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ZnO계 제1활성층을 형성하고,상기 제1활성층의 상부 영역 중 소스 전극 및 드레인 전극에 대응하는 복수 영역 상에 금속박막을 형성하며,상기 금속박막 상에 ZnO계 제2활성층을 형성하고,적층된 제1활성층과 금속박막과 제2활성층을 열처리하여 상기 제1활성층과 상기 제2활성층에 상기 금속박막의 금속원자들을 확산시켜 n-타입 박막을 형성하며,상기 n-타입 박막 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속박막은 인듐과 안티몬을 포함한 3족 원소의 금속을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속박막의 두께는 10 내지 50 nm 인 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 열처리는 300℃ 내지 400℃에서 10분 내지 30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ZnO계 제1 및 제2 활성층은 ZnInO, ZnSnO, ZnGaO 로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 박막인 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터의 제조방법
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ZnO계 제1활성층과 금속박막 및 ZnO계 제2활성층을 적층구조로 순차 형성하고, 열확산법을 이용하여 상기 제1 및 제2활성층에 상기 금속박막의 금속원자들을 확산시켜 형성한 n-타입 박막; 및상기 n-타입 박막 상에 형성된 드레인 전극 및 소스 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산 소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터
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제6항에 있어서,상기 금속박막은 인듐과 안티몬을 포함한 3족 원소의 금속을 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터
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제6항에 있어서, 상기 ZnO계 제1 및 제2 활성층은 ZnInO, ZnSnO, ZnGaO 로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 박막인 것을 특징으로 하는 금속박막을 확산소스로 이용하는 투명 박막트랜지스터
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