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실리콘계절연박막형성을위한광화학적장치의진공시스템

  • 기술번호 : KST2015073509
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/30 (2006.01)
CPC C23C 16/482(2013.01) C23C 16/482(2013.01) C23C 16/482(2013.01) C23C 16/482(2013.01) C23C 16/482(2013.01)
출원번호/일자 1019870014926 (1987.12.24)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0039010-0000 (1991.01.15)
공개번호/일자 10-1989-0011044 (1989.08.12) 문서열기
공고번호/일자 1019900006259 (19900827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1987.12.24)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장원익 대한민국 대전시유성구
2 정기로 대한민국 대전직할시유성구
3 김상호 대한민국 대전시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시중구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1987.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087574-86
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1987.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087575-21
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1987.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087576-77
4 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1988.02.08 수리 (Accepted) 1-1-1988-9000733-66
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1988.07.11 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087577-12
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1988.08.17 수리 (Accepted) 1-1-1987-0087578-68
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1990.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051712-07
8 등록사정서
Decision to grant		 1990.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1987-0051714-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘계 절연박막인 이산화규소(SiO2) 및 질화규소(Si3N4) 증착을 위한 광화학 장치에 있어서 반응조(A)에 진공펌프에 의해 발생되는 진동흡수, 배관시 어긋난 정렬완화, 관의 열팽창으로 인한 누설방지를 위한 진동흡수관(18)과 유효배기속도를 크게하여 배기속도를 줄이는 U자형상의 관(19)을 접속하고, 주배기관내 급격한 압력변화의 완화와 생성먼지 걸름역할을 위한 트랩(21)이 설치되고 유효배기속도를 작게하여 초기배지시간을 크게함으로써 진공펌프의 과부하방지 및 반응조(A)내 먼지생성의 최소화를 의한 소프트스타트배기관(11)이 연결되고 부생성 및 미반응가스와 오일비산을 방지하기 위한 오일걸름필터(17) 및 오일오염방지를 위한 오일걸름시스템(8)이 설치되고, 정전시 독성 및 폭발성가스의 즉각적인 배기로 인해 인체에 안전한 부배비관(14)이 설치되고 반응조(A)의 압력센서(22)의 압력신호를 배기밸브제어기(23)에 전달하여 트로틀밸브(15)를 개폐하도록 한 압력조절 수단이 차례로 배일 구성된 것을 특징으로 하는 실리콘계 절연박막형성을 위한 광화학 장치의 진공시스템

2 2

제l항에 있어서, T관(tee tube)을 트로틀밸브(15) 다음에 위치시켜서 반응가스분해에 필요한 특정한파장보존, 램프의 수명증가, 배기부의 독성가스 묽힘작용 및 경비 절감을 특징으로 하는 실리콘계 절연박막형성을 위한 광화학 장치의 진공시스템

3 3

제1항에 있어서, 반응조(A)와 부진공밸브(20) 사이에 부배기간(14)을 설치하여 정전시 공정중인 웨이퍼손상방지 및 독성가스의 즉각적인 배기에 의한 인체에 안전을 보장함을 특징으로 하는 실리콘계 절연박막형성을 위한 광화학 장치의 진공시스템

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.