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제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 기판;상기 제1 도전성 타입의 불순물을 상기 기판보다 고농도로 함유하고, 상기 기판의 전면에 배치되는 전면 전계부;상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물을 함유하며, 상기 기판의 후면에 배치되는 에미터부;상기 기판의 전면 위에 배치되고, 상기 전면 전계부에 연결되는 제1 전극;상기 기판의 후면 위에 배치되고, 상기 에미터부에 연결되는 제2 전극;을 포함하고,상기 전면 전계부의 밴드갭 에너지는 1
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제1 항에 있어서,상기 전면 전계부는 상기 제1 도전성 타입의 불순물을 함유하는 비정질 실리콘 카바이드(a-SiCx) 또는 비정질 실리콘 옥사이드(a-SiOx)을 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 기판과 상기 전면 전계부 사이에는 제1 진성 비정질 실리콘(i-a-Si)층을 더 포함하는 태양 전지
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제3 항에 있어서,상기 기판과 상기 에미터부 사이에는 제2 진성 비정질 실리콘(i-a-Si)층을 더 포함하는 태양 전지
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5
제1 항에 있어서,상기 재1 전극과 상기 전면 전계부 사이에는 제1 투명 전극층을 더 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 제2 전극과 상기 에미터부 사이에는 제2 투명 전극층을 더 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 기판은 결정질 실리콘(c-Si) 재질을 포함하는 태양 전지
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제1 항에 있어서,상기 기판의 두께는 100μm ~ 180μm 사이인 태양 전지
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9
제1 항에 있어서,상기 기판의 비저항은 1
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10
제1 항에 있어서,상기 에미터부는 비정질 실리콘(a-Si)을 포함하는 태양 전지
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11
제1 항에 있어서,상기 전면 전계부 및 상기 에미터부의 두께는 5nm ~ 20nm 사이인 태양 전지
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12
제4 항에 있어서,상기 제1 진성 비정질 실리콘층 및 상기 제2 진성 비정질 실리콘층의 두께는 1nm ~ 10nm 사이인 태양 전지
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