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(a) 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 기판 상에 복수 종류의 재료에 의해 복수의 희생막 층으로 구성되는 희생막 복합층을 형성하는 단계로서, 상기 희생막 층을 구성하는 각각의 재료는 에칭 속도가 다르고 엣천트(etchant)에 대해 반응성이 다른 물질들로 구성되는 것인, 상기 희생막 복합층 형성 단계와;(c) 상기 희생막 복합층을 패터닝하여, 트렌치 구조를 형성하는 단계;(d) 상기 트렌치 구조 내에 Ge 및 III-V족 화합물 반도체 중 적어도 하나를 성장시켜 활성 채널층을 형성하는 단계;(e) 상기 희생막 복합층의 최상부의 희생막 층을 선택적으로 에칭하여 제거하여, 상기 활성 채널층의 일부를 노출시키는 단계;(f) 상기 노출된 활성 채널층을 둘러싸도록 게이트 유전막과 금속 게이트를 순차적으로 형성하는 단계;(g) 상기 금속 게이트의 특정 영역만 식각하여 소스와 드레인을 형성하는 단계;(h) 상기 소스와 드레인 영역에 n형 및 p형 불순물을 포함한 III-V족 막과 Ge 막을 형성하는 단계를 포함하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 희생막 복합층 중 최하부의 희생막 층은 그 두께가 상기 트렌치 구조의 폭보다 2배 이상이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 기판으로서 Si 기판을 이용하고, 상기 (c) 단계에서 상기 Si 기판이 노출되도록 상기 희생막 복합층을 패터닝하여, 상기 트렌치 구조를 형성하는 것인 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 트렌치 구조 내에 Ge 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 Ge 층은 상기 트렌치 구조 내에서 그 높이와 폭의 비가 2 이상이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 트렌치 구조 내에 III-V족 화합물반도체 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 6에 있어서, 상기 III-V족 화합물 반도체 층은 상기 트렌치 구조 내에서 그 높이와 폭의 비가 2 이상이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 (d) 단계에서 상기 트렌치 구조 내에서 상기 노출된 Si 기판 상에 상기 Ge 층을 형성하고, 그 위에 III-V족 화합물 반도체 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 Ge 층은 상기 트렌치 구조 내에서 그 높이와 폭의 비가 2 이상이 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 Ge 층 위에 Ge 보다 밴드갭 에너지가 낮은 III-V족화합물 반도체를 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 III-V족 화합물 반도체는 InAs인 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 8에 있어서, 상기 Ge 층 위에 복수의 층으로 구성되는 III-V족 화합물 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 12에 있어서, 상기 III-V족 화합물 반도체층은 밴드갭 에너지가 다른 복수의 층으로 구성되고, 그 중 최상부의 III-V족 화합물 반도체층과 상기 Ge 층 사이의 III-V족 화합물 반도체층은 상기 최상부의 III-V족 화합물 반도체층보다 큰 밴드갭 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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청구항 13에 있어서, 상기 최상부의 III-V족 화합물 반도체층은 InGaAs로 구성되고, 상기 Ge 층 바로 위에 형성되는 III-V족 화합물 반도체층은 InP 또는 GaAs로 구성되는 것을 특징으로 하는 3차원 FinFET 소자 제조 방법
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