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기재를 실리콘 소스 및 반응가스를 이용하여 각각 교대로 플라즈마 처리하는 것; 및,상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스가 상기 기재의 표면에서 반응하여 상기 기재 상에 무기박막을 형성하는 것을 포함하는, 무기박막의 제조방법으로서,상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 수행되는 것이고,상기 기재를 상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스를 이용하여 각각 교대로 플라즈마 처리하는 것은 1 회 이상 반복 수행되는 것인,무기박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 소스는 실리콘 전구체 및 불활성 기체를 포함하는 것인, 무기박막의 제조방법
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제 3 항에 있어서,상기 불활성 기체는 Ar, He, Ne, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 무기박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 반응가스는 N, H, O2, N2O, NH3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 무기박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기재를 400℃ 이하의 온도에서 가열하는 것을 추가 포함하는, 무기박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기박막의 두께는 300 Å 내지 2,000 Å인 것인, 무기박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 무기박막을 형성하는 것은 화학기상증착 방법 또는 원자층증착 방법을 이용하여 수행되는 것인, 무기박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 동시에 또는 교번하여 수행되는 것인, 무기박막의 제조방법
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기재가 로딩되는 기재 로딩부;상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번하며 이동시키는 기재 수송부;상기 기재 수송부의 하단에 구비되어 상기 기재를 가열하는 기재 가열부; 및,상기 기재에 무기박막을 형성하는 무기박막 증착부를 포함하며, 상기 무기박막 증착부는 복수의 소스 플라즈마 모듈 및 복수의 반응 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 소스 플라즈마 모듈 및 상기 반응 플라즈마 모듈을 교번하며 이동하여 상기 기재 상에 무기박막이 증착되는 것인, 무기박막의 제조장치
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제 10 항에 있어서,상기 소스 플라즈마 모듈에서 실리콘 전구체 및 불활성 기체를 포함하는 실리콘 소스를 플라즈마 처리하는, 무기박막의 제조장치
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제 10 항에 있어서,상기 반응 플라즈마 모듈에서 N, H, O2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 반응가스를 플라즈마 처리하는, 무기박막의 제조장치
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