반도체 기판(2)위에 스퍼터링방법에 의해 반도체칩 본딩 패드(1)상에 소정의 UBM층을 스퍼터링 한 후에, 댐핑 산화막(3)을 상기 본딩패드(1) 영역을 제외한 부분에 형성하는 공정(A)과, 상기 공정(A)위에 소정 두께의 막을 얻을시에 소정의 회전속도에 의한 소정 회수에 걸쳐 도포한 후 소정 온도에서 소정 시간동안 베이킹 하고 노광량을 두배로 하여 후막 포토레지스트(4)를 형성하는 공정(B)과, 솔더 범프패턴 정의를 위해서 수은 또는 카드뮴 자외선 광원을 갖는 소정의 노광기에 의해서 후막 포토제니스트(4)를 노광 및 현상하는 공정(C)과, 상기 본딩 패드(1)상부 및 상기 노광 및 현상된 사익 후막 포토레지스트(4)상부에 솔더(5)를 증착하는 공정(D)과, 상기 후막 포토레지스트(4)위에 증착된 상기 솔더(5)를 제거하기 위해서 상기 본딩패드(1)상부에 증착된 솔더 범프가 노출될 때 까지 래핑하는 공정(E)과, 상기 잔여 후막 포토레지스트(4)을 소정 용액에 넣어 제거하는 공정(F)과, 상기 솔더 범프(6)가 온도 350℃, 질소(N2)분위기의 오분내에서 이루어져서 상기 댐핑 산화막(3)으로 정의된 상기 본딩패드(1)상에서 리플로우 되어 솔더 볼의 형태로 되는 공정(G)을 포함하는 래핑을 이용한 솔더범프 형성방법

제1항에 있어서, 상기 (D)공정에서 솔더(5)는 납-주석합금으로서 위해 납과 주석을 분리 열증착하되, 조성의 균일성을 유지하기 위해 교대로 반복하여 층층이 증착하고, 상기 열증착한 수 래핑을 통하여 필요한 두께만큼 깎아냄으로써 필요한 조성을 임의로 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 래핑을 이용한 솔더범프 형성 방법

제1항에 있어서, 상기 (B)공정은 20~80㎛ 높이의 솔더 볼 형성을 위한 후막 포토레지스트(4)를 도포하는 고정으로서 드라이 필림 레지스트를 기판(2)에 라미네이션한 후 자외선 광원의 노광기에 의해서 솔더범프 패턴이 정의되는 리소그라피 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 래핑을 이용하는 솔더범프 형성 방법

제1항에 있어서, 상기 (D)공정의 솔더(5)를 증착하기 위한 패턴의 크기를 상기 본딩패드(1) 크기보다 상대적으로 크게 함으로써 리플로우 후 솔더 범프 높이의 15~40%솔더(5)만을 증착하는 것을 특징으로 하는 래핑을 이용한 솔더 범프 형성 방법