맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

ＳＯＩ 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015080645
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 온 인슐레이터(Silicon On Insulator, 이하 'SOI'라 칭함) 기판의 제조방법에 관한 것으로, 제1 웨이퍼의 소정 깊이에 매립산화막층을 형성한 후 상기 제1 웨이퍼의 표면에 소정 두께의 산화막을 형성하는 단계와, 상기 제1 웨이퍼 상에 제2 웨이퍼를 접합시키는 단계와, 상기 제1 웨이퍼의 하부가 노출되도록 상기 산화막을 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 매립산화막층을 식각정지층으로 이용하여 상기 노출된 제1 웨이퍼의 하부를 선택적으로 제거하는 단계와, 상기 매립산화막층을 제거하여 상기 제1 웨이퍼의 상부를 노출시킨 후, 상기 노출된 제1 웨이퍼의 상부를 소정 두께 제거하는 단계를 포함함으로써, 기존에 적용된 고비용의 화학기계적 연마(CMP)공정 등이 사용되지 않기 때문에 공정이 비교적 단순하고 실시가 용이하며, 고품질의 균일하고 초박막의 특성을 가지는 SOI 기판을 제조할 수 있는 효과가 있다.나노 소자, 반도체, SOI, 실리콘웨이퍼, 매립산화막층, 산소이온
Int. CL H01L 27/12 (2011.01) H01L 21/20 (2011.01) H01L 21/265 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/76256(2013.01) H01L 21/76256(2013.01) H01L 21/76256(2013.01)
출원번호/일자 1020050037970 (2005.05.06)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0704146-0000 (2007.03.30)
공개번호/일자 10-2006-0067101 (2006.06.19) 문서열기
공고번호/일자 (20070406) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020040105744   |   2004.12.14
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.05.06)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권성구 대한민국 대전 유성구
2 노태문 대한민국 대전 유성구
3 김종대 대한민국 대전 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2005-0238897-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.08.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2006-0060195-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0562786-39
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0859668-91
6 의견서
Written Opinion		 2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-0859620-11
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0162936-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 제1 웨이퍼 내에 매립산화막층을 형성한 후 상기 제1 웨이퍼의 표면에 산화막을 형성하는 단계;(b) 상기 제1 웨이퍼 상에 제2 웨이퍼를 접합시키는 단계;(c) 상기 제1 웨이퍼의 하부가 노출되도록 상기 산화막을 선택적으로 제거하는 단계;(d) 상기 매립산화막층을 식각정지층으로 이용하여 상기 노출된 제1 웨이퍼의 하부를 선택적으로 제거하는 단계; 및(e) 상기 매립산화막층을 제거하여 상기 제1 웨이퍼의 상부를 노출시킨 후, 상기 노출된 제1 웨이퍼의 상부 표면을 제거하는 단계를 포함하는 SOI 기판의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)는,(a-1) 상기 제1 웨이퍼의 표면에 산소이온을 주입하여 상기 제1 웨이퍼 내에 상기 매립산화막층을 형성하는 단계; 및(a-2) 상기 매립산화막층의 계면이 균일해짐과 아울러 거친 표면의 결함이 제거되도록 열처리 및 산화공정을 실시하여 상기 제1 웨이퍼의 표면에 상기 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 산소이온은 30 내지 200KeV 에너지범위에서 1 내지 5×1017~18 atoms/㎠로 주입하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 열처리는 1300 내지 1500℃의 온도범위에서 실시하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 제2 웨이퍼의 표면에 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 제2 웨이퍼를 접합시키기 전에 상기 제1 웨이퍼의 접합 표면에 형성된 산화막을 제거한 후 상기 제2 웨이퍼를 접합시키는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 단계(b)에서, 상기 제2 웨이퍼를 접합시키기 전에 상기 제1 웨이퍼의 접합 표면을 재산화시킨 후 상기 제2 웨이퍼를 접합시키는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 단계(e)에서, 상기 노출된 제1 웨이퍼의 상부는 그 표면층의 결함저감 및 박막화하기 위하여 산화/식각, 화학기계적 연마(CMP) 또는 수소 열처리 방법 중 적어도 어느 하나의 방법에 의해 상기 노출된 제1 웨이퍼의 상부 표면이 제거되는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)를 실시한 후 상기 산화막을 제거하고, 불순물이 주입된 실리콘 에피막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 단계(a)를 실시한 후 상기 산화막을 제거하고, SiGe 버퍼층, SiGe 완충막 및 스트레인드 실리콘막을 증착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 기판의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07276430 US 미국 FAMILY
2 US20060128075 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2006128075 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7276430 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.