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초간단 다층박막 구조 제조장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015011166
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 무기박막의 제조방법 및 상기 무기박막의 제조장치에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01)
출원번호/일자 1020140097414 (2014.07.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1473464-0000 (2014.12.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.07.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 서상준 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 조성민 대한민국 경기도 군포시 산본로***번길 **, **
3 유지범 대한민국 서울특별시 서초구
4 정호균 대한민국 경기도 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아르케 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0724370-35
2 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0723663-39
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0756318-65
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0063568-50
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0067890-30
7 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.08.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0068108-33
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0602267-59
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1024187-80
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1024188-25
11 등록결정서
Decision to grant
2014.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0843939-63
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기재를 실리콘 소스 및 반응가스를 이용하여 각각 교대로 플라즈마 처리하는 것; 및,상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스가 상기 기재의 표면에서 반응하여 상기 기재 상에 무기박막을 형성하는 것을 포함하는, 무기박막의 제조방법으로서,상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 수행되는 것이고,상기 기재를 상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스를 이용하여 각각 교대로 플라즈마 처리하는 것은 1 회 이상 반복 수행되는 것인,무기박막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 소스는 실리콘 전구체 및 불활성 기체를 포함하는 것인, 무기박막의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 불활성 기체는 Ar, He, Ne, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 무기박막의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 반응가스는 N, H, O2, N2O, NH3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 무기박막의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 기재를 400℃ 이하의 온도에서 가열하는 것을 추가 포함하는, 무기박막의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 무기박막의 두께는 300 Å 내지 2,000 Å인 것인, 무기박막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 무기박막을 형성하는 것은 화학기상증착 방법 또는 원자층증착 방법을 이용하여 수행되는 것인, 무기박막의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 소스 및 상기 반응가스의 플라즈마 처리는 각각 독립된 플라즈마 모듈에서 동시에 또는 교번하여 수행되는 것인, 무기박막의 제조방법
10 10
기재가 로딩되는 기재 로딩부;상기 기재 로딩부에 결합되어 상기 기재를 교번하며 이동시키는 기재 수송부;상기 기재 수송부의 하단에 구비되어 상기 기재를 가열하는 기재 가열부; 및,상기 기재에 무기박막을 형성하는 무기박막 증착부를 포함하며, 상기 무기박막 증착부는 복수의 소스 플라즈마 모듈 및 복수의 반응 플라즈마 모듈을 포함하고,상기 기재 수송부가 상기 소스 플라즈마 모듈 및 상기 반응 플라즈마 모듈을 교번하며 이동하여 상기 기재 상에 무기박막이 증착되는 것인, 무기박막의 제조장치
11 11
제 10 항에 있어서,상기 소스 플라즈마 모듈에서 실리콘 전구체 및 불활성 기체를 포함하는 실리콘 소스를 플라즈마 처리하는, 무기박막의 제조장치
12 12
제 10 항에 있어서,상기 반응 플라즈마 모듈에서 N, H, O2, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 반응가스를 플라즈마 처리하는, 무기박막의 제조장치
지정국 정보가 없습니다
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1 CN105316650 CN 중국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105316650 CN 중국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.