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기판; 상기 기판의 일면에 형성되며, 상기 기판과 다른 열팽창 계수를 가지는 성장막; 및상기 기판의 일면 및 상기 기판의 일면의 반대측 면인 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리를 따라 형성되며, 상기 성장막과 다른 열팽창 계수를 가지는 이종 물질로 형성된 버퍼층;을 포함하는 화합물 반도체 기판
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청구항 1에 있어서,상기 버퍼층은 상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리를 따라 동일한 폭을 가지도록 형성되거나, 상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리의 제 1 위치에서 상기 제 1 위치와 폭 방향으로 마주보는 제 2 위치로 갈수록 상기 버퍼층의 폭이 점차 커지다가 좁아지고, 상기 제 2 위치에서 상기 제 1 위치로 갈수록 상기 버퍼층의 폭이 점차 커지다가 좁아지도록 형성된 화합물 반도체 기판
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청구항 2에 있어서,상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리를 따라 형성되며, 상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나로부터 내측으로 마련된 홈(groove)을 포함하고, 상기 홈을 채우도록 버퍼층이 형성된 화합물 반도체 기판
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청구항 3에 있어서,상기 버퍼층은 상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나로부터 외측으로 돌출되도록 형성된 화합물 반도체 기판
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청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,상기 기판의 일면의 가장자리를 따라 형성된 버퍼층은 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 큰 물질로 형성되고, 상기 기판의 열팽창 계수가 상기 성장막에 비해 크거나,상기 기판의 일면의 가장자리를 따라 형성된 버퍼층은 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 작은 물질로 형성되며, 상기 기판의 열팽창 계수가 상기 성장막에 비해 작은 화합물 반도체 기판
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청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,상기 기판의 이면의 가장자리를 따라 형성된 버퍼층은 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 작은 물질로 형성되고, 상기 기판의 열팽창 계수가 상기 성장막에 비해 크커나,상기 기판의 이면의 가장자리를 따라 형성된 버퍼층은 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 큰 물질로 형성되며, 상기 기판의 열팽창 계수가 상기 성장막에 비해 작은 화합물 반도체 기판
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청구항 3에 있어서,상기 버퍼층이 상기 기판의 일면의 가장자리를 따라 형성된 홈을 채우도록 형성되는데 있어서,상기 버퍼층은 상기 성장막 둘레의 하측에 형성된 화합물 반도체 기판
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기판을 마련하는 과정;상기 기판의 일면 및 상기 기판의 일면의 반대측 면인 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리를 따라 버퍼층을 형성하는 과정;상기 기판의 일면에서 상기 버퍼층의 내측에, 상기 버퍼층과 열팽창 계수가 다른 성장막을 형성하는 과정;을 포함하는 화합물 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리를 따라 홈을 형성하고, 상기 홈을 채우도록 버퍼층을 형성하거나,상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리로부터 돌출되도록 상기 버퍼층을 형성하는 화합물 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 9에 있어서,상기 버퍼층은 상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리를 따라 동일한 폭을 가지도록 형성되거나,상기 기판의 일면 및 상기 기판의 이면 중 어느 하나의 가장자리의 제 1 위치에서 상기 제 1 위치와 폭 방향으로 마주보는 제 2 위치로 갈수록 상기 버퍼층의 폭이 점차 커지다가 좁아지고, 상기 제 2 위치에서 상기 제 1 위치로 갈수록 상기 버퍼층의 폭이 점차 커지다가 좁아지도록 형성된 화합물 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 기판의 일면에 성장될 성장막의 열팽창 계수가 상기 기판에 비해 작을 때, 상기 기판의 일면에 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 큰 물질로 버퍼층을 형성하거나, 상기 기판의 이면에 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 작은 물질로 버퍼층을 형성하는 화합물 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 8에 있어서,상기 기판의 일면에 성장될 성장막의 열팽창 계수가 상기 기판에 비해 클 때, 상기 기판의 일면에 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 작은 물질로 버퍼층을 형성하거나, 상기 기판의 이면에 상기 성장막에 비해 열팽창 계수가 큰 물질로 버퍼층을 형성하는 화합물 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,상기 기판은 사파이어(Al2O3) 웨이퍼 및 실리콘(Si) 웨이퍼 중 어느 하나이고, 상기 성장막은 질화갈륨(GaN)으로 이루어지며, 상기 버퍼층은 니켈(Ni), 철(Fe), 다이아몬드, 구리(Cu), 금(Au), 실리콘(Si), 질화규소(SiN) 및 텅스텐(W) 어느 하나인 화합물 반도체 기판의 제조 방법
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청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,상기 버퍼층은 증착 및 도금 방법 중 어느 하나로 형성된 화합물 반도체 기판의 제조 방법
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