맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막트랜지스터용다결정실리콘제조방법

  • 기술번호 : KST2015074122
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터용 다결정 실린콘 제조방법에 관한 것으로서, 종래에 열처리 시간이 길고, 결정립 크기의 균일도가 나쁜 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 유리 기판(1)위에 홈을 형성하는 공정(A)과, 상기 기판(1)위에 열처리에 의해서 다결정 실리콘(3)을 형성하는 공정(B)과, 상기 다결정 실리콘(3)을 소정모양으로 만드는 공정(C)을 제공함으로써, 고성능의 트랜지스터를 제작할 수 있고, 균일한 특성을 가진 작은 크기의 트랜지스터도 쉽게 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01) H01L 21/02667(2013.01)
출원번호/일자 1019930028692 (1993.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0133490-0000 (1997.12.22)
공개번호/일자 10-1995-0020985 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (19980423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.21)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송윤호 대한민국 대전광역시 대덕구
2 유병곤 대한민국 대전직할시서구
3 남기수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143983-46
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143981-55
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143982-01
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143984-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068224-11
6 의견서
Written Opinion		 1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143985-37
7 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143987-28
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.04.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143986-83
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068225-67
10 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143988-74
11 등록사정서
Decision to grant		 1997.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0068228-04
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 웨이퍼 또는 유리기판(1)위에 실리콘 산화막이나 실리콘 질화막을 리소그래피 및 식각에 의해서 홈의 높이가 500Å이하, 폭 1㎛이하, 간격 1㎛이상으로 형성하는 공정(A)과, 상기 실리콘 웨이퍼 또는 유리기판(1)위에 화학기상증착에 의해서 비정질 실리콘을 100Å이상의 두께로 증착한 후, 열처리 하여 고상결정화시 급속열처리 및 전기로 열처리에 의해서 각각 결정핵 생성과 결정립 성장으로 분리수행하여 다결정 실리콘(3)을 형성하는 공정(B)과, 상기 다결정 실리콘(3)을 리소그래피 및 식각에 의해서 소정 부분의 박막 트랜지스터의 활성 영역을 정의한 후, 자기정렬을 이용하여 소정 모양의 다결정 실리콘(3)을 형성하는 공정(C)을 포함하는 박막 트랜지스터용 다결정 실리콘 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.