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태양전지

  • 기술번호 : KST2015067334
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요약 태양전지는 제1 도전성 타입을 갖는 기판; 기판의 한쪽 면에 위치하며, 제1 방향으로 길게 형성된 복수의 제1 전극; 복수의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부; 기판의 다른 쪽 면에 위치하며, 제1 방향으로 길게 형성된 복수의 제2 전극; 및 복수의 제2 전극과 대응하는 위치에 국부적으로 위치하며, 복수의 제2 전극과 동일한 방향으로 형성되어 복수의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 제1 전계부를 포함하는 후면 전계부를 포함하며, 제1 방향과 직교하는 제2 방향을 따라 서로 인접한 제1 전계부 간의 간격은 제2 방향을 따라 서로 인접한 제2 전극 간의 간격보다 좁게 형성된다.
Int. CL H01L 31/042 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120014116 (2012.02.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0092693 (2013.08.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.29)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정민 대한민국 서울 서초구
2 최영호 대한민국 서울 서초구
3 박창서 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0112043-19
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0838222-51
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0185163-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0897033-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2018-0073511-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.01.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0073512-89
9 등록결정서
Decision to grant
2018.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0435421-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입을 갖는 기판;상기 기판의 한쪽 면에 위치하며, 제1 방향으로 형성된 복수의 제1 전극;상기 복수의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 형성되는 적어도 하나의 제1 집전부;상기 복수의 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부;상기 기판의 다른 쪽 면에 위치하며, 상기 제1 방향으로 형성된 복수의 제2 전극; 상기 복수의 제2 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 제2 방향으로 형성되는 적어도 하나의 제2 집전부;상기 복수의 제2 전극과 대응하는 위치에 국부적으로 위치하며, 상기 복수의 제2 전극과 동일한 방향으로 형성되어 상기 복수의 제2 전극과 전기적으로 연결되는 복수의 제1 전계부를 포함하는 후면 전계부;상기 복수의 제1 전극이 위치하지 않는 영역의 상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 보호막; 및상기 복수의 제2 전극이 위치하지 않는 영역의 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 제2 보호막을 포함하며,상기 제2 방향을 따라 서로 인접한 상기 제1 전계부 간의 간격은 상기 제2 방향을 따라 서로 인접한 상기 제2 전극 간의 간격보다 좁게 형성되고,상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 상기 제1 도전성 타입과 동일한 도전성 타입의 고정 전하를 갖는 물질로 형성되며,상기 기판의 상기 다른 쪽 면의 외부에서, 상기 복수의 제2 전극은 상기 적어도 하나의 제2 집전부에 의해서만 물리적 및 전기적으로 직접 연결되는 태양전지
2 2
제1항에서,상기 제2 전극 간의 간격은 1
3 3
제1항에서,상기 후면 전계부의 표면 농도는 1E19/㎤ 내지 5E20/㎤인 태양전지
4 4
제1항에서,상기 후면 전계부의 접합 깊이는 0
5 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에서,상기 제1 전계부는 상기 제2 전극과 직접 접촉하며 상기 제2 전극과 중첩하는 제1 영역과, 상기 제2 방향으로 상기 제1 영역의 주변에 위치하며 상기 제2 전극과 중첩하지 않는 제2 영역을 포함하며, 상기 제1 전계부의 선폭은 상기 제2 전극의 선폭의 2배 내지 4
6 6
제5항에서,상기 제2 전극은 50㎛ 내지 150㎛의 선폭으로 형성되고, 상기 제1 전계부의 선폭은 100㎛ 내지 600㎛로 형성되는 태양전지
7 7
제5항에서,상기 제2 영역은 상기 제2 방향으로 상기 제1 영역의 한쪽 측부 또는 양쪽 측부에 위치하는 태양전지
8 8
제5항에서,상기 제1 전계부의 일부는 상기 제2 집전부의 일부와 중첩하는 태양전지
9 9
제5항에서,상기 후면 전계부는 상기 제2 집전부와 직접 접촉하며 상기 제2 집전부와 중첩하는 제3 영역과, 상기 제3 영역의 주변에 위치하며 상기 제2 집전부와 중첩하지 않는 제4 영역을 포함하는 제2 전계부를 더 포함하는 태양전지
10 10
제9항에서,상기 제2 전계부의 선폭은 제2 집전부의 선폭의 1배 초과 1
11 11
제9항에서,상기 제2 전계부의 선폭은 1
12 12
제9항에서,상기 제4 영역은 상기 제1 방향으로 상기 제3 영역의 한쪽 측부 또는 양쪽 측부에 위치하는 태양전지
13 13
삭제
14 14
제1항에서,상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 음(-)의 고정 전하(negative fixed charge)를 갖는 알루미늄 산화물 또는 이트리움 산화물(Y2O3)을 포함하는 태양전지
15 15
제14항에서,상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 1
16 16
제14항에서,상기 제1 보호막 위에 위치하는 제1 반사방지막 및 상기 제2 보호막의 후면에 위치하는 제2 반사방지막을 더 포함하며, 상기 제1 반사방지막 및 상기 제2 반사방지막은 양(+)의 고정 전하를 갖는 실리콘 질화물로 형성되는 태양전지
17 17
제16항에서,상기 제1 반사방지막 및 제2 반사방지막은 1
18 18
제5항에서,상기 에미터부가 위치하는 기판의 표면 및 후면 전계부가 위치하는 기판의 표면은 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면으로 각각 형성되는 태양전지
19 19
제5항에서,상기 기판은 인(P)이 도핑된 n형 실리콘 웨이퍼로 이루어지는 태양전지
20 20
제5항에서,상기 에미터부는 상기 제2 도전성 타입을 갖는 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도핑부와, 상기 제2 도전성 타입을 갖는 불순물이 상기 제1 도핑부에 비해 고농도로 도핑된 제2 도핑부를 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103247699 CN 중국 FAMILY
2 EP02626907 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02626907 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US20130206222 US 미국 FAMILY
5 US20190245101 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103247699 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103247699 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2626907 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2626907 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 US2013206222 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2019245101 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.