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제1 도전형 불순물이 도핑된 반도체 기판 상부에 상기 제1 도전형과 반대 극성을 가지는 제2 도전형 불순물을 포함한 도핑용 페이스트를 선택적으로 도포하는 단계;
확산로 안에서 상기 도핑용 페이스트가 도포된 상기 기판에 상기 기판의 일면에 제1 에미터층과 상기 제1 에미터층보다 상기 제2 도전형 불순물의 도핑 농도가 더 높은 제 2 에미터층을 동시에 형성하는 확산 공정 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 확산 공정은 확산용 불순물 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,
상기 확산 공정은 상기 도핑용 페이스트 내의 상기 제2도전형 불순물과 상기 불순물 가스를 동시에 확산시키는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,
상기 불순물 가스는 고체 상태의 불순물원, 액체 상태의 불순물원, 기체 상태의 불순물 중 어느 하나를 이용한 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제2항에 있어서,
상기 불순물 가스는 PoCl3을 소스로 하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 확산로는 확산 튜브(diffusion furnace)또는 벨트 퍼니스(belt furnace) 인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 도핑용 페이스트는 스크린 인쇄법에 의해 도포하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제2 에미터층은 상기 기판의 일면 중 상기 도핑용 페이스트가 도포되지 않은 부분에 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 기판의 표면을 기준으로 할 때,
상기 제2 에미터층의 최대 접합 깊이는 상기 제1 에미터층의 최대 접합 깊이보다 더 깊은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 불순물은 p형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 도전형 불순물은 n형 불순물인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 도핑용 페이스트는 인 또는 붕소를 함유하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제2 에미터층과 상기 전면 전극은 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 제1 에미터층은 상기 제2 에미터층보다 면저항이 더 높은 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,
상기 확산 공정 이후에
상기 도핑용 페이스트를 제거하는 단계; 및
상기 기판의 일면에 상기 제2 에미터층과 접촉하는 전면 전극을 형성하고, 상기 기판의 타면에 후면 전극을 형성하는 단계;를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제15항에 있어서,
상기 도핑 페이스트를 제거하는 단계 이후에,
상기 반도체 기판의 일면에 반사 방지막을 형성하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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