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기판(10);기판(10)에 일측이 고정된 제1 전극(20);기판(10)에 일측이 고정되고 기판(10) 상에서 상기 제1 전극(20)과 이격된 제2 전극(30);상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 기판에 고정된 부분의 반대편 쪽 자유단(22)(32)에 형성된 탄소나노튜브 배열(40a)(40b); 및 제1 전극(20) 또는 제2 전극(30) 중 적어도 어느 한 전극의 일면에 코팅 처리된 반응물질(50);을 포함하고,반응물질(50)은 감지대상물질과의 화학적 반응으로 수축 또는 팽창될 수 있으며, 반응물질(50)의 수축 또는 팽창에 따라 반응물질(50)이 코팅 처리된 전극이 기계적으로 변위되고 상기 탄소나노튜브 배열 간 접촉 저항이 변화하는 위험물질 감지센서
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제 1 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 간 배치방향이 서로 평행하며 자유단(22)(32)의 위치가 같은 위험물질 감지센서
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제 2 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 마주하는 어느 한 면에 반응물질(50)이 코팅처리 된 위험물질 감지센서
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제 2 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 마주하는 면 모두에 반응물질(50)이 코팅처리 된 위험물질 감지센서
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제 2 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 마주하는 면의 반대편 면 중 어느 한 면에 반응물질(50)이 코팅처리 된 위험물질 감지센서
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제 2 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 마주하는 면의 반대편 면 모두에 반응물질(50)이 코팅처리 된 위험물질 감지센서
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제 2 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 자유단(22)(32)에 형성된 탄소나노튜브 배열(40a)(40b)은 서로 접촉하여 일정 중첩구간을 형성한 위험물질 감지센서
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제 2 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30)의 자유단(22)(32)에 형성된 탄소나노튜브 배열(40a)(40b)은 서로 일정 간극을 두고 이격된 위험물질 감지센서
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제 1 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 간 배치방향이 서로 직교하며 각각의 자유단(22)(32)은 두 전극이 수직으로 만나는 교차점 위치에 존재하는 위험물질 감지센서
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제 9 항에 있어서,서로 직교하는 두 전극(20)(30) 자유단(22)(32)의 탄소나노튜브 배열(40a)(40b)의 배열방향은 수평이며,두 전극(20)(30) 중 수직으로 배치된 전극의 어느 한 일면에 반응물질(50)이 코팅처리 된 위험물질 감지센서
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제 9 항에 있어서,상기 제1 전극(20)과 제2 전극(30) 자유단(22)(32)에 형성된 탄소나노튜브 배열(40a)(40b)은 서로 접촉하여 일정 중첩구간을 형성한 위험물질 감지센서
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제 1 항에 있어서,반응물질(50)은 수소와 반응하는 팔라듐(Pd)인 것을 특징으로 하는 위험물질 감지센서
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제 1 항에 있어서,반응물질(50)은 폴리이미드(Polyimide), 금(Au), 펩티드 중 선택된 어느 하나인 위험물질 감지센서
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(a) 리소그래피를 이용하여 SOI (Silicon-on-insulator) 기판 상부의 소자 제작층에 감광제를 패터닝하고, 기판 하부의 핸들링층에는 알루미늄을 증착한 뒤 리소그래피 후 식각 공정을 통하여 알루미늄 마스크를 형성하는 단계;(b) 심도반응성이온식각 공정을 이용하여 상기 소자 제작층을 식각해 제1 전극과 제2 전극으로 구분되는 전극 구조를 형성하고 알루미늄 마스크가 형성된 핸들링층을 식각하며, 감광제와 알루미늄 마스크 및 기판 중간층(이산화규소)을 습식 식각으로 제거하는 단계; (c) 쉐도우마스크를 정렬하여 상기 소자 제작층 식각을 통해 형성된 상기 제1전극과 제2 전극의 마주하는 일측 단부에 탄소나노튜브의 합성에 이용될 철 촉매를 기상 증착하고, 철 촉매 상에 탄소나노튜브를 합성하는 단계; 및 (d) 쉐도우마스크를 정렬하여 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 어느 한 전극 일면에 반응물질을 증착하는 단계;를 포함하는 위험물질 감지센서 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 합성하는 단계에서 아세틸렌을 전구물질로 이용한 열화학기상증착을 통해 탄소나노튜브를 일괄 배열하는 위험물질 감지센서 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 탄소나노튜브를 합성하는 단계에서 집속이온빔을 이용한 패터닝 후 합성을 통해 단위 탄소나노튜브 간 접촉이 집적된 형태로 합성하는 위험물질 감지센서 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 반응물질은 팔라듐(Pd)이며, 전자빔 증착, 기상 증착(sputter), 도금 중 선택된 어느 하나의 방법을 통해 전극 일면에 증착 처리하는 위험물질 감지센서 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 반응물질은 폴리이미드(Polyimide), 금(Au), 펩티드 중 선택된 어느 하나이고, 기상 증착(sputter), 도금, 액상코팅 중 선택된 어느 하나의 방법을 이용해 전극 일면에 증착 처리하는 위험물질 감지센서 제조방법
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전원공급을 위한 전원부(1);감지대상물질과의 화학적 반응에 의한 반응물질의 수축 또는 팽창에 따라 반응물질(50)이 코팅 처리된 전극이 기계적으로 변위되고 탄소나노튜브 배열(40a)(40b) 간 접촉 면적이 변화하는 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 하나의 항에 기재된 위험물질 감지센서로 이루어진 센싱부(2);센싱부(2)에서 검출된 전류의 크기로부터 계산된 저항 값의 변화를 통해 감도(sensitivity)를 계산하고 미리 입력된 기준 감도와의 비교를 통해 위험물질 감지 여부를 판단하는 연산 처리부(3); 및 연산 처리부(3) 판단 결과 위험물질이 감지된 것으로 판단된 때 사용자 인식 가능하게 표출하는 표출부(4);를 포함하는 실시간 위험물질 경보장치
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