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고온 열처리 장비 개발을 위한 와이드 밴드갭 전력반도체 평가기술
- 기술번호 : KST2015020849
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로 관통 비아홀들을 갖는 기판, 상기 기판 상에 차례로 적층되는 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들, 상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되는 드레인 전극들 및 소스 전극들 및 상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되고, 상기 드레인 전극들 상에 제공되는 상부 비아홀들을 갖는 절연 패턴을 포함하고, 상기 관통 비아홀들은 상기 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들 내로 연장되어 상기 소스 전극들의 하면을 노출하는 질화물 반도체 소자가 제공된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/778 (2006.01) H01L 21/335 (2006.01) |
| CPC | H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020130166513 (2013.12.30) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원 |
| 등록번호/일자 | |
| 공개번호/일자 | 10-2015-0077735 (2015.07.08) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2015.09.24) |
| 심사청구항수 | 13 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 박영락 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 2 | 고상춘 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 장우진 | 대한민국 | 대전 서구 |
| 4 | 문재경 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 5 | 배성범 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 고려 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1201509-17 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0048858-70 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2015.09.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0934034-69 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2017.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0079518-04 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2017.03.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0316894-47 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2017.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0316893-02 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2017.04.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0253574-88 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 관통 비아홀들을 갖는 기판;상기 기판 상에 차례로 적층되는 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들;상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되는 드레인 전극들 및 소스 전극들; 상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되고, 상기 드레인 전극들 상에 제공되는 상부 비아홀들을 갖는 절연 패턴; 및상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되는 게이트 전극들을 포함하고,상기 관통 비아홀들은 상기 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들 내로 연장되어 상기 소스 전극들의 하면을 노출하고,상기 게이트 전극들은 제 1 방향으로 연장되는 복수의 열들과 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장되는 복수의 행들을 포함하는 질화물 반도체 소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서,상기 제 2 질화물 반도체층은 리세스 영역들을 가지되,평면적 관점에서, 상기 리세스 영역들은 상기 게이트 전극들과 동일한 배열을 이루고, 상기 게이트 전극들은 상기 리세스 영역들 내에 제공되는 질화물 반도체 소자 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 드레인 및 소스 전극들은 상기 게이트 전극들 사이의 공간에 교대로 반복 배치되어 복수의 행과 열을 이루는 질화물 반도체 소자 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 상부 비아홀들은 상기 드레인 전극들과 정렬되는 질화물 반도체 소자 |
| 6 |
6 제 4 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 관통 비아홀들은 상기 소스 전극들과 정렬되는 질화물 반도체 소자 |
| 7 |
7 관통 비아홀들을 갖는 기판;상기 기판 상에 차례로 적층되는 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들;상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되는 드레인 전극들 및 소스 전극들; 상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되고, 상기 드레인 전극들 상에 제공되는 상부 비아홀들을 갖는 절연 패턴; 및상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되는 게이트 전극들을 포함하고,상기 관통 비아홀들은 상기 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들 내로 연장되어 상기 소스 전극들의 하면을 노출하고,상기 게이트 전극들은 제 1 방향으로 연장되는 라인 형태를 가지되, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 상호 이격되어 배치되되,상기 게이트 전극들은 서로 전기적으로 연결되는 질화물 반도체 소자 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서,상기 제 2 질화물 반도체층은 리세스 영역들을 가지되,평면적 관점에서, 상기 리세스 영역들은 상기 게이트 전극들과 동일한 배열을 이루고, 상기 게이트 전극들은 상기 리세스 영역들 내에 제공되는 질화물 반도체 소자 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서,상기 드레인 및 소스 전극들은 상기 제 1 방향으로 연장되는 라인 형태를 가지고, 상기 게이트 전극들의 사이에 교대로 반복하여 배치되는 질화물 반도체 소자 |
