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태양전지 광흡수층 박막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015013046
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라서 태양전지의 CZTSe(Cu-Zn-Sn-Se)계 광 흡수층 박막을 증착하는 데 사용하기 위한 타겟 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은 (1) Cu, Zn, Sn 및 Se 파우더를 2+α:1+β:1:4의 몰 비로 준비하는 단계와, (2) 상기 Cu, Zn, Sn 및 Se 파우더와 금속 볼을 용기 안에 넣고 교반하여, 기계적인 힘에 의해 CZTSe 물질을 합성하는 단계와, (3) 상기 합성된 CZTSe 물질을 가압 및 소성하여 타겟 형태에 대응하는 형상의 펠릿으로 제조하는 단계와, (4) 상기 제조된 펠릿에 대해 열처리를 하여 최종 CZTSe 단일 타겟을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 최종 CZTSe 단일 타겟은 Cu(2+α)Zn(1+β)SnSe4 (0≤α003c#1, 0≤β≤1. 단, α 및 β 중 적어도 하나는 0보다 크다)의 조성을 갖는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) C23C 14/34 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120050039 (2012.05.11)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1418831-0000 (2014.07.07)
공개번호/일자 10-2013-0126170 (2013.11.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140723) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.11)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용수 대한민국 서울 동작구
2 조연화 대한민국 서울 동대문구
3 연득호 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0376770-07
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0397160-03
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0713038-46
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-1146321-06
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0040697-05
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0148907-08
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0246023-28
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2014.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0047808-88
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2014-0360105-15
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0360109-08
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0463576-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
태양전지의 CZTSe(Cu-Zn-Sn-Se)계 광 흡수층 박막을 증착하는 데 사용하기 위한 타겟 제조 방법으로서, (1) Cu, Zn, Sn 및 Se 파우더를 2+α:1+β:1:4의 몰 비로 준비하는 단계와,(2) 상기 Cu, Zn, Sn 및 Se 파우더와 금속 볼을 용기 안에 넣고 교반하여, 기계적인 힘에 의해 CZTSe 물질을 합성하는 단계와,(3) 상기 합성된 CZTSe 물질을 가압 및 소성하여 타겟 형태에 대응하는 형상의 펠릿으로 제조하는 단계와,(4) 상기 제조된 펠릿에 대해 열처리를 하여 상기 펠릿 중의 Se를 용융시켜, Se가 CZTSe 물질의 입자들 사이를 연결하도록 하여, 최종 CZTSe 단일 타겟을 제조하는 단계를 포함하고, 상기 최종 CZTSe 단일 타겟은 Cu(2+α)Zn(1+β)SnSe4 (0≤α003c#1, 0≤β≤1
2 2
청구항 1에 있어서, α 및 β는 0≤α≤0
3 3
청구항 2에 있어서, α 및 β는 모두 0
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (2)의 단계에서 상기 CZTSe 물질의 합성은 상온 및 상압에서 수행하는 것을 특징으로 하는 타겟 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 (4)의 단계에서, 상기 열처리는 300℃의 온도 및 대기압에서 수행하는 것을 특징으로 하는 타겟 제조 방법
6 6
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (1)의 단계에서 Ge 파우더를 Sn:Ge=1-x:x의 몰 비로 더 추가하여 준비하고, 상기 (2) 내지 (4)의 단계를 통해 CZTGeSe 단일 타겟을 제조하는 것을 더 포함하고, 상기 CZTGeSe 단일 타겟은 Cu(2+α)Zn(1+β)Sn1-xGexSe4(0003c#x003c#1)의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 타겟 제조 방법
7 7
태양전지의 CZTSe(Cu-Zn-Sn-Se)계 광 흡수층 박막을 증착하는 데 사용하기 위한 단일 타겟으로서, 상기 단일 타겟은 Ge를 포함하는 Cu(2+α)Zn(1+β)Sn1-xGexSe4 (0≤α003c#1, 0≤β≤1
8 8
청구항 7에 있어서, α 및 β는 0≤α≤0
9 9
삭제
10 10
유리 기판을 제공하는 단계와,상기 유리 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계와,상기 하부 전극 상에 CZTSe(Cu-Zn-Sn-Se)계 광 흡수층 박막을 형성하는 단계와,상기 광 흡수층 박막 상에 밴드 갭 에너지 차이를 완화시키는 역할을 하는 버퍼층을 형성하는 단계와,상기 버퍼층 상에 상부 전극과 메탈 그리드를 형성하는 단계를 포함하고,상기 CZTSe계 광 흡수층 박막은 Cu(2+α)Zn(1+β)SnSe4 (0≤α003c#1, 0≤β≤1
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
청구항 10에 있어서, α 및 β는 0≤α≤0
14 14
청구항 10에 있어서, 상기 (2)의 단계에서 상기 CZTSe 물질의 합성은 상온 및 상압에서 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 (4)의 단계에서, 상기 열처리는 300℃의 온도 및 대기압에서 수행하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
16 16
청구항 14에 있어서, 상기 (1)의 단계에서 Ge 파우더를 Sn:Ge=1-x:x의 몰 비로 더 추가하여 준비하고, 상기 (2) 내지 (4)의 단계를 통해 CZTGeSe 단일 타겟을 제조하는 것을 더 포함하고, 상기 CZTGeSe 단일 타겟은 Cu(2+α)Zn(1+β)Sn1-xGexSe4(0003c#x003c#1)의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
17 17
청구항 10 및 청구항 13 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 흡수층 박막을 형성한 후, 추가의 Se 펠릿과 함께 열처리를 한 후 다시 H2S/N2 분위기에서 열처리를 하거나 상기 광 흡수층 박막을 형성한 후, H2S/N2 분위기에서 열처리하여, 상기 광 흡수층 박막에 황을 포함시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 황은 상기 열처리 후 상기 광 흡수층 박막의 Se을 치환하여 상기 박막 중에 포함되는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
19 19
기판과,상기 기판 상에 형성된 하부 전극과,상기 하부 전극 상에 형성된 CZTSe(Cu-Zn-Sn-Se)계 광 흡수층 박막과,상기 광 흡수층 박막 상에 형성되어 밴드 갭 에너지 차이를 완화시키는 역할을 하는 버퍼층과,상기 버퍼층 상에 순차적으로 형성된 상부 전극 및 메탈 그리드를 포함하고,상기 CZTSe계 광 흡수층 박막은 Ge를 포함하고, Cu(2+α)Zn(1+β)Sn1-xGexSe4 (0≤α003c#1, 0≤β≤1
20 20
청구항 19에 있어서, 상기 광 흡수층 박막은, Ge를 포함하는 Cu(2+α)Zn(1+β)Sn1-xGexSe4 (0≤α003c#1, 0≤β≤1
21 21
청구항 20에 있어서, α 및 β는 0≤α≤0
22 22
삭제
23 23
청구항 19 내지 청구항 21 중 어느 한 항에 있어서, 상기 광 흡수층 박막은 H2S/N2 분위기에서 열처리되어 황을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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