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터치 패널의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015053320
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 터치 패널의 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판에 투명 전극을 형성하는 단계; 및 상기 기판에 직접 배선 전극 물질을 스퍼터링(sputtering) 공정으로 증착하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01)
CPC G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01) G06F 3/0412(2013.01)
출원번호/일자 1020110007523 (2011.01.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1241632-0000 (2013.03.04)
공개번호/일자 10-2012-0086211 (2012.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이근식 대한민국 서울특별시 중구
2 김병수 대한민국 서울특별시 중구
3 서충원 대한민국 서울특별시 중구
4 홍혁진 대한민국 서울특별시 중구
5 이선화 대한민국 서울특별시 중구
6 김진복 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0061652-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005242-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0092994-80
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0289501-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0289502-69
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0575995-76
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.10.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0858932-79
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0858931-23
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0716144-68
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0070872-02
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0070873-47
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0064826-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
위치를 감지하는 유효 영역 및 상기 유효 영역의 외곽으로 위치하는 더미 영역이 정의되는 기판을 준비하는 단계;상기 기판의 일면에 투명 전극을 스퍼터링(sputtering) 공정으로 형성하는 단계; 상기 기판의 더미 영역에 직접 배선 전극 물질을 스퍼터링(sputtering) 공정으로 증착하는 단계; 및상기 배선 전극 물질을 습식 에칭하여 배선 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 투명 전극은 전기적 신호를 송신하는 송신 전극 및 전기적 신호를 수신하는 수신 전극을 포함하고, 상기 송신 전극 및 상기 수신 전극은 상기 기판의 일면에서 동일 평면 상에 위치하고, 상기 배선 전극의 선폭이 10 ㎛ 내지 100 ㎛ 이고,상기 더미 영역의 폭이 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 투명 전극을 형성하는 단계는 반응성 스퍼터링 공정을 포함하는 터치 패널의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 투명 전극은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide), 탄소 나노 튜브(carbon nano tube, CNT) 및 전도성 고분자 물질로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나를 포함하는 터치 패널의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 배선 전극 물질은, 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu)
6 6
제1항에 있어서,상기 배선 전극 물질은, 크롬(Cr) 산화물, 알루미늄(Al) 산화물, 은(Ag) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물 및 몰리브덴(Mo) 산화물로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 포함하는 터치 패널의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 증착하는 단계는, 반응성 스퍼터링 공정을 포함하는 터치 패널의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 반응성 스퍼터링 공정은 산소 및 질소 중 적어도 어느 하나의 분위기에서 진행되는 터치 패널의 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 증착하는 단계에서, 증착하는 공정을 복수로 행하는 터치 패널의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서,상기 배선 전극을 형성하는 단계 후, 반사 방지막을 형성하는 공정을 더 포함하는 터치 패널의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 반사 방지막은 마그네슘 불화물, 규소 산화물, 알루미늄 산화물, 세륨 불화물, 인듐 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, 납 산화물, 티타늄 산화물, 탄탈륨 산화물, 니오븀 산화물로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나를 포함하는 터치 패널의 제조 방법
14 14
제1항에 있어서,상기 기판은 유리 및 폴리 에틸렌 테레프탈레이트(poly(ethylene terephthalate), PET) 필름으로 이루어진 군에서 적어도 어느 하나를 포함하는 터치 패널의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.