| 1 |
1
a) 기판위에 성막된 게이트 절연막 위에 금속 패턴을 증착하는 단계; b) 상기 금속 패턴을 AFM(atomic force microscopy) 리소그라피에 의하여 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 미세 채널을 형성하는 단계; c) 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 미세 채널 사이에 유기 활성층을 성막하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, a) 단계의 게이트 절연막은 기판위에 형성된 게이트 전극위에 게이트 절연막이 성막된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, b) 단계에서 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 형성된 미세 채널의 길이가 20 nm 내지 2 um인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, a) 단계에서 증착되는 금속 패턴은 두께가 5 nm 내지 1000 nm이고 폭이 100 nm 내지 10 cm인 금속 스트립(strip)인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서, 미세 채널 형성에 사용 되는 금속 스트립은 유기 활성층과 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 옴접촉(Ohmic contact)을 유발할 수 있도록 일함수가 큰 금, 백금, 팔라듐, 구리, 니켈, 알루미늄, 인듐, 주석 및 인듐-주석 합금으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 6 |
6
제 2항에 있어서, 게이트 전극위에 성막되는 절연막은 폴리이미드, 폴리스티렌, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리바이닐알콜(polyvinylalcohol), 폴리바이닐페놀, 파릴렌-씨(parylene-C) 및 BCB로부터 선택되는 유기물이거나 또는 실리콘다이옥사이드, 실리콘나이트라이드 유도체, 알루미늄옥사이드, Ta2O5, AlN, AlON, La2O5, BaZrTiO3, 및PbZrTiO3로부터 선택되는 무기물인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 유기 활성층은 펜타센, 금속 프탈로시아닌, 폴리티오펜 또는 페닐렌비닐렌, C60, 페닐렌테트라카르복실산2무수물 (phenylenetetracarboxylic dianydride), 나프탈렌테투라카르복실산2무수물 (naphthalenetetracarboxylic dianydride), 플루오르화 프탈로시아닌 (fluorophthalocyanine) 및 이들의 유도체로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조방법
|
| 8 |
8
제 1항, 제 2항, 제 6항 및 제 7항의 어느 한 항에 있어서, 게이트 절연막과 유기 활성층의 전계이동도가 0
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 a) 내지 c) 단계에서의 증착단계는 스핀코팅, 잉크젯 프린팅 및 딥핑으로부터 선택된 기법을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 1항 또는 제 2항에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 표시 소자
|
| 11 |
10
제 1항 또는 제 2항에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터를 이용한 표시 소자
|
