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나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법
- 기술번호 : KST2015125106
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명의 한 가지 실시예에 따라서, 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법이 제공된다. 상기 방법은 (A) 고분자 박막이 형성된 기판을 제공하는 단계; (B) 상기 박막에 전구체 또는 VI족 나노 입자들을 분산시키는 단계; (C) 상기 기판을 가열하여 상기 나노 입자들을 상기 박막 내에서 나노 와이어 형태로 수평 성장시켜, 화학적으로 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | B82Y 30/00 (2011.01) H01L 29/78 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) |
| CPC | B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) B82B 3/00(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080008867 (2008.01.29) |
| 출원인 | 연세대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1006823-0000 (2011.01.03) |
| 공개번호/일자 | 10-2009-0082973 (2009.08.03) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110112) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.01.29) |
| 심사청구항수 | 24 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정운룡 | 대한민국 | 서울 서대문구 |
| 2 | 고성욱 | 대한민국 | 서울 양천구 |
| 3 | 김성동 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김승욱 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소) |
| 2 | 김영희 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 효창원로**길 *, 네오국제특허법률사무소 (효창동) |
| 3 | 이채형 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소 |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0072934-18 |
| 2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.12.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0521311-86 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.02.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0102319-56 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.02.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0102312-37 |
| 5 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2010.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0279978-65 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.08.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0535915-92 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0535914-46 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.12.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0602716-10 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 삭제 |
| 2 |
2 (A) 고분자 박막이 형성된 기판을 제공하는 단계; (B) 상기 박막에 Te 또는 Se 나노 입자들을 분산시키는 단계; (C) 상기 기판을 가열하여 상기 나노 입자들을 상기 박막 내에서 나노 와이어 형태로 수평 성장시켜, 화학적으로 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 3 |
3 청구항 2에 있어서, 상기 나노 입자는 Se인 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 4 |
4 청구항 3에 있어서, 상기 Se 나노 입자는 상기 (B) 단계에서 a-Se 형태이고, 상기 (C) 단계에서의 가열 중 t-Se으로 변형되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 5 |
5 청구항 4에 있어서, 상기 (C) 단계에서 t-Se 나노 입자들이 상기 고분자 박막 내에서 확산에 의해 나노 와이어로 수평 성장하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 6 |
6 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 박막을 용매를 이용하여 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 7 |
7 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Se 나노 와이어를 Ag, Cd 또는 Pb를 이용하여 Ag2Se, CdSe 또는 PbSe로 화학적으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 8 |
8 청구항 7에 있어서, 상기 화학적으로 변환된 Ag2Se, CdSe 또는 PbSe에 대하여 화학적 치환 과정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 9 |
9 청구항 8에 있어서, 상기 화학적으로 변환된 Ag2Se를 상기 화학적 치환 과정을 통해 Ag2Te으로 변화시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 10 |
10 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (C) 단계에서의 가열은 50~100℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 11 |
11 청구항 10에 있어서, 상기 (C) 단계에서의 가열은 50~70℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 12 |
12 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 박막은 폴리카프로락톤(PCL)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 13 |
13 청구항 2 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (B) 단계에 있어서, 상기 나노 입자들을 용액에 분산시킨 후 상기 고분자 박막에 떨어뜨려, 상기 박막에 분산시키는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 |
| 14 |
14 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용하여, 적어도 두 개의 전극을 포함하는 전자 소자를 제조하는 방법으로서, (a) 고분자 박막이 형성된 기판을 제공하는 단계; (b) 상기 박막에 Te 또는 Se 나노 입자들을 분산시키는 단계; (c) 상기 기판을 가열하여 상기 나노 입자들을 상기 박막 내에서 나노 와이어 형태로 1차원 수평 성장시켜, 화학적으로 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계; (d) 상기 박막을 용매를 이용하여 제거하는 단계; (e) 상기 네트워크 형태로 상호 연결된 나노 와이어 위에 상기 전극을 형성하여, 상기 나노 와이어를 통해 전극들을 전기적으로 상호 접속하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 15 |
15 청구항 14에 있어서, 상기 나노 입자는 Se인 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 16 |
16 청구항 15에 있어서, 상기 Se 나노 입자는 상기 (b) 단계에서 a-Se 형태이고, 상기 (c) 단계에서의 가열 중 t-Se으로 변형되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 17 |
17 청구항 16에 있어서, 상기 (c) 단계에서 t-Se 나노 입자들이 상기 고분자 박막 내에서 확산에 의해 나노 와이어로 수평 성장하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 18 |
18 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 Se 나노 와이어를 Ag, Cd 또는 Pb를 이용하여 Ag2Se, CdSe 또는 PbSe로 화학적으로 변환시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의제조 방법 |
| 19 |
19 청구항 18에 있어서, 상기 화학적으로 변환된 Ag2Se, CdSe 또는 PbSe에 대하여 화학적 치환 과정을 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 20 |
20 청구항 19에 있어서, 상기 화학적으로 변환된 Ag2Se를 상기 화학적 치환 과정을 통해 Ag2Te으로 변화시키는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 21 |
21 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (c) 단계에서의 가열은 50~70℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 22 |
22 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 박막은 폴리카프로락톤(PCL)을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 23 |
23 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 (b) 단계에 있어서, 상기 나노 입자들을 용액에 분산시킨 후 상기 고분자 박막에 떨어뜨려, 상기 박막에 분산시키는 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 24 |
24 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전자 소자는 플렉서블 디스플레이인 것을 특징으로 하는 나노 와이어가 함입된 고분자 박막을 이용한 전자 소자의 제조 방법 |
| 25 |
25 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법으로서, (A) 고분자 박막이 코팅된 기판을 제공하는 단계; (B) Se 또는 Te 나노 입자들이 분산된 용매를 상기 기판 상에 떨어뜨려 상기 고분자 박막 중에 분산시키는 단계; (C) 상기 기판을 가열하여 상기 입자들을 상기 박막 내에서 나노 와이어 형태로 수평 성장시켜, 이들 나노 와이어가 화학적으로 상호 연결된 네트워크를 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상에서 나노 와이어를 성장시키는 방법 |
| 26 |
26 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 정통부 | 연세대학교 산학협력단 | IT신성장동력핵심기술개발 | 나노선 및 나노튜브를 이용한 환경 검지 시스템 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1006823-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080129 출원 번호 : 1020080008867 공고 연월일 : 20110112 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101230 청구범위의 항수 : 24 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 나노 와이어가 함입된 고분자 박막 구조체의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170104 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 490,500 원 | 2011년 01월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2013년 12월 23일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 568,000 원 | 2014년 11월 26일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 397,600 원 | 2016년 01월 05일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.01.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0072934-18 |
| 2 | 의견제출통지서 | 2009.12.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0521311-86 |
| 3 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.02.17 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0102319-56 |
| 4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.02.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0102312-37 |
| 5 | 최후의견제출통지서 | 2010.06.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0279978-65 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.08.20 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2010-0535915-92 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0535914-46 |
| 8 | 등록결정서 | 2010.12.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0602716-10 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071141 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2005 |
| 연구과제명 | 휴먼트로닉스 정보소재 사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 연세대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1415102550 |
|---|---|
| 세부과제번호 | KI001561 |
| 연구과제명 | 나노선/나노튜브를이용한환경검지/경보시스템 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 전자부품연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200603~201002 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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