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원자층증착법을 이용한 갈륨 산화물 나노선을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2015012880
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 원자층증착법을 이용한 갈륨 산화물 나노와이어 형성 방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01) H01L 21/02271(2013.01)
출원번호/일자 1020120063701 (2012.06.14)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1452976-0000 (2014.10.14)
공개번호/일자 10-2013-0140372 (2013.12.24) 문서열기
공고번호/일자 (20141022) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울 영등포구
2 남태욱 대한민국 서울 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0473335-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0024830-25
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0401603-59
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0728836-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0728838-59
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0890330-25
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.01.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0065213-51
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0065216-98
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0133565-82
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2014.03.21 수리 (Accepted) 7-1-2014-0010745-46
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0686179-86
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
TMGa 및 TEGa 중 적어도 하나를 포함하는 갈륨 전구체를 기판에 적용하는 단계; 그리고,상기 갈륨 전구체를 기판에 적용한 후, 물을 포함하는 산소 전구체를 상기 기판에 적용하는 단계를 포함하고,상기 갈륨 전구체를 기판에 적용하는 단계 및 상기 산소 전구체를 상기 기판에 적용하는 단계는 180℃ 내지 400℃의 온도범위에서 수행되고,상기 갈륨 전구체를 상기 기판에 적용하는 단계 및 상기 산소 전구체를 상기 기판에 적용하는 단계에 의하여, 상기 기판상에 갈륨 산화물 나노선을 성장시키는 갈륨산화물 나노선 원자층증착 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 갈륨전구체는 TMGa인 갈륨산화물 나노선 원자층증착 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 원자층증착 방법은 200mTorr 내지 500mTorr의 압력범위에서 수행되는 갈륨산화물 나노선 원자층증착 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 갈륨 전구체 및 상기 산소 전구체는 1초 동안 제공되는 갈륨산화물 나노선 원자층증착 방법
6 6
기판을 챔버 안으로 도입하는 단계;상기 기판을 도입한 후 갈륨 전구체를 상기 챔버 안으로 제공하는 단계;상기 갈륨 전구체를 제공한 후 상기 챔버 안으로 정화 가스를 제공하는 단계;상기 정화 가스를 제공한 후 상기 챔버 안으로 물을 포함하는 산소 전구체를 제공하는 단계; 그리고,상기 산소 전구체를 제공한 후 상기 챔버 안으로 정화 가스를 제공하는 단계를 포함하고,상기 갈륨 전구체는 TMGa 및 TEGa 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 챔버는 180℃ 내지 400℃의 온도범위로 유지되며,상기 기판상에 갈륨산화물 나노선을 성장시키는 것을 특징으로 하는 원자층증착법을 이용한 갈륨산화물 나노선 형성 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 갈륨전구체는 TMGa인 원자층증착법을 이용한 갈륨산화물 나노선 형성 방법
8 8
삭제
9 9
제6항에 있어서,상기 챔버는 200mTorr 내지 500mTorr로 유지되는 갈륨산화물 나노선 원자층증착 방법
10 10
제6항에 있어서, 상기 챔버는 200℃로 유지되는 갈륨산화물 나노선 원자층증착 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원(기본연구) 롤투롤 원자층 증착 공정을 이용한 유연 소자용 고성능 투명 산화막 연구 (2/3)
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 ALD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구 (1/3,3-5 차년도 참여)
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 미래기반기술개발사업(나노분야) 원자층 증착법을 이용한 반도체 나노선 어레이의 특성 향상과 고효율 소자에의 응용 (2/3)
4 지식경제부 연세대학교 산학협력단 산업융합원천기술개발사업 TFT 백플레인을 위한 비진공, 비노광 5㎛급 Cu interconnect 기술개발(1/4)