맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법

  • 기술번호 : KST2015082730
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노구조물의 형성 전후의 원하지 않는 반응을 억제하여 고품질의 금속산화물 나노구조물을 제작할 수 있는 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 급속 열증착을 이용한 금속산화물 나노구조물 제조방법은 하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계, 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계, 금속 소스로부터 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 챔버 내로 공급하는 단계, 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 할로겐 램프를 이용하여 금속 소스를 가열하는 단계, 및 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함한다. 금속산화물, 나노구조물, 급속 열증착, 할로겐램프
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/205 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020070051530 (2007.05.28)
출원인 한국전자통신연구원, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자 10-0953825-0000 (2010.04.13)
공개번호/일자 10-2008-0104581 (2008.12.03) 문서열기
공고번호/일자 (20100420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.28)
심사청구항수 12

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박종혁 대한민국 대구광역시 동구
2 맹성렬 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
3 박래만 대한민국 대전광역시 유성구
4 홍성현 대한민국 서울특별시 송파구
5 김원식 대한민국 서울 은평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0388855-42
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2007.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-5055059-33
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0345395-81
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0564606-10
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2008.12.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0625190-18
7 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2009.03.12 수리 (Accepted) 7-8-2009-0008956-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 심결등본송달서
Written Transmittal of Certified Copy of Trial Decision		 2010.03.08 수리 (Accepted) 7-7-2010-0019478-06
10 거절결정불복에 대한 심결
Trial Decision on Objection to Refusal Decision		 2010.03.08 수리 (Accepted) 7-8-2010-0006912-95
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하나 또는 그 이상의 할로겐 램프들이 그 주위에 설치된 챔버를 준비하는 단계; 상기 챔버 내에 금속 소스 및 기판을 장입하는 단계; 상기 금속 소스로부터 상기 기판 방향의 유속을 갖는 캐리어 가스를 상기 챔버 내로 공급하는 단계; 상기 기판 상에 금속산화물 나노구조물을 형성하기 위하여, 상기 할로겐 램프를 이용하여 상기 금속 소스를 가열하는 단계; 및 상기 기판 상에 형성된 금속산화물 나노구조물을 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 가열단계에 있어서, 최종 가열 온도는 700℃ 내지 1200℃의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 가열단계에 있어서, 가열 속도는 150℃/분 내지 400℃/분의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 냉각단계에 있어서, 냉각 속도는 150℃/분 내지 400℃/분의 범위에 포함되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속 소스는 고상 분말(powder) 또는 액상 용액인 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 금속 소스는 금속 또는 상기 금속의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 금속은 주석(Sn), 아연(Zn), 또는 인듐(In)을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 금속 소스는 카본(carbon)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 아르곤(Ar) 가스, 질소(N2) 가스, 산소 (O2)가스, 또는 이들의 혼합 가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 유리 또는 사파이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 기판은 그 표면에 상기 금속산화물 나노구조물의 형성을 위한 촉매 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 촉매 금속은 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni), 코발트(Co), 또는 철(Fe)을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 나노구조물 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.