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제 1 실리콘 기판 및 제 2 실리콘 기판을 마련하고;상기 제 1 실리콘 기판 상에 제 1 유전층, 금속촉매층 및 그래핀층을 형성하고;상기 그래핀층 상에 제 2 유전층을 형성하고;상기 제 1 실리콘 기판에 이온을 주입하여 이온 주입층을 형성하고;상기 제 2 유전층 및 상기 제 2 실리콘 기판이 마주하도록 상기 제 1 실리콘 기판 및 상기 제 2 실리콘 기판을 접합시키고; 및상기 제 1 실리콘 기판, 상기 제 1 유전층 및 상기 금속촉매층을 제거하는 것을 포함하며,상기 제 1 실리콘 기판의 제거시 상기 이온 주입층을 경계로 제거하는 것인,그래핀 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 실리콘 기판 상에 제 3 유전층을 형성하는 것을 추가 포함하는 것인, 그래핀 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속촉매층은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 황동(brass), 청동(bronze), 백동 및 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 기판 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 유전층, 상기 제 2 유전층 또는 상기 제 3 유전층은 각각 독립적으로 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, ZrO2, TiO2 및 이들의 조합으로 이루어지는 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 그래핀 기판 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 이온은 수소 이온, 헬륨 이온 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 이온인 것인, 그래핀 기판 제조 방법
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금속 호일 기판 및 실리콘 기판을 마련하고;상기 금속 호일 기판 상에 그래핀층을 형성하고;상기 그래핀층 상에 제 1 유전층을 형성하고;상기 제 1 유전층 및 상기 실리콘 기판이 마주하도록 상기 금속 호일 기판 및 상기 실리콘 기판을 접합시키고; 및상기 금속 호일 기판을 제거하는 것:을 포함하는, 그래핀 기판 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 실리콘 기판 상에 제 2 유전층을 형성하는 것을 추가 포함하는 것인, 그래핀 기판 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속 호일 기판은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Ge, 황동(brass), 청동(bronze), 백동 및 스테인레스 스틸(stainless steel) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 그래핀 기판 제조 방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 제 1 유전층 또는 상기 제 2 유전층은 SiO2, SiNx, SiON, Al2O3, ZrO2, TiO2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 그래핀 기판 제조 방법
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