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(a) 티타늄 전구체 용액을 투명 전도성 기판에 코팅 후, 소결하여 상기 투명 전도성 기판에 나노로드 성장 씨앗층(seed layer)을 형성하는 단계;(b) 고분자가 그래프팅된 이산화티타늄 복합체를 제조하는 단계;(c) 상기 고분자가 그래프팅된 이산화티타늄 복합체를 템플레이트로 하는 열수 반응 용액을 제조하는 단계;(d) 상기 열수 반응 용액에 상기 씨앗층이 형성된 투명 전도성 기판을 침지하여 열수 반응시키는 단계; 및(e) 상기 열수 반응을 거친 투명 전도성 기판을 450-500 ℃에서 소결하는 단계;를 포함하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 열수 반응 용액은 아미노산, 티타늄 전구체 및 산을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 아미노산은 알라닌, 시스테인, 아스파르트산, 글루탐산, 페닐알라닌, 글리신, 히스티딘, 이소루신, 리신, 류신, 메티오닌, 아스파라긴, 프롤린, 글루타민, 아르기닌, 세린, 트레오닌, 셀레노시스테인, 발린, 트립토판, 티로신 및 이들의 2종 이상의 혼합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 열수 반응 용액내의 템플레이트 : 아미노산 : 티타늄 전구체의 중량비가 1 : 1-10 : 1-10인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 산은 염산이고, 템플레이트 100 중량부 기준 100-400 중량부인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 티타늄 전구체는 티타늄-(n)부톡시드, 티타늄-(n)에톡시드, 티타늄-(n)이소프로폭시드, 티타늄-(n) 프로폭시드 및 염화티타늄(TiCl4) 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자는 하이드로에틸 메타크릴레이트, 폴리(에틸렌글리콜) 메틸에테르 (메타)아크릴레이트, 히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 술포프로필 (메타)아크릴레이트, 술포에틸 (메타)아크릴레이트 및 술포부틸 (메타)아크릴레이트 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 고분자가 그래프팅된 이산화티타늄 복합체는 이산화티타늄 : 고분자의 중량비가 1 : 0
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제 1 항에 있어서,상기 (d) 단계의 열수 반응은 100-200 ℃에서, 1-5 시간 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 이산화티타늄 나노로드 박막의 제조방법
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제 1 항에 따른 제조방법에 따라 제조되고, 투명 전도성 기판에 수직으로 배열된 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노로드 박막
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제 10 항에 있어서,상기 이산화티타늄 나노로드 박막은 아나타제-루타일 이종 결정상 구조를 동시에 갖는 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노로드 박막
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제 10 항에 있어서,상기 이산화티타늄 나노로드 직경이 50-80 ㎚이고, 길이가 60-80 ㎛인 것을 특징으로 하는 이산화티타늄 나노로드 박막
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제 10 항에 따른 이산화티타늄 나노로드 박막을 포함하는 염료감응 태양전지용 광전극
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제 13 항에 따른 광전극을 채용한 염료감응 태양전지
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