| 10 |
10 제 9 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 상부 비아홀들은 상기 드레인 전극들을 따라 연장되는 라인 형태를 가지는 질화물 반도체 소자 |
| 11 |
11 제 9 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 관통 비아홀들은 상기 소스 전극들과 정렬되어 상기 제 1 방향으로 상호 이격되어 배치되는 질화물 반도체 소자 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 절연 패턴의 상면을 덮으며 상기 상부 비아홀들의 내측벽을 따라 연장되어 상기 드레인 전극들과 접속되는 드레인 전극 패드; 및상기 기판의 하면을 덮으며 상기 관통 비아홀들의 내측벽을 따라 연장되어 상기 소스 전극들과 접속되는 소스 전극 패드를 더 포함하는 질화물 반도체 소자 |
| 13 |
13 제 1 항에 있어서,상기 제 1 질화물 반도체층과 상기 제 2 질화물 반도체층은 이종 접합 구조를 이루는 질화물 반도체 소자 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서,상기 드레인 및 소스 전극들은 상기 제 2 질화물 반도체층과 오믹 접합을 이루는 질화물 반도체 소자 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US09136347 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20150187886 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2015187886 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US9136347 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 한국전자통신연구원 | 산업원천기술개발사업(ETRI연구개발지원사업) | 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술 |
| 등록사항 정보가 없습니다 |
|---|
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1201509-17 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0048858-70 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 4 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2015.09.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2015-0934034-69 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2017.02.01 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0079518-04 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2017.03.31 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2017-0316894-47 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2017.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2017-0316893-02 |
| 8 | 등록결정서 | 2017.04.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2017-0253574-88 |
| 기술번호 | KST2015020849 |
|---|---|
| 자료제공기관 | 미래기술마당 |
| 기술공급기관 | 한국전자통신연구원 |
| 기술명 | 고온 열처리 장비 개발을 위한 와이드 밴드갭 전력반도체 평가기술 |
| 기술개요 |
본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로 관통 비아홀들을 갖는 기판, 상기 기판 상에 차례로 적층되는 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들, 상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되는 드레인 전극들 및 소스 전극들 및 상기 제 2 질화물 반도체층 상에 제공되고, 상기 드레인 전극들 상에 제공되는 상부 비아홀들을 갖는 절연 패턴을 포함하고, 상기 관통 비아홀들은 상기 제 1 및 제 2 질화물 반도체층들 내로 연장되어 상기 소스 전극들의 하면을 노출하는 질화물 반도체 소자가 제공된다. |
| 개발상태 | 유사환경 테스트 |
| 기술의 우수성 |
1) 기술의 특징 - 고온 열처리 장비 개발에 필요한 WBG 전력반도체 평가 기술 전수 - WBG 전력반도체 공정 및 평가 노하우를 통해 고온 열처리 장비 개발 시 결과 비교 가능 - 고온 열처리 공정 후의 WBG 전력반도체 소자 평가를 통한 고온 공정 레시피 최적화에 도움 |
| 응용분야 |
1) 본 이전기술은 이전기업에서 개발하고자 하는 고온의 열처리 장비의 성능과 소자 공정에 적합한 공정조건을 검증할 수 있는 WBG(GaN, SiC) 기반의 전력반도체 평가 기술로 구성되어 있음 - WBG 반도체 소재인 GaN 전력반도체 소자기술은 파워 디바이스 분야의 정류기나 스위치 기능을 갖는 소자로서 사용되어지며, 무선통신시스템의 기지국의 송신기 전력 모듈, 하이브리드 자동차용 고에너지 효율의 파워 인버터, 위상 배열 레이더의 전력 모듈 등으로 활翕籠害？？？？？？？？？？ ？ ？？ ？풐+？( +A ？？？ ` ？？？？ ？ ？？延？？ ？？？？？+A ？？彿廷？廷巫廷？？맘？彿廷만？塚廷맘？？？ ？？學廷漸？？？廷？？？廷 圭廷？ ？( ？(？？？ % ？？？？？？？？？？( ？？Ð ？？？？？？ ？？？？ ？팃痛？？？？？？？큁痛？？？？？≪？？ ？？痛멜？ ？？專？i ？？？？？？瑄？ ？？ ？？？痛？？？？？廷？？？？？멜？？？만？ ？ ？ ？？？？ ？？ ？？만？ ？S멜？ 묈？ ？？？ ？？S？？≪？？≪ 멜？ |
| 시장규모 및 동향 |
1) 세계 전력반도체 시장 규모는 2009년 200억 달러, 2010년 230억 달러, 2011년 250억 달러, 2012년 260억 달러, 2013년 280억 달러로 연평균 9% 로 성장 예측(Power Management Market, iSuppli, 2009년) 2) 국내에서는 아직 독자 개발된 GaN 전력 에피 및 소자는 없는 실정임 3) WBG(GaN) 에피기판과 소자 시장은 2015년 각 각 3.5억달러, 1억달러 규모 로 예상 (Yole 2010) |
| 희망거래유형 | |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1711006580 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10038766 |
| 연구과제명 | 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 미래창조과학부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 201103~201602 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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| 심판사항 정보가 없습니다 |
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