맞춤기술찾기

이전대상기술

유기 발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015141715
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 발광 소자가 제공된다. 상기 유기 발광 소자는, 이방성 고분자를 포함하는 위상 지연층, 상기 위상 지연층과 이격되어 배치된 선편광판, 및 상기 위상 지연층 및 상기 선편광판 사이에 배치되고 상기 선편광판과 동일한 편광 방향을 갖는 광을 방출하는 유기 발광층을 포함한다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5293(2013.01) H01L 51/5293(2013.01) H01L 51/5293(2013.01) H01L 51/5293(2013.01)
출원번호/일자 1020130098212 (2013.08.20)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1525669-0000 (2015.05.28)
공개번호/일자 10-2015-0021190 (2015.03.02) 문서열기
공고번호/일자 (20150603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.08.20)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유창재 대한민국 서울 동대문구
2 김재훈 대한민국 서울 송파구
3 조수인 대한민국 서울 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0751914-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0027597-30
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0524993-70
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0937682-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0141627-92
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0408600-53
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0408629-76
11 등록결정서
Decision to grant
2015.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0354983-60
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
이방성 고분자를 포함하는 위상 지연층을 형성하는 단계; 선편광된 광을 방출하는 유기 발광층을 형성하는 단계; 및상기 위상 지연층 및 상기 유기 발광층을 형성한 후, 상기 유기 발광층에서 방출되는 상기 편광된 광과 동일한 편광 방향을 갖는 선편광판을 배치하는 단계를 포함하되,상기 유기 발광층은 고분자를 포함하고, 상기 유기 발광층의 고분자와 상기 위상 지연층의 이방성 고분자는 동일한 공정에서 광 배향되는 것을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제10 항에 있어서, 상기 선편광판은 상기 위상 지연층 및 상기 유기 발광층과 이격되어 배치되는 것을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
13 13
제10 항에 있어서, 상기 위상 지연층은, 입사되는 광을 반사하는 반사 전극 상에 형성되는 것을 포함하고, 상기 유기 발광층은 상기 위상 지연층 상에 형성되고, 상기 선편광판은 상기 유기 발광층 상에 형성되는 것을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
14 14
제10 항에 있어서, 입사되는 광을 반사하는 반사 전극을 상기 위상 지연층 상에 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 위상 지연층은 상기 유기 발광층 상에 형성되고, 상기 유기 발광층이 상기 선편광판 및 상기 위상 지연층 사이에 위치하도록, 상기 선편광판이 배치되는 것을 포함하는 유기 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.