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Ｐｄ 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법

  • 기술번호 : KST2015127565
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Pd 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법이 제공된다.본 발명은, 기판상에 외부전극 패턴을 형성하는 공정; 상기 기판상에 수지층을 도포한 후, 수지층 나노채널 패턴을 형성하는 공정; 상기 나노채널이 형성된 기판상에 스퍼터를 이용하여 Pd를 증착한 후, 상기 수지층을 제거함으로서 Pd 나노와이어를 형성하는 공정; 상기 Pd 나노와이어 형성된 기판상에 수지층을 도포한 후, 상기 외부전극 패턴과 상기 Pd 나노 와이어의 양단부 그리고 상기 외부전극 패턴과 Pd 나노 와이어의 양단부 간의 소정위치 각각의 사이에 수지층 패턴을 형성하는 공정; 및 상기 형성된 수지층 패턴상에 전도성 금속을 증착한 후, 그 수지층 패턴을 제거함으로써 상기 외부전극 패턴과 Pd 나노와이어를 전기적으로 연결하는 공정;을 포함하는 Pd 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법에 관한 것이다.Pd 나노와이어, 수소센서, 스퍼터
Int. CL G01N 27/12 (2011.01) B28Y 15/00 (2011.01) G01N 27/30 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020060135209 (2006.12.27)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0870126-0000 (2008.11.18)
공개번호/일자 10-2008-0060749 (2008.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20081125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 보정승인간주
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이우영 대한민국 서울 마포구
2 전계진 대한민국 경기 수원시 장안구
3 이은송이 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 김영희 대한민국 서울특별시 용산구 효창원로**길 *, 네오국제특허법률사무소 (효창동)
3 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2006-0971201-99
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0070498-21
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0590019-38
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.08.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0055039-45
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2007.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0660275-85
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0520960-49
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0756327-34
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0756339-82
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0138778-64
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0335012-95
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0335009-57
13 등록결정서
Decision to grant		 2008.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0496358-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 외부전극 패턴을 형성하는 공정;상기 기판상에 수지층을 도포한 후, 수지층 나노채널 패턴을 형성하는 공정;상기 나노채널이 형성된 기판상에 스퍼터를 이용하여 Pd를 증착한 후, 상기 수지층을 제거함으로서 Pd 나노와이어를 형성하는 공정;상기 Pd 나노와이어가 형성된 기판상에 수지층을 도포한 후, 상기 외부전극 패턴과 상기 Pd 나노 와이어의 양단부 그리고 상기 외부전극 패턴과 Pd 나노 와이어의 양단부 간의 소정위치 각각의 사이에 수지층 패턴을 형성하는 공정; 및상기 형성된 수지층 패턴상에 전도성 금속을 증착한 후, 그 수지층 패턴을 제거함으로써 상기 외부전극 패턴과 Pd 나노와이어를 전기적으로 연결하는 공정;을 포함하는 Pd 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 전도성 금속은 Au와 Ti중 선택된 1종 이상임을 특징으로 하는 Pd 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 수지층은 PMMA로 이루어진 것임을 특징으로 하는 Pd 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 나노채널은 그 선폭이 100 ㎚ ~ 500 ㎚ 이고 길이가 10 ㎛ ~ 40 ㎛인 것을 특징으로 하는 Pd 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 스퍼터로 증착되는 Pd는 그 두께가 5 ㎚ ~ 400 ㎚ 범위인 것을 특징으로 하는 Pd 나노와이어를 이용한 수소센서 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 10~40,000ppm 사이의 수소농도를 0
7 7
제 1항에 있어서, 상기 기판은 SiO2로 조성됨을 특징으로 하는 Pd 나노와이어 수소센서 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 나아가, 상기 외부전극 패턴과 연결된 Pd 나노와이어를 이온밀링처리함을 특징으로 하는 Pd 나노와이어 수소센서 제조방법
9 9
삭제
10 10
제 1항에 있어서, 상기 Pd를 증착시, Ni, Pt 및 Ag중 선택된 1종의 금속을 함께 증착함으로써 금속합금 나노와이어를 형성함을 특징으로 하는 Pd 나노와이어 수소센서 제조방법
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1 US07875194 US 미국 FAMILY
2 US20100096071 US 미국 FAMILY
3 WO2008078864 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2010096071 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7875194 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2008078864 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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