1 |
1
소자영역 및 배선영역을 포함하는 기판; 상기 소자 영역 상에 배치된 전자소자; 및상기 배선영역 상에 배치되어, 상기 전자소자와 연결되는 도전배선을 포함하되, 상기 기판은 상기 전자소자 및 상기 도전배선과 접하는 제1 면 및 상기 제1 면과 대향되는 제2 면을 가지고,상기 배선영역의 상기 제1 면 및 상기 제2 면은 요철구조를 가지며, 상기 소자영역의 상기 제1 면은 편평하며, 상기 소자영역은 상기 배선영역보다 두꺼운 전자회로
|
2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 배선영역의 최상부는 상기 소자영역의 최상부보다 낮은 레벨을 가지는 전자회로
|
3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 배선영역은 상기 소자영역보다 플렉서블한 전자회로
|
4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 요철구조는 라운드진 전자회로
|
5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 요철구조는 일 방향으로 파동이 진행하는 물결형태, 일 방향 및 상기 일 방향에 직교하는 타 방향으로 파동이 진행하는 물결형태, 파동이 지그재그로 진행하는 물결형태, 또는 파동이 불규칙한 방향으로 진행하는 물결형태를 가지는 전자회로
|
6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 도전배선은 상기 요철구조를 따라 연장되며, 물결형상의 굴곡을 가지는 전자회로
|
7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 제1 면 상에 배치되어, 상기 전자 소자 및 상기 도선 배선을 덮는 제1 캐핑층을 더 포함하는 전자회로
|
8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 제2 면 상에 상기 전자소자 및 상기 도전배선과 이격 배치된 제2 캐핑층을 더 포함하는 전자회로
|
9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 소자영역은 10 내지 100μm의 두께를 가지고,상기 배선영역은 1 내지 10μm의 두께를 가지는 전자회로
|
10 |
10
라운드진 패턴을 가지는 몰드를 제공하는 것; 상기 몰드를 덮는 기판을 형성하는 것; 상기 기판의 일부를 제거하여, 상기 기판에 편평한 소자영역을 형성하는 것; 상기 기판에 요철구조를 가지는 배선영역을 형성하는 것; 및상기 배선영역 상에 도전배선을 형성하고, 상기 소자영역 상에 전자소자들을 형성하는 것을 포함하되, 상기 배선영역은 상기 소자영역보다 얇은 두께를 가지며, 상기 몰드의 패턴을 따라 연장되는 상기 요철구조를 갖는 전자회로 제조방법
|
11 |
11
제 10항에 있어서
|
12 |
12
제 10항에 있어서
|
13 |
13
제 10항에 있어서, 상기 몰드를 제공하는 것은: 각진 형태의 리세스를 가지는 모기판을 제공하는 것; 및상기 모기판 상에 라운드진 표면을 가지는 희생층을 형성하는 것을 포함하는 전자회로 제조방법
|
14 |
14
제 10항에 있어서, 상기 몰드를 제공하는 것은: 모기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 것;상기 포토레지스트층에 각진 형태의 패턴을 형성하는 것; 및상기 포토레지스트층을 리플로우하여 상기 라운드진 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 라운드진 패턴은 상기 요철구조와 대응되는 형태를 가지는 전자회로 제조방법
|
15 |
15
제 10항에 있어서, 상기 몰드를 제공하는 것은: 포토레지스트층이 도포된 모기판을 제공하는 것; 및그레이스케일 포토마스크를 사용하여 상기 포토레지스트층 상에 라운드진 패턴을 형성하는 것을 포함하되, 상기 라운드진 패턴은 상기 요철구조와 대응되는 형태의 물결형상을 가지는 전자회로 제조방법
|
16 |
16
제 10항에 있어서, 상기 기판 상에 상기 도전배선 및 상기 전자소자를 덮는 제1 캐핑층을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 제1 캐핑층은 탄성중합체를 포함하는 전자회로 제조방법
|
17 |
17
제 10항에 있어서, 상기 도전배선 및 상기 전자소자와 이격되어 마주하는 제2 캐핑층을 형성하는 것을 더 포함하되, 상기 제2 캐핑층은 탄성중합체를 포함하는 전자회로 제조방법
|
18 |
18
제 10항에 있어서, 상기 기판을 상기 몰드로부터 분리시키는 것을 더 포함하는 전자회로 제조방법
|
19 |
19
제 10항에 있어서
|