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이온이주입된GAAS기판의활성화방법

  • 기술번호 : KST2015073505
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/265 (2006.01)
CPC H01L 21/26546(2013.01) H01L 21/26546(2013.01) H01L 21/26546(2013.01)
출원번호/일자 1019880016680 (1988.12.14)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0057478-0000 (1992.12.21)
공개번호/일자 10-1990-0010907 (1990.07.11) 문서열기
공고번호/일자 1019920004966 (19920622) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.12.14)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형무 대한민국 대전시서구
2 편광의 대한민국 충남대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1988.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097132-33
2 특허출원서
Patent Application
1988.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097130-42
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1988.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097131-98
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1990.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097133-89
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1992.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0053654-27
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1992.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097135-70
7 의견서
Written Opinion
1992.02.29 수리 (Accepted) 1-1-1988-0097134-24
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1992.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0053655-73
9 등록사정서
Decision to grant
1992.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0053657-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

이온 주입된 GaAs 기판의 활성화 방법에 있어서, 반절연 GaAs 기판상에 실리콘(+Si) 이온을 70 내지 120KeV, 1012 내지 1013atoms/cm2의 조건으로 이온 주입하는 제 1 공정 ; 상기 제 1공정후, 이온 주입층상에 SiO2 유전체 박막을 100 내지 500Å 두께로 증착하는 제 2 공정 ; 상기 제 2 공정후의 유전체 박막상에 내열성 텅스텐(W) 금속박막을 100 내지 500Å 두께로 증착하는 제 3 공정 ; 및 상기 제 3공정후, 800 내지 950℃의 온도범위에서 상기 기판을 활성화 하는 제 4 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이온 주입된 GaAs 기판의 활성화 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 2 공정의 유전체 박막 증착 공정에서 SiO2 유전체 대신에 Si3N4 유전체를 사용하는 것을 특징으로 하는 이온 주입된 GaAs 기판의 활성화 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 3 공정의 금속박막 증착 공정에서 텅스텐(W) 금속 대신에 몰리브덴(Mo)금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 이온 주입된 GaAs 기판의 활성화 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.