맞춤기술찾기

이전대상기술

다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로 및 그 과전압 방지방법

  • 기술번호 : KST2015014419
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로 및 그 과전압 방지방법이 개시된다. 본 발명에 따른 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로는, 제1 스위칭 소자의 콜렉터에 양극이 연결된 제1 스너버 커패시터; 제1 스너버 커패시터의 음극에 애노드가 연결된 제1 스너버 다이오드; 및 제1 스너버 커패시터의 음극과 제1 스너버 다이오드의 애노드에 일단이 연결되며, 타단이 제1 스너버 저항의 타단이 제1 클램프 다이오드의 애노드, 제2 클램프 다이오드의 캐소드 및 부하의 음의 단자에 연결된 제1 스너버 저항을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H02M 1/34 (2007.01.01) H02M 3/158 (2006.01.01) H02M 1/00 (2007.01.01)
CPC H02M 1/34(2013.01) H02M 1/34(2013.01) H02M 1/34(2013.01)
출원번호/일자 1020100001442 (2010.01.07)
출원인 부경대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1122067-0000 (2012.02.23)
공개번호/일자 10-2011-0080979 (2011.07.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120314) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.07)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 부경대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 노의철 대한민국 부산광역시 남구
2 김흥근 대한민국 대구광역시 수성구
3 전태원 대한민국 부산광역시 금정구
4 유동욱 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 정재헌 대한민국 부산광역시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이철희 대한민국 서울특별시 강남구 도곡로**길 **(역삼동) 베리타스빌딩, *-*층(베리타스국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (주)부경대학교 기술지주회사 부산광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0010701-15
2 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2010.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0017556-98
3 보정요구서
Request for Amendment
2010.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0005040-19
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0085363-11
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.02.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0016288-76
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0258723-38
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0527806-15
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0527803-89
10 등록결정서
Decision to grant
2012.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0032277-77
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2019-5132722-09
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5161225-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2019-5277245-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2020-5172403-90
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로에 있어서,제1 스위칭 소자의 콜렉터에 양극이 연결된 제1 스너버 커패시터;상기 제1 스너버 커패시터의 음극에 애노드가 연결된 제1 스너버 다이오드; 상기 제1 스너버 커패시터의 음극과 상기 제1 스너버 다이오드의 애노드에 일단이 연결되며, 타단이 제1 클램프 다이오드의 애노드, 제2 클램프 다이오드의 캐소드 및 부하의 음의 단자에 연결된 제1 스너버 저항;제2 스위칭 소자의 콜렉터에 애노드가 연결된 제2 스너버 다이오드;상기 제2 스너버 다이오드의 캐소드에 양극이 연결된 제2 스너버 커패시터; 및상기 제2 스너버 다이오드의 캐소드와 상기 제2 스너버 커패시터의 양극에 애노드가 연결되며, 캐소드가 상기 제1 스위치의 콜렉터에 연결된 제3 스너버 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
3 3
제 2항에 있어서,상기 제2 스너버 커패시터의 음극에 애노드가 연결된 제4 스너버 다이오드; 상기 제2 스너버 커패시터의 음극과 상기 제4 다이오드의 애노드에 일단이 연결되며, 타단이 제3 스위칭 소자의 이미터, 제4 스위칭 소자의 콜렉터 및 상기 제2 클램프 다이오드의 애노드에 연결된 제2 스너버 저항;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
4 4
제 3항에 있어서,상기 제4 스너버 다이오드의 캐소드가 상기 제2 스위칭 소자의 이미터, 상기 부하의 양의 단자 및 상기 제3 스위칭 소자의 콜렉터에 연결된 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
5 5
제 3항에 있어서,상기 제3 스위칭 소자의 콜렉터에 애노드가 연결된 제5 스너버 다이오드;상기 제5 스너버 다이오드의 캐소드에 양극이 연결된 제3 스너버 커패시터; 및상기 제5 스너버 다이오드의 캐소드와 상기 제3 스너버 커패시터의 양극에 일단이 연결되며, 타단이 상기 제1 스위칭 소자의 이미터, 상기 제2 스위칭 소자의 콜렉터 및 상기 제1 클램프 다이오드의 캐소드에 연결된 제3 스너버 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
6 6
제 5항에 있어서,상기 제3 스너버 커패시터의 음극에 애노드가 연결된 제6 스너버 다이오드; 및상기 제3 스너버 커패시터의 음극 및 상기 제6 스너버 다이오드의 애노드에 캐소드가 연결되며, 애노드가 상기 제4 스위칭 소자의 이미터에 연결된 제7 스너버 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
7 7
제 6항에 있어서,상기 제6 스너버 다이오드의 캐소드가 상기 제3 스위칭 소자의 이미터, 상기 제4 스위칭 소자의 콜렉터 및 상기 제2 클램프 다이오드의 애노드에 연결된 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
8 8
제 3항에 있어서,상기 제4 스위칭 소자의 콜렉터에 애노드가 연결된 제8 스너버 다이오드;상기 제8 스너버 다이오드의 캐소드에 양극이 연결된 제4 스너버 커패시터;상기 제8 스너버 다이오드의 캐소드와 상기 제4 스너버 커패시터의 양극에 일단이 연결되며, 타단이 상기 제1 클램프 다이오드의 애노드, 상기 제2 클램프 다이오드의 캐소드 및 상기 부하의 음의 단자에 연결된 제4 스너버 저항을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
9 9
제 8항에 있어서,상기 제4 스너버 커패시터의 음극이 상기 제4 스위칭 소자의 이미터에 연결된 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
10 10
제 3항에 있어서,상기 제1 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자, 상기 제3 스위칭 소자 및 상기 제4 스위칭 소자는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor), MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor) 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로
11 11
다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로의 과전압 방지방법에 있어서,제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자를 온 상태로 하며, 제3 스위칭 소자 및 제4 스위칭 소자를 오프 상태로 하여 인버터 출력을 제1 전압으로 하는 단계;상기 제1 스위칭 소자를 오프하고, 상기 제3 스위칭 소자를 온으로 하여 제1 스너버 커패시터의 전압을 상승시키는 단계;상승한 상기 제1 스너버 커패시터의 전압이 전원전압 Vc1과 같아질 때까지 방전하는 단계; 상기 제2 스위칭 소자를 오프하고 상기 제4 스위칭 소자를 온하여 부하전류를 감소하면서 제2 스너버 커패시터 및 제3 스너버 커패시터를 충전시키는 단계;상기 제3 스너버 커패시터에 흐르는 전류가 영전류가 되며, 상기 제3 스위칭 소자 및 상기 제4 스위칭 소자를 통해 흐르는 전류가 상기 부하전류로 되는 단계;상기 제3 스위칭 소자 및 상기 제4 스위칭 소자를 온으로 하고, 상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 스위칭 소자를 오프로 하여 상기 인버터의 출력전압을 제2 전압으로 하는 단계; 및상기 제4 스위칭 소자를 오프하고 상기 제2 스위칭 소자를 온하여 상기 제2 스너버 커패시터에 저장된 에너지를 방전하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이오드 클램프형 3-레벨 인버터용 스너버 회로의 과전압 방지방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.