 나타내고, 차단누설전류 및 서브쓰레스홀드 슬로프가 매우 낮은 것으로 측정되어 유기박막트랜지스터 소자용 활성층으로 활용할 수 있다. 유기박막트랜지스터, 전자주게 치환 나프탈렌, 전하 이동도, 점멸비
Int. CL C07C 15/52 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 51/30 (2006.01.01)
CPC C07C 15/52(2013.01) C07C 15/52(2013.01)
출원번호/일자 1020070035608 (2007.04.11)
출원인 경상대학교산학협력단
등록번호/일자 10-0901885-0000 (2009.06.02)
공개번호/일자 10-2008-0092127 (2008.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20090609) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080060204;
심사청구여부/일자 Y (2007.04.11)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권순기 대한민국 경남 진주시
2 김윤희 대한민국 경남 진주시
3 박종원 대한민국 경남 진주시
4 박성진 대한민국 경남 고성군
5 김정식 대한민국 경남 진해시
6 박정규 대한민국 경남 진주시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 경상대학교산학협력단 대한민국 경상남도 진주시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0277688-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0012299-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0222840-02
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0457917-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0457930-11
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2008.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0456323-38
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0538124-07
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0875064-79
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0875090-56
11 등록결정서
Decision to grant
2009.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0170032-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5079647-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5097137-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189369-94
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.12.20 수리 (Accepted) 4-1-2016-5189075-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.09.13 수리 (Accepted) 4-1-2017-5148295-43
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5208281-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5055369-44
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2019-5140738-61
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.02.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5029557-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2020-5103872-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 유기반도체 화합물
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 하기 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기반도체 화합물
5 5
제 1 전극; 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 상기 제 1항에 따른 화학식 1의 유기반도체 화합물; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 유기반도체 화합물이 진공 증착법, 스크린 인쇄법, 프린팅법, 스핀코팅법, 딥핑법 또는 잉크분사법을 통하여 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
7 7
기판(11), 게이트 전극(16), 게이트 절연층(12), 유기반도체층(13), 및 소스/드레인 전극(14 및 15)을 포함하여 형성된 유기박막 트랜지스터에 있어서, 상기 유기반도체층이 상기 제 1항에 따른 화학식 1의 유기반도체 화합물로 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터의 구조가 탑-컨택트 또는 바텀-컨택트를 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 게이트 전극(16) 및 소스-드레인 전극(14 및 15)이 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 인듐틴산화물(ITO)로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 유기반도체층(13)이 진공 증착법, 스크린 인쇄법, 프린팅법, 스핀캐스팅법, 스핀코팅법, 딥핑법 또는 잉크분사법을 통하여 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 기판(11)이 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylenenaphthalate:PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylterephthalate:PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate:PC), 폴리비닐알콜(Polyvinylalcohol:PVP), 폴리아크릴레이트(Polyacrylate), 폴리이미드(Polyimide), 폴리노르보넨(Polynorbornene) 및 폴리에테르설폰(Polyethersulfone: PES)로 이루어진 군으로부터 선택된 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100865703 KR 대한민국 FAMILY
2 KR100877177 KR 대한민국 FAMILY
3 KR100901856 KR 대한민국 FAMILY
4 WO2008120839 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.