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(1) 수직 공극을 갖는 기판을 탄소 반응 촉매의 유입 방향에 대하여 제1 각도로 조정하는 단계(단계 1);(2) 상기 단계 1의 기판의 수직 공극의 상부 측벽과 기판의 상부 표면에 탄소 반응 촉매를 1차 증착시키는 단계(단계 2);(3) 상기 단계 2에서 1차 증착이 완료된 기판을 제2 각도로 조정하는 단계(단계 3); 및(4) 상기 단계 3의 각도가 조정된 기판에서 수직 공극의 상부 측벽과 기판의 상부 표면의 탄소 반응 촉매를 스퍼터링하여, 상기 기판의 수직 공극의 바닥면과 하부 측벽에 상기 탄소 반응 촉매를 2차 증착시키는 단계(단계 4)를 포함하는 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 상기 제1 각도는 10° 내지 80°인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단계 2에서 상기 탄소 반응 촉매의 1차 증착은 전자빔 증착 방법 또는 열적 증착 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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4
제 1 항에 있어서,상기 단계 3의 상기 제2 각도는 제1 각도와 동일 또는 이보다 작은 각도인 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 단계 4에서 탄소 반응 촉매의 스퍼터링은 이온 밀링 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 수직 공극을 갖는 기판은 연속적으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 탄소 반응 촉매는 철, 코발트, 니켈 및 팔라듐 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 수직 공극을 갖는 기판은 다공성 알루미늄 산화막인 것을 특징으로 하는 탄소 나노튜브 수직 성장을 위한 탄소 반응 촉매 증착 방법
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(1) 수직 공극을 갖는 기판을 탄소 반응 촉매의 유입 방향에 대하여 제1 각도로 조정하는 단계(단계 1);(2) 상기 단계 1의 기판의 수직 공극의 상부 측벽과 기판의 상부 표면에 탄소 반응 촉매를 제1 두께까지 1차 증착시키는 단계(단계 2);(3) 상기 단계 2에서 1차 증착이 완료된 기판을 제2 각도로 조정하는 단계(단계 3);(4) 상기 단계 3의 각도가 조정된 기판에서 수직 공극의 상부 측벽과 기판의 상부 표면의 탄소 반응 촉매를 스퍼터링하여, 상기 기판의 수직 공극의 바닥면과 하부 측벽에 상기 탄소 반응 촉매를 2차 증착시키는 단계(단계 4); (5) 상기 증착된 탄소 반응 촉매 층에 C2H4, Ar 및 H2를 공급하여 탄소 나노튜브를 수직 성장시키는 단계(단계 5)를 포함하는, 기판 상에 수직 성장된 탄소 나노튜브의 제조방법
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기판;상기 기판 상에 배치된 제1전극;상기 제1전극 상에 배치된 수직 공극을 갖는 산화막;상기 산화막의 수직 공극 하단에 증착되어 배치된 탄소 반응 촉매;상기 탄소 반응 촉매 상에서 수직 성장된 탄소 나노튜브로 이루어진 채널; 및 상기 산화막 상단에 배치된 제2전극;을 포함하는 쇼트키 다이오드에 있어서,상기 채널은 상기 제1전극과 상기 제2전극을 연결하는 것인, 쇼트키 다이오드
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제 12 항에 있어서,상기 산화막상의 제1 영역에 Ti 막이 증착되고, 상기 산화막상의 제2 영역에 Pd가 전기도금 되어 배치되는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 13 항에 있어서,상기 Ti 막은 상기 Pd와 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 12 항에 있어서,상기 제1전극과 제2전극은 각각 드레인 전극과 소스 전극인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 15 항에 있어서,상기 소스 전극은 Ti/Au이고, 상기 드레인 전극은 Pd/Mo 또는 Pd/W인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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제 12 항에 있어서,상기 수직 성장된 탄소 나노튜브는 반도체 성질을 가지는 단일벽 탄소 나노튜브인 것을 특징으로 하는 쇼트키 다이오드
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