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기판 상에 투명전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 투명전극층을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 투명전극층을 증착하는 단계; 상기 제1 투명전극층을 에칭하여 요철을 형성하는 단계; 및상기 에칭된 제1 투명전극층 위에 접촉하도록 제2 투명전극층을 증착하는 단계;를 포함하고, 상기 제1 투명전극층과 상기 제2 투명전극층이 동일한 재질로 이루어지고, 상기 제1 투명전극층의 최대 표면거칠기보다 상기 제2 투명전극층의 최대 표면거칠기가 더 작은 태양전지모듈 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 투명전극층은 50 내지 300nm의 두께로 증착하는 태양전지모듈 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 투명전극층 상에 광전변환층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지모듈 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투명전극층은 산화아연(ZnO)계 물질에 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 불소(F), 게르마늄(Ge), 마그네슘(Mg), 보론(B), 인듐(In), 주석(Sn), 리튬(Li) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 물질이 도핑된 것을 특징으로 하는 태양전지모듈 제조방법
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제1항에 있어서,상기 투명전극층은 스퍼터링에 의해 형성되는 태양전지모듈 제조방법
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기판; 및 상기 기판 상의 투명전극층을 포함하고,상기 투명전극층은, 제1 투명전극층 및 상기 제1 투명전극층 위에 상기 제1 투명전극층에 접촉하는 제2 투명전극층을 포함하고, 상기 제2 투명전극층의 두께는 50 내지 300nm이며, 상기 제1 투명전극층과 상기 제2 투명전극층의 계면은 요철 구조를 이루며, 상기 제1 투명전극층과 상기 제2 투명전극층이 동일한 재질로 이루어지고, 상기 제1 투명전극층의 최대 표면거칠기보다 상기 제2 투명전극층의 최대 표면거칠기가 더 작은 태양전지모듈
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제6항에 있어서, 상기 요철의 평균 폭과 상기 투명전극층의 최대 표면거칠기(Peak to valley, PV)의 비율은 2
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제6항에 있어서, 상기 투명전극층은, 산화아연(ZnO)계 물질에 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 불소(F), 게르마늄(Ge), 마그네슘(Mg), 보론(B), 인듐(In), 주석(Sn), 리튬(Li) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 물질이 도핑된 태양전지모듈
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제6항에 있어서,상기 투명전극층 상에 순차적으로 위치한 광전변환층, 후면 전극층, 밀봉필름 및 후면 기판을 포함하는 태양전지모듈
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