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일반적인 로코스 방법에 의해 활성화 영역(24)과 필드 산화막(23)을 형성하는 SOI 모스소자의 제조방법에 있어서, 다결정 규소 패턴(25)을 상기 활성화 영역(24)의 윗면에 형성하는 단계와, 상기 다결정 규소 패턴(25)의 일부를 열산화하여 게이트 필드 산화막(26)을 형성하면서 인과 비소가 이온주입된 다결정 규소 패턴 (25a),(25b)을 형성하는 단계와, 게이트 규소 산화막(27)을 형성하는 열처리 과정을 거치면서 채널영역(30)의 양측에 인이 묽게 도우핑된 n-다결정 규소 소오스(28)와 n-다결정 규소 드레인(29)을 형성하는 동시에 비소가 짙게 도우핑된 n+다결정 규소 소오스(31 및 n+다결정 규소 드레인(32)을 형성하는 단계들에 의해 제조됨을 특징으로 하는 SOI 모스소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기의 다결정 규소 패턴(25)은 저압화학 기상증착 방법으로 0
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제1항에 있어서, 상기의 다결정 규소 패턴(25)을 열산화하여 50 내지 80㎚ 정도 두께의 규소 산화막을 기른 후 저압화학 기상증착 방법으로 100 내지 120㎚ 정도 두께의 규소 질화막을 증착하고, 게이트 필드 마스크 작업과 리소그라피 작업을 거쳐 게이트 영역 위의 규소 질화막을 제거한 다음 습식 산화 방법으로 다결정 규소 패턴 (25)을 열산화하여 게이트 필드 산화막(26)을 형성하도록 한 SOI 모스 소자의 제조방법
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제3항에 있어서, 다결정 규소 패턴 (25)을 열산화하는 시간은 필드 산화막(26)의 두께가 다결정 규소 패턴(25a), (26b)의 2
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제1항에 있어서, 상기의 다결정 규소 패턴 (25a), (25b)에 인을 1×1013 내지 3×1013cm-2 의 도오즈와 50 내지 80KeV의 에너지로 이온주입하고 비소를 1×1015 내지 6×1015cm-2의 도오즈와 30 내지 50KeV의 에너지로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 SOI 모스소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 게이트 필드 산화막(26)을 제거한 다음 20 내지 40㎚의 게이트 규소 산화막을 건식 또는 습식 열산화 방법으로 기른 후 습식부식 방법으로 제거하여 불순물을 제거하도록 한 SOI 모스소자의 제조방법
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제1항에 있어서, 건식 열산화 방법으로 20 내지 40㎚의 게이트 규소 산화막(27)을 더 길러주면서 2차례의 열처리 공정이 이루어지도록 한 SOI 모스소자의 제조방법
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