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에스오아이디램셀의제조방법

  • 기술번호 : KST2015073934
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘기판 직접접합법 기술을 이용한 디램셀 제조방법에 관한 것으로, 실리콘기판(11)상에 열산화막(12)이 형성된 핸들웨이퍼의 경면과, p+ 실리콘상에 p- 실리콘이 형성된 p-/p+ 에피웨이퍼(13)의 경면을 직접 접합하는 공정과, 웨이퍼(13)의 p+ 실리콘을 소정깊이까지 연마한 다음, p-와 p+의 농도차이를 이용하여 p-와 p+의 계면까지 선택적으로 습식식각하는 공정과, 이어 p- 실리콘의 소정 깊이까지 연마하여 SOI를 형성하는 공정 및, SOI 상에 반도체메모리소자를 공지의 공정으로 형성하는 공정을 포함하는 SOI 디램셀의 제조방법이다.
Int. CL H01L 27/108 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 27/10844(2013.01) H01L 27/10844(2013.01)
출원번호/일자 1019920025329 (1992.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0102220-0000 (1996.07.18)
공개번호/일자 10-1994-0016794 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019960005572 (19960426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.24)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강상원 대한민국 대전직할시중구
2 조덕호 대한민국 대전직할시서구
3 강진영 대한민국 대전직할시유성구
4 김광수 대한민국 대전직할시대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0137389-15
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0137387-13
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0137390-51
4 특허출원서
Patent Application		 1992.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0137386-78
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1992-0137388-69
6 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0137391-07
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045763-91
8 등록사정서
Decision to grant		 1996.07.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045764-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘기판(11)상에 열산화막(12)이 형성된 핸들웨이퍼의 경면과, p+실리콘상에 p-실리콘이 형성된 p-/p+에피웨이퍼(13)의 경면을 직접 접합하는 공정과, 상기 웨이퍼(13)의 p+실리콘을 소정깊이까지 연마한 다음, p-와 p+의 농도차이를 이용하여 p-와 p+의 계면까지 선택적으로 습식식각하는 공정과, 이어 상기 p-실리콘의 소정 깊이까지 연마하여 SOI를 형성하는 공정 및, 상기 SOI상에 반도체메모리소자를 공지의 공정으로 형성하는 공정을 포하하는 SOI디램셀의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.